气固态吸放氢　 the gas solid state hydrogen absorption and desorption　 气固态吸放氢指利用高压气瓶和固态储氢材料进行吸收和释放氢的过程。气态吸放氢需要高压气瓶,氢气经过加压,存入气瓶中,需要用时再放出。这是一种传统的常用方法,其缺点是需要厚重的耐压容器,并要消耗较大的氢气压缩功,存在氢气易泄漏和容器爆破等不安全因素。固态储氢材料吸放氢是通过化学反应或物理吸附将氢气储存于固态材料中,使用时再进行释放,储氢体积密度大、安全度高、运输方便、操作容易,主要有金属氢化物、配位氢化物和多孔吸附材料等,但是对热交换以及储氢粉末有很高的技术要求。

　气敏半导体陶瓷　 gas-sensitive semiconductive ceramics　 物理参量随外界气体种类和浓度变化而变化的敏感陶瓷材料。主要有:①半导体气敏材料,与气体发生吸附化学反应导致电导率发生变化,如SnO2、ZnO、γ-Fe2O3、Ln1-xSrxCoO3等;②接触燃料式气敏材料,与气体接触燃烧,产生反应热,改变材料电阻值,如Pt-Al2O3+Pt丝、Pd-Al2O3+Pt丝;③固体电解质气敏材料,利用固体电解质对气体的选择透过性,产生浓差电势,如CaO-ZrO2(CSZ)、Y2O3-ZrO2(YSZ)、Y2O3-TbO2、LaF3、PbCl、PbBr、K2SO4、K2CO3和Ba(NO3)2等。主要性能参数包括灵敏度、响应时间、选择性、稳定性等。

　气体发生剂　 gas generating composition　 燃烧时能快速产生大量气体的烟火药剂,用于装填不同用途气体发生器或燃气驱动装置。具有易点火、线燃烧速度快、燃烧产物气体量大、残渣量少、气体温度低的特点。现在一般采用四唑类高氮物质作为产气剂,硝酸盐作为氧化剂设计的气体发生剂具有原材料无毒、燃烧温度低、安定性好、气体生成量大、生成气体主要成分为N2、CO2和水蒸气的特点。克服了以叠氮化钠作为产气剂的配方原材料剧毒、气体生成量偏小的缺点。适用于航天、航空器姿态调整,弹射、气囊减速、着陆缓冲等场合;也可用于舰船发射、水面救生及水中救捞等需要快速产生气体的场合;在消防灭火、汽车安全气囊、降雨弹、沉船打捞等民用安全领域也有广泛用途。

　气体发生器推进剂　 gas generator propellant　 简称燃气发生剂,一类特殊用途的固体推进剂。通过在气体发生器内的燃烧反应,生成温度在800~2000℃之间的气体,通过驱动其他机构将化学能转变为机械能、电能或热能。主要用途包括液体火箭和固体火箭等弹上辅助动力装置,导弹发射的弹射装置,同时也应用在汽车安全气囊等应急救生领域。燃气发生剂的基本要求包括燃气洁净、残渣少、发气量大。一般由聚合物黏合剂、氧化剂、降温剂、固化剂、增塑剂和其他功能助剂组成,通过压制或采用与复合固体推进剂相同的真空浇铸工艺成型。燃气发生剂的品种较多,既有双基推进剂类,也有复合推进剂类。复合推进剂类的燃气发生剂品种按主要组分可分为硝酸铵型、高氯酸铵型、硝胺型、二羟基乙二肟型等。

　气体辅助注射成型　 gas-assisted injection molding　 气体辅助注射成型简称GAIM,其原理为在注射过程中,首先把部分(或全部)熔体注入模具型腔,然后把一定压力的气体(通常是N2)通过特设的气道注入到型腔内的塑料熔体中心层,由于由于在冷却收缩过程中熔体中心部位的温度高、黏度低,因而气体易在中心部位或厚壁处穿透形成空腔,视气体进入型腔时间分为满射和短射两种工艺,短射时气体压力推动熔体充满模具型腔,充模结束后,利用气体的压力进行保压压缩。当制品冷却固化后,通过排气孔泻出气体,即可开模取出制品。成型周期可分为六个阶段:塑料充模阶段、切换延迟阶段、气体注射阶段、保压阶段、气体释放阶段以及冷却开模阶段。

相比于普通成型,气体辅助成型具有下述特点:①生产周期缩短。②制品质量减轻。③制品质量提高,能消除缩孔和凹痕等缺陷。④制品应力低及工艺成本低等。而其主要缺点有:提高了成型设备的成本和复杂程度;成型时,制品注入气体与未注入气体的表面会产生不同的光泽,需要花纹装饰或遮盖。

　气体焊　 gas welding　 又称火焰焊。以燃料气体与氧气或空气混合燃烧形成的火焰作为热源来进行焊接的方法。最常用的燃烧气体有乙炔和丙烷(液化石油气)。氧-乙炔火焰的温度最高可达3150℃,氧-丙烷火焰的最高温度约2180℃。氧-乙炔焊应用最为广泛。氧-丙烷焊的生产率不如氧-乙炔焊,但较经济安全,特别适用于薄板或低熔点金属的焊接。

　气体扩散电极　 gas diffusion electrode　 能够让气体通过扩散进出的多孔电极。这些孔是气体扩散的通道。气体扩散电极由催化剂层和气体扩散介质组成,后者是前者的支撑体。在质子交换膜燃料电池中,气体扩散介质多为碳纸,其孔隙率可高达90%,孔径大小在10μm以上。催化剂层的孔隙率一般在30%以上,含有一级孔(primary pores)和二级孔(secondary pores);一级孔和二级孔的大小分别在10μm和100μm之内。

　气体扩散介质　 参见气体扩散层。

　气体冷却剂　 gas coolant　 使用形态为气体的冷却剂。早期曾用二氧化碳作石墨反应堆冷却剂,后来选用氦气作高温气冷堆冷却剂。其优点是选择工作压强和温度时,可以完全独立地进行,因而能实现高温低压运行;缺点是泵送功率大。

　气体雾化　 gas atomization　 用亚声速或超声速气体射流来分散金属液流,使之成为金属液滴而获得粉末的方法。雾化作用是借助于雾化介质的动能而产生的。常用介质为氮气、氩气或空气。雾化气体的质量流率越大,所得颗粒越细小。这种方法生产的粉末表面光滑,呈球形,直径在50~150μm之间。如雾化铜粉、铝粉。

　气相等离子辅助反应法　 plasma assisted chemical vapor deposition　 一种以等离子体为加热源,通过气相反应,完成成核、长大和终止的过程,从而形成超细微粒的制备方法。该方法制备的超微粒的纯度较高,不仅能制备金属超微粒,也可制备化合物超微粒,产品多样化。

　气相生长　 growth from vapour phase　 被沉淀物质的原子和分子从气相状态碰撞到晶体表面被晶体吸附而生长晶体。在气相生长过程中存在着大量变量,使得生长过程较难控制,因此气相生长往往局限于那些难以从液相生长的材料,如Ⅱ -Ⅵ族化合物和碳化硅等。气相生长的特点之一是经常可以预先确定所提出的反应的平衡常数及其温度的依赖关系。其最重要的用途是在同质和异质材料衬底上的外延生长。此方法已成为制造很多半导体、光电器件和声光器件的基本方法,在工业上有重大的意义。气相生长必须具备几个必要条件:①晶体上的蒸气压比平衡蒸气压高;②晶体周围的环境要有利于表面扩散;③衬底周围环境要有利于晶体的发育。气相生长中物质输运方式可以是物理的(高温部分通过气流传送到低温区并沉淀)和化学的(靠化学反应提供蒸气沉淀在晶体上)。气相生长从组分方面可分为单组分体系和多组分体系生长。单组分气相生长包括升华法、溅射法、离子注入法。利用单组分体系生长的晶体有SiC、CdS、ZnS等,且晶体形状多为针状或片状。多组分体系常用外延生长,可分为可逆反应生长和不可逆反应生长两种。GaAs、GaAsxP1-x、GaP等外延膜常用此方法生长。

　气相外延　 vapor phase epitaxy　 在足够高温度的半导体衬底表面通过含有所需外延层的气体反应物和掺杂物,沿着衬底晶向生长出外延层。它属于化学气相沉积范畴,包括:① 生长组分物输运至衬底表面,② 组分物在衬底表面分解,③ 沉积物原子或者团簇在衬底表面迁移,④ 进入结晶(生长)前沿,最终形成外延层。应用最为广泛的硅外延片都是采用气相外延法制备的。

　气-液-固相外延生长法　 vapour-liquid-solid epitaxial growth method　 它是一个组合式的生长方法。在生长系统中同时存在着气、液、固三种物质状态,要生长的物质首先从气态变成液态,然后再由液态沉积在晶体衬底上生长出晶体,优点在于生长速率要比气-固生长速率快。因为原子蒸气沉积在晶体上所需的活化能较高,而气态在转变为液相时,由于液体表面较固体表面粗糙,因此它对蒸气的吸附能力强,减少了相变所需的活化能,提高了生长速率。另外从液态转变为固态时,界面上大的热梯度分布抑制了组分过冷而有助于从液态中沉淀出晶体。VLS外延常用于生长Si,Ge,GaAs,Ga等半导体材料以及α-Al2O3,SiC,BeO等,也可以制备微型电路,改变气相成分,还可以用来生长半导体。

　千枚岩　 phyllite　 具有千枚状构造的低级变质岩石。由黏土岩、粉砂岩及中~酸性凝灰岩经区域变质作用形成。典型的矿物组合为绢云母、绿泥石和石英,可含少量长石及碳质、铁质等。有时还有少量方解石、黑云母、黑硬绿泥石或锰铝榴石等变斑晶。常为细粒鳞片变晶结构,粒度<0.1mm,显微变晶片理发育面上呈绢丝光泽。常见皱纹状片理构造、滑劈理构造等。千枚岩类型繁多,有绢云千枚岩、绿泥千枚岩、石英千枚岩、钙质千枚岩、炭质千枚岩等。