长石类硅酸盐结构　 feldspar silicate structure　 属架状硅酸盐一类结构。结构中,[(Si,Al)O4]四面体连接成四方环,并组成沿a轴的折线状链;四面体和双四面体交互排列形成平行c轴的链;链与链之间形成大空穴。由于Al3+替代了Si4+而使网络中出现过剩的负电荷,因此大的空穴中常常存在K+、Na+、Ca2+、Ba2+等半径大、电价低、配位数高的离子以平衡电荷。用以平衡负电荷的阳离子中,较大的阳离子(如K+、Ba2+等)的半径大于空隙尺寸因而可支撑[(Si,Al)O4],可以具有规则的配位多面体;而在室温下,较小的Na+、Ca2+等阳离子的半径小于空隙尺寸致使骨架折陷、配位多面体不规则。此外,链在(001)和(010)方位具有连接成层的特点,而长石晶体外形上[001]和[010]晶带发育及{001}和{010}解理发育均与此有关。

长石质瓷　 feldspathic porcelain　 以长石作助熔剂的“高岭土-长石-石英”三组分系统瓷。特点是烧成温度范围比较宽,以其组分比例及工艺因素的不同,变动范围很宽,可以配成1150~1450 ℃温度范围内烧成的各种瓷器。一般认为烧成温度在1350 ℃以上的为高火瓷,而在1350℃以下烧成的为低火瓷。我国的长石质瓷的烧成温度一般为1250~1350 ℃。典型配方:高岭土50%、长石25%、石英25%。显微结构由晶相、玻璃相和闭口气孔组成。晶相在瓷胎中起骨架作用,玻璃相填充于骨架之间,起结合作用。吸水率接近于零,未上釉试条的弯曲强度为70~90MPa。主要用于制造日用瓷、电瓷和化学瓷等。

长寿石　 参见麦饭石(511页)。

长水口　 long nozzle　 又称保护套管。安装于钢包下水口处,连接钢包和中间包,起着防止钢水氧化和飞溅、防止中间包渣卷入等多重作用,是进行保护浇注、提高钢的质量的重要功能耐火材料。长度一般在1000~1600mm,对抗热冲击性能要求很高。提高热震稳定性的措施有两种:一种是在材料中添加较多石墨,并加入低热膨胀系数原材料,降低材料的热膨胀率;另一种是水口内外层选用不同材质,直接接触钢液层选取低碳或无碳材质,低的热导率降低了外层材料中的热应力,外层材质为低SiO2含量的铝碳材质,提高抗钢液侵蚀性。

长余辉发光材料　 见夜光粉(847页)。

场发射电子显微术 　 field emission electron microscopy; FEEM　 借助样品针尖的场致电子发射及其放大图像来观察表面结构的研究方法。样品制成针状,针尖曲率半径约100nm,经侵蚀而成,样品置于超高真空中(约10-11Pa),并作为阴极。在阳极正电压所造成的电场(约107V /cm)中,针尖发射电子,电子飞向荧光屏。发射电流I取决于电场强度F及发射表面的功函数φ,例如在均匀电场中I=AF2exp(-Bφ2/F),式中A、B为常数。因此可形成反映样品表面结构的二维图像。放大倍数可达106,分辨能力约为1nm。应用场电子显微镜可观察洁净表面的几何形貌(如粗糙表面因φ降低而形成亮点)及晶体结构,晶界结构(若正好有晶界在针尖) 及其运动,加热过程中的表面形貌变化及多型转变。通过测量发射电子的能谱还可研究针尖的电子结构。吸附表面和纯净表面的图像全然不同,应用在样品上方的气体源供给吸附气体,还可研究表面的吸附位置,吸附原子在表面的振动和化学反应过程,研究催化作用。此种技术由于分辨能力不如场离子显微术,又不便与其他方法结合,使用不太普遍。

场致发光　 electroluminescent　 在直流或交流电场作用下,依靠电流和电场的激发使无机材料发光的现象,又称电致发光。场致发光是将电能直接转换成光。目前常见的电致发光材料有三种形态:结型、薄膜型和粉末型。具有电致发光能力的固体材料很多,但达到实际应用水平的主要是半导体材料,其中有Ⅱ-Ⅳ族、Ⅲ-Ⅴ族、Ⅳ-Ⅵ族两元或三元化合物。Ⅲ-Ⅴ族和Ⅳ-Ⅵ族发光材料是典型的半导体发光材料,Ⅱ-Ⅳ族化合物以硫化锌基质材料为代表,它不仅是光致发光材料如长余辉发光材料、阴极射线发光材料、X射线发光材料,而且是好的电致发光材料,它分为直流和交流电致发光两大类,又进一步分为粉末状直流或交流电致发光材料,薄膜直流或交流电致发光材料。电致发光材料主要用途是制造电致发光显示器件。

超导磁有序材料　 superconducting magnetic ordered materials　 20世纪80年代初期,在ErRh4B4单晶体中,在1K附近很窄区域观测到铁磁结构和调制磁结构及电阻现象消失现象,磁畴和超导区的限度不小于240nm,证明了磁有序和超导性的同时共存。

超导临界磁场　 superconducting critical magnetic field　 在某一温度和电流密度条件下,超导体保持其超导电性的最大外加磁场强度,超过该值时,超导体的零电阻现象将消失,用Hc表示,为一物质常数。

超导临界温度　 参见超导转变温度(56页)。

超导零电阻特性　 superconducting zero-resistance characteristic　 当温度降低至某一温度以下,材料电阻突然降为“零”的特性。目前实验尚未证实其电阻是绝对的零,只是相对于常规导体的极低,故被看作是零。

超导能隙　 superconducting gap　 超导体最低激发态与基态之间存在一定的能量间隙。按BCS理论,拆散一库珀电子对或激发两个电子到正常态最小能量的一半称为能隙。能隙的存在是超导微观理论的基础之一。BCS理论从量子力学基本原理出发推导出能隙的存在,并预言了它与温度以及Δ(0)和临界温度的关系[Δ(0)为绝对零度下的能隙]。能隙的发现为BCS理论的建立奠定了基础。但是,能隙并不是超导性存在的必要条件。某些杂质可以降低超导体的临界温度,但它使能隙减小得更快。高于某一杂质浓度时,能隙已降低为零,但T0 却仍是有限值。这就出现了无能隙超导体。磁场也可以造成无能隙的超导体。

超导态　 superconducting state　 某些金属、合金和化合物在某一特定的温度Tc下,其电阻将突然消失,且磁力线被完全排斥到该物体之外(即完全抗磁性),这种现象叫超导电现象。这种以零电阻和完全抗磁性为特征的状态,称为超导态。在超导态时,直流电阻为零,但对交流电仍有很小的能量损耗。

超低密度聚乙烯 　 ultra low density polyethylene;ULDPE　 见聚乙烯(425页)。

超点阵　 superlattice　 又称超结构。固溶体发生有序化转变后不同种原子在晶体点阵中呈有秩序排列的晶体结构。一般固溶体由于其组元原子在其点阵中的相对分布是任意的,故根据点阵的特性来看,它仍然保持着溶剂组元的点阵,只是点阵常数有一定的变化,但转变为有序固溶体后,其各组元的原子便分别占据了点阵中的固定位置,由此而形成了两种或多种亚点阵,因而在其X射线衍射谱或中子衍射谱中便出现了新的点阵谱线,称为超点阵谱。