玻耳兹曼叠加原理　 Boltzmann superposition principle　 高分子在某一时刻的松弛特性是其在该时刻之前所经历的所有松弛过程所产生结果的线性加和的理论原理。

　TiF玻璃　见钛火石玻璃(714页)。

玻璃的失透　 devitrification of glass　 即玻璃失去原有的透明性。这是玻璃的缺陷之一,在玻璃制造工艺中力求避免。

玻璃化转变温度　 glass transition temperature　 简称玻璃化温度。某些液体在温度迅速下降时被固化成为玻璃态而不发生结晶作用,这就叫做玻璃化转变。发生玻璃化转变的温度叫作玻璃化(转变)温度,记作Tg。对非晶聚合物,从高温降温,聚合物从橡胶态变为玻璃态;从低温升温,聚合物从玻璃态变为橡胶态的温度。从分子运动考虑,玻璃化温度是指链段由运动到冻结的温度。是非晶热塑性塑料(如聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯和硬质聚氯乙烯等)使用温度的上限,是橡胶(如天然橡胶、丁苯橡胶)使用温度的下限。影响Tg因素有:结构因素(分子的刚柔性、分子间力的大小);外部因素(外力作用的时间、频率、方式、升降温速率、增塑剂、共聚、结晶等)。通过对聚合物Tg的测定与分析,能确定聚合物的使用温度范围,判断聚合物分子链的刚柔性、聚合物共混体系的相分离情况等。常用测定方法有:动态力学试验、膨胀计法、热分析法、温度-形变曲线等。

玻璃态　 glassy state　 高分子在玻璃化温度以下,其力学行为和玻璃固体相似的状态,此时,高分子分子主链中链段的运动被冻结,材料大都表现出胡克弹性行为。

玻璃纤维毡片　 glass fibre felt　 由连续原丝或短切原丝不定向地通过化学黏结剂或机械作用结合在一起制成的薄片状制品。根据纤维的形态和结合方式的不同,主要有短切原丝毡、连续原丝毡、缝编毡、复合毡和表面毡等类别。

玻璃陨石　 tektite　 一种玻璃质石陨石。以玻璃质为主,有时含少量焦石英、柯石英、斜锆石和铁镍金属。SiO2含量在48%~85%之间,折射率为1.48~1.62,密度2.3~2.6g/cm3。呈球状、细长状、哑铃状、液滴状、纽扣状和不规则块状等,颜色呈黑、墨绿、棕褐,半透明。表层具拉长状气泡,内部常有气泡空腔,大小几微米至几毫米,个别可达几厘米。

剥离强度试验　 peel strength test　 测量粘贴在一起的两种材料呈180°或90°剥离角进行剥离时的强度的试验。

剥离液　 stripper　 又称去膜液。一种光刻制程助剂。用于蚀刻制程后去除光阻和残留材料。除了要求能快速有效去除光阻和残留物外,还要求避免损伤其下的基板。根据是否含水,剥离液可以分为有机剥离液和水性剥离液。剥离液主要成分为碱和有机溶剂,同时添加抗蚀剂等多种添加剂。常用的碱有单乙醇胺、二乙醇胺、四甲基氢氧化铵等,有机溶剂有卡必醇、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜等。

伯格斯矢量　 Burgers vector　 简称伯氏矢量,位错的特征矢量。当位错在晶体内滑动时,原子沿着某一特定的方向,相对于其邻近原子切变了某一特定的距离,表示这种原子位移的矢量定义为位错的伯格斯矢量。

薄板共振吸声材料　 sheet resonance absorption materials　 又称薄板共振吸声结构,即由周边固定的薄板(胶合板、硬质纤维板或金属板等)及其板后一定深度的封闭空气层组成的吸声构造结构。当声波入射到该结构时,薄板在声波交变压力激发下被迫振动,使板心弯曲变形,出现了板材内部摩擦损耗,将机械能变为热能。此系统的固有频率主要在80~300Hz,当入射声波的频率与系统固有频率一致时,薄板振动最剧烈(即发生共振),这时消耗声能最大,吸声系数为0.2~0.5,共振频率多在80~300Hz之间。共振频率f0的计算式如下:

f0=

式中,M0为板材的面密度,kg/m2;L为板后空气层的厚度,cm。由于低频波更接近薄板的固有频率,吸声频率主要在低频范围,可将薄板多层组合或在空腔中加入弹性材料层以提高其有效吸声范围。在剧场建筑中应用最广,其中的观众厅、排练厅和琴室内的胶合板护墙就是薄板共振吸声结构。

　PVB薄膜　 见聚乙烯醇缩丁醛胶膜(426页)。

薄膜导电材料　 thin film conductive material　 具有导电功能的薄膜。导电薄膜的荷电载流子在输运过程中受到表面和界面的散射,当薄膜的厚度可以与电子的自由程相比拟时,在表面和界面的影响将变得显著,这个现象称薄膜的尺寸效应,它等效于载流子的自由程减小,因此与同样材料的块材相比,薄膜的电导率较小。通常薄膜中的缺陷浓度比较高,主要缺陷为杂质、空位、填隙原子、位错、晶界,以及表面和界面的吸附和偏析等,这些缺陷都对载流子产生散射或俘获,从而减少了载流子的自由程和寿命,引起薄膜电导率的减小。

补偿半导体　 compensated semiconductor　 指既掺有施主杂质又掺有受主杂质的半导体。由于补偿半导体中掺有两种杂质,就会产生杂质的补偿作用,使得多数载流子就由未被补偿的杂质来提供。补偿半导体的载流子浓度由两种杂质的浓度差决定,而载流子的迁移率则与两种杂质的浓度之和有关。

补体活化能力　 complement activation ability　 材料与血液接触时激活补体系统的能力。生物材料与血液接触激活补体主要是通过替代途径实现。激活过程可能是由于补体系统中C3分子上带有含磺酸酯基团的活性位点,可与生物材料表面的亲核基团(如羟基或氨基基团等)发生共价键合反应,导致补体C3在材料表面沉积而激活补体。有研究表明,生物材料也可引起补体系统的经典途径激活。如涤纶人工血管植入人体后可以通过经典和替代两种途径引起补体的激活,导致体内C4a水平显著提高,而C4a只有在经典途径补体活化时才产生。进一步研究发现,表面带有氨基、羟基、氰基或酚基的聚合物及聚肌苷酸、硫酸葡聚糖、硫酸纤维素等都可以引起替代途径的补体激活,而且也可以引起经典途径的激活。