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  • 白云石

    白云石  dolomite   岛状结构碳酸盐矿物。化学式为CaMg[CO3]2,常有铁、锰、钴、锌等代替镁,钠代替钙,形成铁白云石、锰白云石、钴白云石、锌白云石等变种。三方晶系,空间群-R。晶体结构与方解石相似,以钙、镁沿三次轴交替排列,对称程度降低而异。晶体呈菱面体状,晶面弯曲呈马鞍形;(100)(101)(110)(021)形成双晶。纯者白色,含铁者染成灰色,风化后呈褐色。玻璃光泽。解理{101 }完全,解理面呈弯曲状。莫氏硬度3.5~4,密度2.85g/cm3。与冷盐酸作用缓慢,在热盐酸中作用加剧。是自然界分布较广泛的矿物之一。主要产于海盆地、泻湖盆地沉积物里,是白云岩主要造岩矿物,与方解石、石盐、石膏等矿物共生;也出现于一些钨铋、铜铁矿床中的热液脉里,与方解石、石英、黑钨矿、黄铜矿等共生。白云质石灰岩经变质形成白云石大理岩。白云石分解转变成方镁石和水镁石。广泛用于陶瓷、玻璃、建筑、冶金、化工等领域,是提取镁和制取碱性耐火材料、用作熔剂的矿物原料。

  • 白云石大理岩

    白云石大理岩  dolomite marble  一种由较纯的碳酸盐原岩经变质重结晶作用形成的区域变质岩。碳酸盐矿物含量>50%,其他矿物有白云母、斜长石、磁铁矿和石墨等。粒状变晶结构,块状构造,有时可见从原岩层理承袭而来的条带状构造。用途和性质见大理岩(92)

  • 斑岩

    斑岩  porphyry  以钾长石、副()长石或石英为斑晶的喷出岩、浅成岩的总称。与斑岩有成因关系的金属矿产有金、铜、钼、钨、铁等;非金属矿产有高岭土、膨润土、沸石等;致密坚硬者可用作建筑装饰材料。

  • 斑状结构

    斑状结构  porphyritic texture  岩石中由两种截然不同的矿物颗粒组成的结构。大颗粒者呈斑晶,小颗粒者为基质。一般把基质为隐晶质或玻璃质的结构称为斑状结构。若斑晶含量超过基质,称为多斑结构。斑晶明显少于基质则称少斑结构。浅成岩和喷出岩中常见这种结构。

  • PCB板

     PCB  见印刷电路板(864)

  • 板钛矿结构

    板钛矿结构  brookite structure  TiO2晶体的一种同质多晶体,正交晶系,是由二氧化钛组成的三种矿物之一。由相互连接的TiO6八面体组成,八面体上有3个共用边,单位晶胞由8TiO2分子组成。板钛矿TiO26种不同的TiO,键长范围为0.187~0.204nm。板钛矿结构中Ti4+可被Fe3+Nb5+Ta5+等代替。

  • 板岩

    板岩   slate  一种具板状构造的浅变质岩石。原岩是黏土岩、粉砂岩或中酸性凝灰岩。原岩经脱水硬度有所提高,但矿物只有极微弱重结晶。岩石具变余结构、变余构造。矿物颗粒很细,多呈隐晶质。发育完好的平面状面理,即板状劈开,面理常与层理不一致,是由细小的绿泥石、云母等层片状矿物平行排列而成的。根据颜色及杂质成分,可进一步划分为黑色炭质板岩、灰绿色钙质板岩等。在低级热接触变质作用中形成的具斑点或瘤状构造和板状构造的岩石,称为斑点板岩或瘤状板岩。因具有板状构造,可沿板理面剥离成板状材料,用于屋面和墙体以及铺路等。

  • 板状刚玉

    板状刚玉  tabular corundum  用氧化铝粉制球后在竖炉中加温得到的烧结刚玉。α-Al2O3板片状晶体结构,气孔小且闭气孔较多,纯度高,体积稳定性好。常用于制作滑板、透气砖以及刚玉质浇注料等。

  • 板状燃料元件

    板状燃料元件  plate type fuel element  由多块燃料板与少数构件组成的独立燃料单元。有平板型、弧板型和渐开线型三种。

  • 半苯胺革

    半苯胺革  semi-aniline leather   涂饰底层使用遮盖性颜料膏着色、中层和顶层使用染料着色而得到的具有部分透明涂层、模仿苯胺革的皮革。

  • 半导体导电性

    半导体导电性  semiconductivity   在外电场E的作用下。半导体材料中电子和空穴两种载流子向相反的方向运动,引起宏观电流的性质。它与电流密度J之间的关系是E=ρJ,比例系数ρ为半导体的电阻率,是衡量半导体导电性的一个物理量,其倒数σ=称为半导体的电导率。在外场E作用下,由于电子漂移所产生的电流密度Jn=enμnE,其中,e为电子电量;n为电子浓度;μn为电子迁移率。由于空穴漂移产生的电流密度为Jp=epμp,p为空穴浓度;μp为空穴迁移率。总的电流密度为J=Jp+Jn,非本征半导体只有一种载流子占主导地位,两种载流子浓度可能相差几个量级,所以,N型半导体,以电子导电为主,P型半导体,以空穴导电为主,测量半导体电阻率的常规方法为四探针法。

  • 半导体非线性光学材料

    半导体非线性光学材料  nonlinear optical materials of semiconductor  具有明显的光学非线性特征的半导体材料。当入射光子能量近于材料的带隙时,非线性效应很大。半导体材料非线性产生的主要机理为:在入射光能量刚好低于带隙时,激子共振饱和,自由载流子等离子体导致的磁化率变化及光生载流子的带填充效应。在GaAsInSbInAsⅢ-Ⅴ族材料中,HgCdTeZnSZnSeCdSⅣ-Ⅵ族材料中,都观察到了光非线性效应。隨着分子束外延(MBE)、金属有机源气相外延(MOVPE)等薄膜生长技术的成熟,已能生长出具有量子尺寸的薄膜,即所谓量子阱材料,这使半导体非线性材料出现了一个飞跃发展。因为量子阱材料比体材料有更大的光学非线性系数,即使在室温下亦可观察到非常明显的光学非线性效应。这种材料已制成了具有实用价值的光学器件,促进了光计算等光信息处理研究的发展。

  • 臭氧老化

    臭氧老化  ozone aging  材料(主要指橡胶及其制品)在模拟、强化大气臭氧条件作用下产生的各种变化。臭氧是化学活性极高的物质,较分子氧更容易与含双键的聚合物发生反应。不饱和聚合物在应力作用下,遇臭氧易被氧化,产生与应力方向相垂直的裂纹,即臭氧龟裂。它是不饱和橡胶及其制品在室外使用产生的一种最常见、最严重的老化现象。臭氧老化是将试样暴露于密闭无光照的含有恒定臭氧浓度的空气和恒温的试验箱中,按预定时间对试样进行检测,从试样表面发生的龟裂或其他性能的变化程度,评定试样的耐臭氧老化性能。通常利用臭氧加速橡胶材料的老化和应力开裂,来表征橡胶材料的耐老化性能。橡胶材料测量时,通常给予一定的拉伸形变以加速老化。根据ASTMD1149-1999ASTMD1171-1999,给予橡胶样条0~20%的拉伸,并置于压力为25~200mPa的臭氧箱中1~24h,通过观察橡胶表面出现裂纹的时间和裂纹的数目,来评价橡胶材料的耐老化性能。臭氧老化是快速评定橡胶耐老化性能的重要手段之一,对研究橡胶的防老化体系,提高制品的使用寿命有较大的指导意义。

  • 初级炸药

    初级炸药  参见起爆药(591)

  • 初始强度

    初始强度  green strength  在胶黏剂完全固化产生最大粘接强度之前,使两个被粘物叠合在一起时的粘接强度。