单模光纤　 single mode optical filler;monomode fiber　 只能传输一个电磁模式(LP01)的光纤。从电磁理论来考察光纤的传输,可分为单模光纤和多模光纤,多模光纤中传输的电磁模式很多,而单模光纤则只传输一个电磁模式(LP01模),因此,单模光纤不存在模间的群时延。单模光纤的色散只有材料色散和波导色散,可以设计波导结构让波导色散与材料色散正好互相抵消成零色散光纤,单模光纤的色散远小于多模光纤,所以单模光纤传输的信息容量远大于多模光纤。另一方面,单模光纤波导结构简单(阶跃型折射率剖面),制备工艺简单。

单色光LED　 monochromatic light LED　 LED是一种在一定正向偏压下工作的自发辐射的二极管器件。在电激发下,n型半导体的电子向p型区注入,而p型半导体的空穴向n型区注入,电子和空穴在有源区(p/n结处或者量子阱中)辐射复合释放出光子,光子从半导体逃逸到空气中实现发光。主要的光子能量即为p/n处或量子阱中的发光半导体材料的禁带宽度Eg。因此,对于某种材料的LED而言,其发出的光只有一个发光峰,通常半高宽约为30nm。人眼观测到的发光即为一种颜色,因此可称为单色光LED。

单色光光电转换效率　 IPCE;incident monochromatic photon to current conversion efficiency　 是指在入射单色光照射下由光子转化为电流的转换效率。

单体炸药　 参见单质炸药(97页)。

单向导电胶　 anisotropic conductive adhesive　 在加压方向具有导电性,而在垂直于压力方向不导电的一类胶黏剂。

单芯线　 monofilamentary wire 　 只含有1根超导芯丝超导线材。

单一源前驱体　 single source precursors　 是指在同一个前驱体的分子中含有要生长的薄膜材料中所需的各种元素成分。以Ⅲ A 族氮化物(MN)单一源前驱体为例,即在同一个前驱体分子内可以同时提供金属(M)原子和氮(N)原子。因为单一源前驱体往往分子量过高导致挥发差,较难控制薄膜中各种元素的组分比例,因此在工业界实际应用并不广泛。

单质起爆药　 single compound primary explosive　 由单一化合物构成的起爆药,是火工药剂的核心含能材料和理论研究的基础。分子结构中含有亚稳态的爆炸性基团。如N—N、—NN—、、—O—Mg—O—、—O—O—等。根据化学结构或爆炸基团主要分为:叠氮化物及其盐、多硝基酚类金属盐、四唑化合物及其盐、多氮配位化合物、呋喃化合物盐、雷酸盐、乙炔盐等等。常用的单质起爆药的品种有:叠氮化铅及其改性品种、三硝基间苯二酚铅及其改性品种、二硝基间苯二酚铅、四氮烯、二硝基苯并氧化呋喃钾、苦味酸钾、高氯酸·[四氨·双(5-硝基四唑)]合钴(Ⅲ)、二硝基重氮酚等等。它们是现役各类火工品的起爆点火的第一级装药,也是各种混合类火工药剂的特征感度和猛度调节的重要含能组分。

单轴取向　 uniaxial orientation　 在单向外场作用下高分子的取向单元沿外场方向平行排列的过程。

蛋白质芯片　 protein chip　 是一种高通量的蛋白功能分析技术,可用于蛋白质表达谱分析,研究蛋白质与蛋白质的相互作用,甚至DNA-蛋白质、RNA-蛋白质的相互作用,筛选药物作用的蛋白靶点等。其原理是对固相载体进行特殊的化学处理,再将已知的蛋白分子产物固定其上(如酶、抗原、抗体、受体、配体、细胞因子等),根据这些生物分子的特性,捕获能与之特异性结合的待测蛋白(存在于血清、血浆、淋巴、间质液、尿液、渗出液、细胞溶解液、分泌液等),经洗涤、纯化,再进行确认和生化分析;它为获得重要生命信息提供有力的技术支持。

氮化硅结合碳化硅砖　 silicon nitride bonded silicon carbide brick　 在SiC骨料中加入工业Si粉,Si粉与N2在高温下反应生成Si3N4,使得SiC颗粒相互结合制成的碳化硅砖。具有抗蠕变性、导热好和耐磨性强的特点。主要用作高炉及有色冶炼炉内衬、窑具。

氮化硅砖　 silicon nitride brick　 以Si3N4为主要成分的特种耐火材料。常用硅粉氮化后烧结或热压制备。其热稳定性好;耐氧化温度1400℃左右,在还原气氛中可达1800℃以上。

氮化镓　 gallium nitride　 重要的Ⅲ-Ⅴ族宽禁带化合物半导体材料。室温时能隙3.39eV,为直接跃迁型,晶格常数a=0.3189nm,c=0.5185nm,六方晶系。目前直接制备体单晶比较困难,主要采用MOCVD或MBE技术在Al2O3、SiC、MgO、ZnO等衬底上外延生长GaN单晶薄膜。在高亮度蓝色、绿色发光二极管和激光器以及大功率和高温器件方面有着重要应用。

氮化硼陶瓷　 boron nitride ceramics　 以氮化硼(BN)为主要成分的陶瓷材料。氮化硼的密度为2.27g/cm3,在氮和氩中的熔点为3100~3300℃,莫氏硬度为2。具有四种变体:六方氮化硼(h-BN)、菱方氮化硼(r-BN)、立方氮化硼(c-BN)和密排六方氮化硼/纤锌矿氮化硼(w-BN)。h-BN晶体结构类似石墨,俗称“白石墨”,质软、耐高温、低膨胀、高热导、抗热震、抗化学腐蚀和熔融金属盐腐蚀、介电透波性能优良,常用于高温坩埚、熔融金属分离环和润滑剂、介电天线窗盖板和天线罩的制造等;r-BN属于三方晶系,与h-BN结构相似,是制造高温、大功率、高速半导体器件的理想材料;密排六方氮化硼具有纤锌矿结构,与六方金刚石相似,是制造新型陶瓷刀具和砂轮的优良材料;c-BN为人造超硬材料,硬度略低于金刚石,多用于切削刀具。

氮化钛膜　 titanium nitride film　 由钛氮化合物组成的薄膜。氮化钛属于间隙化合物,具有美丽的金黄色光泽,化学稳定性好,熔点高达3000℃,维氏显微硬度为20GPa左右。从相图上看,氮化钛以面心立方的δ-TiN和体心四方的ε-Ti2N两种相存在。ε-Ti2N的Ti/N比变化范围很窄,而δ-TiN的N/Ti比的变化范围则很宽。当N/Ti偏离1时,δ-TiN中存在原子空位。这两种相的颜色和硬度相近。常使用的氮化钛镀层中是δ-TiN和ε-Ti2N两相共存,其组成比可以通过工艺调节。以TiCl4为原料,用化学气相沉积在硬质合金基体上制备出氮化钛膜,其反应温度在900~1100℃。由于氮化钛膜的硬度高、红硬性好,并兼有良好的韧性,耐磨性好,能成倍提高硬质合金刀具的寿命,使硬质合金刀具涂覆率很快达到70%以上。用离子镀制氮化钛膜,沉积温度低于550℃,可镀在高速钢上,使高速钢刀具的涂覆率达到50%以上。除耐磨涂层外,氮化钛膜还大量用作表壳、表带和其他日用品的仿金镀层,其耐磨性远超过镀金层和其他仿金合金镀层。此外,氮化钛膜还可用作耐腐蚀镀层、微电子器件的扩散障碍层、光学反射层等。在工业生产中硬质合金刀具上的氮化钛镀层仍用化学气相沉积方法生产,而在高速钢刀具上则有离子镀、阴极电弧、磁控溅射等多种工艺方法。