阀门钢　 valve steel;gas valve steel　 又称气阀钢,适合于制作内燃机中进、排气阀门用的耐热钢。阀门钢要求具有在很高的工作温度下足够的高温强度和韧性、高温硬度和耐磨性;良好的抗氧化性以及在工作介质中的耐蚀性;在冷热循环条件下组织和尺寸的稳定性;良好的加工性和焊接性。按组织类型通常可分为马氏体型和奥氏体型。为提高耐磨性和耐蚀性,还可采用表面渗铝或堆焊硬质合金等处理。典型的马氏体型钢号有42Cr9Si2、40Cr10Si2Mo,使用温度在700℃以下;典型的奥氏体型钢号有45Cr14Ni14W2Mo、53Cr21Mn9Ni4N等,最高使用温度可达800℃。

　VGF法　 VGF method　 又称垂直梯度凝固法。由美国学者Sonnernberg等开发的一项专利技术,晶体生长在一维的梯度温度场中进行。坩埚和炉膛的相对位置固定不变,通过控制炉膛中的温度场变化,进行顺序降温,使熔体在坩埚中自下而上地冷却,实现晶体的定向生长。该法所需的设备较简单,无需传动机构,热梯度可控,有利于生长低缺陷密度晶体且易于得到均匀的杂质分布。利用该法可生长较大直径的高质量GaAs、GaP、InP等单晶。

钒三硅　 V3Si　 金属间化合物超导体,晶体结构为A3B型A15结构。超导临界温度Tc=17.1K。

钒酸钇:镱(Ⅲ),钬(Ⅲ)　 yttrium vanadate activated by ytterbium and holmium　 YVO4:Yb3+,Ho3+。白色粉末,四方晶系,a=7.123,c=6.291。相对密度4.242。960nm激光激发下,在545nm和549nm两处发射峰最强。合成方法∶微乳液介导水热法制备此上转换发光材料。具体制备过程:反应物为Na3VO4/NaOH和稀土硝酸盐水溶液,表面活性剂CTAB,共表面活性剂正己醇和油相正庚烷四组分。水热合成过程中微乳液滴作为微反应器得到小尺寸产物。用于紧凑可见光激光器。

反射层材料　 reflector materials　 为减少漏出堆芯的中子数量,在堆芯周围设置反射层所用的材料。对反射层材料的要求与慢化剂相同,要求其散射截面要大,吸收截面要小。因此,好的慢化剂材料也是好的反射层材料。常用的有水、重水、石墨和铍等。

反射膜　 optical reflection film　 反射膜可分为两大类,一类是金属反射膜,一类是全电介质反射膜。此外,还有把两者结合起来的金属电介质反射膜。金属反射膜的优点是制备工艺简单,工作的波长范围宽;缺点是光损大,反射率不可能很高。为了使金属反射膜的反射率进一步提高,可以在膜的外侧加镀几层一定厚度的电介质层,组成金属电介质反射膜。金属电介质射膜增加了某一波长(或者某一波区)的反射率,却破坏了金属膜中性反射的特点。全电介质反射膜是建立在多光束干涉基础上的。与增透膜相反,在光学表面上镀一层折射率高于基体材料的薄膜,就可以增加光学表面的反射率。最简单的多层反射是由高、低折射率的两种材料交替蒸镀而成的,每层膜的光学厚度为某一波长的1/4。在这种条件下,参加叠加的各界面上的反射光矢量、振动方向相同。合成振幅随着薄膜层数的增加而增加。

反射型隔热涂料　 reflective thermal insulation coating　 通过反射可见光及红外光的形式把太阳光能量隔绝的涂料。由太阳光谱能量分布曲线可知,太阳能绝大部分处于可见光和近红外区,即400~1800nm范围。在该波长范围内,反射率越高,涂层的隔热效果就越好。因此通过选择合适的树脂、颜填料及生产工艺,可制得高反射率的涂层,反射可见光及红外线,以达到隔热的目的。常用的反射型材料有陶瓷微粉、铝粉、二氧化钛、ATO粉体。铝粉利用金属的特性,对太阳光有一定的反射率,但在热波长区域内反射效率低,且铝粉本身可传热,故不是一种很理想的反射材料;ATO(SnO2·Sb2O2)是过渡金属氧化物的混合体,是一种新型的隔热材料,其具有较高的可见光透过率和红外线反射率,满足了采光和隔热的需要,但成本较高,且ATO浆为蓝色,影响了隔热涂料的反射率。二氧化钛是遮盖力最好的颜填料,对白光的散射能力值达到1.9,折射率高,是一种理想的反射材料。陶瓷微粉粒径在1μm以下,由二氧化钛、氧化锌、氧化镁、二氧化硅、氧化铝组成,这种填料具有热导率以及比热容小的特点,将它使用于具有散热性、平滑性优良的面漆树脂中,制成保持涂膜光滑的反射涂料。反射型隔热涂料可应用于原油、成品油储罐、冷藏设备及管线、建筑墙体及屋面,具有较高的节能经济效益。

反铁磁性　 antiferromagnetism　 一种独特的磁有序现象。在反铁磁性材料中,原子或分子磁矩严格按照近邻自旋方向相反的规律排列。因此,反铁磁性与铁磁性和亚铁磁性一样是一种磁有序现象。材料的反铁磁序一般在低温下形成。当温度高于某一临界温度时,反铁磁性消失,这时材料表现出典型的顺磁行为。与铁磁材料的居里温度相应,反铁磁性消失的温度被命名为奈尔温度(Neel temperature)以纪念法国科学家路易·奈尔(Louis Neel)在材料反铁磁性发现方面所作出的先驱性工作。表现出反铁磁性的材料常见于过渡金属化合物,特别是这些金属的氧化物;另外还有某些纯金属或合金,例如铬和铁锰合金等。材料的反铁磁性不仅仅限于晶体材料,在某些非晶材料中也可能存在。

反铁电陶瓷　 anti-ferroelectric ceramics　 主晶相为反铁电体的陶瓷。反铁电体的种类甚多,例如NH4H2PO4(ADP)型,包括NH4H2AsO4及氘代盐等;(NH4)2SO4型,包括NH4HSO4及NH4LiSO4等;(NH4)2H3IO6型,包括Ag2H3IO6及氘代盐等;钙钛矿型,包括NaNbO3、PbZrO3、PbHfO3、Pb(Mg1/2W1/2)O3、Pb(Yb1/2Nb1/2)O3以及RbNO3等。反铁电体的特点是每个子晶格内有因离子位产生的极化,但相邻子晶格极化方向相反,因此总的自发极化强度为零。多数是反铁电单晶体,少数是反铁电陶瓷,如PbZrO3、Pb(Mg1/2W1/2)O3和Pb(Yb1/2Nb1/2)O3。对于Pb(Zr1-xTix)O3陶瓷,当适当改性或处于特定组成时也属反铁电体,例如用作电压调节元件的一种反铁电陶瓷配方组成为Pb0.92La0.02Sr0.06(Zr0.7-xSn0.3Tix)O3,0.14<x<0.16,这种材料可使用到调节电场高达1kV/mm,在-55~70℃之间,可具有10%的电压调节度。反铁电材料主要用作储能器和电压调节元件。

反铁电性　 antiferroelectricity　 某些材料由极化强度相等而极性相反的两个子晶格组成,宏观上不呈现净电偶极矩现象;具有这种性质的材料称反铁电体。宏观上反铁电体的自发极化强度为零,因此无电滞回线。外加一定电场将诱导反铁电相向铁电相转变,并呈现双电滞回线。反铁电体的种类很多,如PbZrO3、PbHfO3、NaNbO3等。以PbZrO3为例,它在居里温度(232℃)以上属立方晶系;居里温度以下,每个子晶格内的Pb离子发生位移,因而有自发极化。但相邻子晶格极化方向反平行,因此表现为反铁电体。反铁电体的应用:利用反铁电-铁电相变时的极化强度与电场强度的非线性关系,作储能电容器和电压调节元件;利用反铁电-铁电相变的体积效应作换能器。

反相畴　 antiphase domain　 有序固溶体晶内出现的一些组元原子所占点阵位置正好相反的区域组成的亚组织。相邻区域之间的界面称反相畴界。它来源于有序化过程中的起始阶段,即固溶体内部一些区域,有的是以组元A形成亚点阵α而组元B形成亚点阵β为核心;有的则正相反,是以组元B形成亚点阵α而组元A 形成亚点阵β为核心。由于两者并无实质差别,它们都可各自独立生长,直到相互接触而受阻,便形成反向畴组织。畴的进一步长大,只能依靠各自长势的强弱通过畴界的迁移而相互吞并。反相畴的尺寸对有序强化起重要作用。应用场离子显微镜和透射电镜等测试手段可揭示反相畴的大小及其组织特征。

反相畴界　 antiphase domain boundary　 参见反相畴。

反应结合碳化硅陶瓷　 reaction bonded silicon carbide ceramic　 见反应烧结碳化硅陶瓷。

反应热等静压　 reactive hot isostatic pressing　 以传统等静压为基础,把粉末混合物或压坯真空封装于密闭包套内并置于高压容器中,同时施加高温高压,进行材料合成并完成烧结致密化。与反应热压相比,反应热等静压的压力较高,分布均匀,可以获得高性能及形状相对复杂的制品。反应热等静压技术的不足在于生产率低,生产成本高。反应热等静压实用的传压介质为惰性气体Ar、He、N2,其中Ar较为常用,也使用熔融盐、熔融玻璃等液体作为传压介质。

反应烧结碳化硅陶瓷　 reaction sintered silicon carbide ceramics　 又称反应结合碳化硅陶瓷或自结合碳化硅陶瓷。以碳化硅、硅和碳为原料,经成型后在高温下硅与碳反应生成碳化硅,将坯体中的碳化硅结合在一起,得到碳化硅陶瓷材料。反应烧结工艺的特点决定了其中一般含有量8%~12%(质量分数)左右的游离硅,其余为碳化硅。而且游离硅填充了微孔从而得到无孔制品。反应烧结具有工艺简单,烧结时间短,烧结温度和成本远低于热压和无压烧结碳化硅,净尺寸烧结(烧结前后尺寸无变化),易制备大型复杂形状制品等优点。用反应烧结工艺制备的反应结合碳化硅秉承了碳化硅陶瓷的所有优点包括强度高、硬度高、抗热震性好、耐磨性和耐腐蚀性好、热导率高、膨胀系数低和优异的抗氧化性能,且气孔率低(约0.5%),是一种性能优良的高技术陶瓷材料。