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  • 电致发光

    电致发光  见场致发光(54)

  • 电致伸缩陶瓷

    电致伸缩陶瓷  electrostriction ceramics  具有由电场引起的伸缩形变效应的陶瓷。是非导体的固体介质在外电场作用下,材料中原子或离子偏离其平衡位置产生电场诱导极化而导致的应变现象。电致应变量与材料电极化强度的平方成正比。电致伸缩陶瓷的特性为:电致应变量大,可达10-3数量级,且应变随电场变化灵敏;不存在因电畴退极化引起的各种老化现象;倍频特性,即电致伸缩频率为外加交变电场频率的两倍;热膨胀系数小(10-6-1),热稳定性好。弛豫铁电型电致伸缩陶瓷是付诸使用的一大类电致伸缩材料。主要系统有铌镁酸铅(PMN)、铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、锆钛酸铅镧(PLZT)、锆钛酸铅钡(Ba-PZT),制备工艺与一般电子陶瓷相仿,但无需像压电陶瓷进行高电场预极化。主要用作微位移驱动器,具有分辨率高、自寻找速度快、精度高、稳定性好等优点在光通信技术中用于制作单模光纤端部与半导体激光器的发光点对接专用设备光纤藕合台以及制作精密流体控制阀、光开关、光脉冲的发生和整形。近年来,利用倍频特征制备电-声或电--电倍频和混频器。

  • 电致伸缩系数

    电致伸缩系数  electrostriction coefficient  表征电介质材料电致伸缩效应的物理参量。电介质在电场作用下,发生与电场强度平方成比例的应变现象,统称为电致伸缩效应。与逆压电效应不同之处在于,后者所产生的形变与外加电场成线性关系,而且当电场反向时,形变也改变符号,只有无对称中心的晶体才具有逆压电效应。而电致伸缩效应存在于所有的电介质中,不论是晶体还是非晶体物质,不论是中心对称的还是极性晶体,都具有电致伸缩效应。一般电致伸缩效应很微弱,但对于某些高介电常数的铁电材料,当刚高出居里温度时,却具有相当大的电致伸缩效应,其应变数量级甚至大于压电效应,这种材料称为电致伸缩材料。

  • 电子材料

    电子材料  electronic materials  用于电子信息产业中半导体器件、集成电路、光电子器件和新型元器件生产制造,具有特定要求的材料为电子信息材料。是发展电子信息产业的基础和先导。主要包括半导体材料、光电子材料、印制电路用基材(覆铜板等材料)、电子陶瓷材料、磁性材料、压电晶体材料、电子焊接材料、真空电子与专用金属材料、电子精细化工等材料。特点是技术要求严格、资金投入大、制造难度大、品种多、用量相对少、发展更新换代快、材料的增值高等。

  • 电子导电陶瓷

    电子导电陶瓷  conductive ceramics by electron  由自由电子(或空穴)在电场作用下做定向运动而产生高电导率的陶瓷。传统的陶瓷材料,虽然是不导电的绝缘体,但通过掺杂、加热或其他激发方法,外层价电子获得足够能量,摆脱原子核对它的束缚和控制,成为自由电子(或空穴)即可参与导电。导电性能不仅与自由电子激发的难易有关,而且也与晶粒表面及界面特性、晶粒大小、形状和取向有关。电子导电陶瓷的高温稳定性好、抗氧化能力强、电导率高,可用作氧化气氛中的高温发热体、高温燃料电池(HTFC)的阴极、磁流体发电(MHD)通道用的电极材料等。构成电子导电的主要氧化物有掺杂的ZrO2ThO2LaCrO3等。掺杂ZrO2(CeO2掺杂)ThO2最高使用温度分别为2000℃2500℃,但室温电导率较低,800℃以上电阻率下降,所以作为发热体使用,应先用其他热源进行预热。LaCrO3陶瓷是一种新型电子导电材料,高温下Cr3+的挥发限制了它的应用,Sr2+等掺杂可改善挥发性和提高电导率。ZrCrO3组成的层叠型复合材料可作为磁流体发电通道用的电极材料。属于电子导电的陶瓷还有LaNiO3LaMnO3CoCrO4LaCoO3InO/SnO2,SiCMoSi2等。

  • 电子给体

    电子给体  electron donor  提供电子的一方叫作电子给体,具有良好的空穴传输性能,是很好的p型材料。

  • 电子化合物

    电子化合物  electron compound  专指一些其结构的形成及其稳定性主要取决于电子浓度因素的金属间化合物。参见Hume-Rothery定律。

  • 电子交换树脂

    电子交换树脂  见氧化还原型交换树脂(839)

  • 电子空穴复合

    电子空穴复合  recombination of electron and hole  半导体中能够产生非平衡载流子(电子和空穴)的外界因素撤除以后,导带中的电子将逐渐落回价带的空穴中去的过程。这是一个趋向热平衡的统计性弛豫过程。实际上在热平衡的半导体中所维持的一般也是载流子不断由热激发产生并复合的动平衡。复合过程分直接与间接两种。直接复合为电子直接跃迁到价带的某一空穴。间接复合则先在某一中间态暂时停留[例如一些具有较深束缚能级(多半处于禁带中央附近)的杂质或缺陷中心,特称为复合中心],借助于复合中心的复合就称为间接复合。也可能先构成一个激子,然后激子湮没而完成复合。从能量与动量传递方式来看,以下三种具体过程是重要的:辐射跃迁,即是复合中剩余的能量以光子发射的形式释放。若为间接能隙半导体则还需要声子参与以保持动量守恒。声子跃迁,即剩余能量以声子形式放出。一般释放能量比单个声子大,故需要多个声子参与。相对于辐射跃迁而言,或可称为热跃迁。俄歇(Auger) 过程,即是电子,空穴复合还要通过与附近第三个粒子的相互作用,把剩余的能量和动量交给第三者。这是一种三粒子过程,是另一种无辐射复合。

  • 电子凝聚

    电子凝聚  electron condensation  对超导体处于超导状态下电子行为的一种描述,主要是指库珀电子对的凝聚态。参见库珀电子对(Coóper electron pair)BCS理论。

  • 电子-声子相互作用

    电子-声子相互作用  electron-phonon interaction  描述的是固体中晶格热运动与电子运动行为的关联。在有限温度下,晶体中的原子总是在其平衡格点位置附近进行着往复的热振动运动。晶格振动对晶体中的周期性势场产生微扰,该微扰进而影响了附近电子的运动行为。固体的许多物理性质与电子-声子相互作用密切相关,例如电导、热导和超导性质等等。电子-声子散射是固体电阻存在的主要原因。电子-声子耦合系数决定着电子与晶格之间的热弛豫速率,与材料热导率关系密切。第类超导体的超导机理就是由于材料在极低温度下电子-声子的耦合效应形成库珀电子对,超导现象归因于库珀电子对凝聚态的形成。

  • 电子束固化

    电子束固化  electron beam curing  指利用高能电子束引发树脂体系发生交联反应来制造高交联密度热固性树脂基复合材料的方法,是辐射固化的一种。该技术利用高能电子或产生电子的X射线引发固化反应,具有以下优点:固化速度快,比热固化的速度快10~1000;尺度精度高,不需要加热,可以避免由于模具受热变形或复合材料与模具热膨胀不匹配产生的热应力导致的制品翘曲;能耗低;环境温度下不受阳光和紫外线照射时储存期长;模具成本低,不需要耐高温。但电子束固化的复合材料,常出现纤维与树脂间界面黏结不好的问题,造成复合材料横向及剪切性能等偏低。

  • 电子束炉

    电子束炉  electron beam furnace  又称电子轰击炉,是利用真空室内阴极电子枪发射的高能电子束轰击阳极固体金属材料,使之熔化的熔炼设备。整个密闭炉体由真空系统、熔炼系统和电子发射系统组成。电子枪用金属钨或钽制作。热电子在电场中被加速和通过多个电子透镜聚焦后射向被加热金属,使金属熔化,熔融金属在真空下滴入水冷铜结晶器。熔炼结束后铸锭自下方抽出。可以生产圆锭、方锭或中空锭。电子束熔炼在高真空下进行,加热温度高,熔炼金属能充分脱气且不与耐火材料接触,铸锭组织均匀。主要用于熔炼超纯金属和合金,特别是高温合金以及难熔金属和活泼金属,如钨、钼、铌、钽、铪、铍、钛、锆等。

  • 电子隧道效应

    电子隧道效应  tunneling effect of electron  能量低于所面对势垒的电子贯穿通过该势垒的量子效应。这种效应是物质波动性的直接结果。电子隧道效应在固体中的表现除局域态间的跳跃电导外,还有半导体和超导体的若干特性。如重掺杂PN。材料构成的二极管其I-V( 电流-电压)特性与一般PN结差异很大;电流先上升到一个极大,然后下降,是电子隧穿该结的结果。再次上升则是普通二极管的特性。在此隧穿过程中势垒厚度决定于禁带宽度,而隧穿特性有赖于准费米能级的位置,后者为掺杂所决定。涉及超导体的隧道效应分为准粒子隧穿和库珀对隧穿两类。后者产生特异的约瑟夫森效应。前者能对于电子对凝聚态和准粒子产生的图像给出一个明晰的验证,并且还提供了测量超导能隙Δ的一个简单精确方法。当超导-正常材料接触时,超导材料的电子对凝聚能级与正常材料的费米能级一致,在零偏压下无隧穿电流。超导-超导准粒子隧穿现象是Giaever1950年的重大发现,此过程包括电子对分解为准粒子及准粒子穿越两个部分。

  • 电子陶瓷

    电子陶瓷  electronic ceramics  见功能陶瓷(252)