晾置时间　 open assemble time　 表面涂胶后至叠合前试件所能达到的拉伸胶接强度0.17MPa的时间间隔。

　裂变核燃料　 fission fuel　 含有易裂变核素、在反应堆内能实现自持核裂变链式反应的材料。主要有铀 235、钚 239和铀 233。

　裂纹釉　 crackle glaze　 又称碎纹釉、纹片釉。瓷器釉面布满许多小裂纹,有疏有密,有粗有细,有长有短,有曲有直,形似龟裂、蟹爪或冰裂的纹路,称为裂纹釉。有两种制备方法:①在制品釉层上再覆盖一层高膨胀系的色釉,重复焙烧,冷却时因收缩不一致而形成外层釉裂,由裂纹显底釉颜色,即夹层型裂纹釉;②直接在坯体上施加一层膨胀系数大于坯体的釉,利用釉面产生张应力而直接产生釉裂,再用金属溶液或墨汁浸渍制品使裂纹染色,从而获得布满彩色纹路网络的釉面,即镶嵌型裂纹釉。釉裂纹本是制瓷工艺中的一种缺陷,但利用此来装饰瓷器。哥窑即以此特点而著称。纹路交错成许多细眼状的,称鱼子纹;纹路繁密,较为细碎的,称百圾碎。主要用于艺术陶瓷、建筑陶瓷的装饰。

　临界电流　 critical current　 在一定的温度和磁场下,超导体内可以存在的最大电流密度,当超过此值时,超导体将转变成正常导体。据BCS理论,超导体内通过电子-声子-电子间的相互作用,动量及自旋相反的电子相互间形成束缚态,结合成库珀对。当超导体内电流密度超过其临界值时,库珀对从外场获得的动能将超过其束缚能,此时库珀对不再稳定而被拆散成两个正常电子,于是超导体转变为正常导体。

　临界分子量　 见临界相对分子质量(481页)。

　临界现象　 critical phenomena　 临界点附近物质呈现的特殊的性质。临界点附近的物理现象有一系列特点。从热力学的观点看,液气共存对应于液相和气相的化学势相等,两相的比容(密度的倒数)不等是指在相变时两相的化学势对压力的一阶导数不等;临界点便是两相的化学势对压力的一阶导数也相等的点。在关于相变的热力学理论中,把相变时化学势的一阶导数不连续的相变称一级相变,一阶导数连续的称二级相变,或连续相变。所以临界现象也就是指在连续相变点邻近的现象。固体中有许多连续相变现象,如在居里点的铁磁-顺磁相变、在奈耳点的反铁磁-顺磁相变、在居里点的铁电-顺电相变、没有外磁场时的正常-超导相变等。多数有序无序转变为连续的、协力型的二级相变,没有潜热效应。也有少部分有序-无序转变为一级相变,是不连续的,有潜热效应。连续相变往往是体系的对称性的改变,如位移型结构相变中是点阵的空间群的改变;磁相变是晶体磁群的改变;超导相变是规范对称性的改变。通常,可以定义一个或几个序参量来描述连续相变。它(或它们)在一个相(通常是对称性高的相)为零,在另一个相(通常是对称性低的相)不为零,而在相变点为零;相变时序参量连续变化。在气-液临界点的相变中,序参量可选为两相密度的差或比容的差;在铁磁-顺磁相变中可选固体的磁化强度等等。

　临界相对分子质量　 critical relative molecular mass; critical molecular weight　 又称临界分子量。高分子链之间出现缠结的最小分子量,也是高聚物固体模量-温度曲线上出现高弹平台所需的最小分子量。

　磷钒酸钇:铕(Ⅲ)　 yttrium phospho-vandadate activated by europium 　 Y(PV)O4:Eu3+,磷物质的量数大于钒物质的量,相反时称钒磷酸钇:铕(Ⅲ),白色粉末,相对密度4.27,立方晶系。它是253.7nm和365nm紫外线激发下均有效的发光材料,荧光色为红色,色坐标x=0.663、y=0.331,激发光的反射率是0.040,粉的量子效率为88%,单色日光灯的流明效率约42.6lm/W。合成方法:按摩尔比将Y2O3、Eu2O3、NH4VO3、Na2CO3、(NH4)2HPO4和HBO3混合均匀,先在1000℃预烧1h,粉碎混匀,在1200℃空气中灼烧2h,粉碎后用NaOH溶液浸泡除去过量的钒,过滤、洗涤、烘干、过筛即得荧光粉。典型组成式:(Y0.95Eu0.03Na0.02)(P0.35V0.647B0.003)O4。由于最高工作温度可达400℃,故称为高压汞灯中主要采用的发光材料,相似荧光粉:Gd(P0.5V0.5)O4:Eu3+。

　磷化　 phosphorizing　 使钢铁工件表面获得一层不溶于水的磷酸盐薄膜的表面处理工艺。磷酸盐膜主要是磷酸锌膜、磷酸锰膜或磷酸铁膜,厚度可达5~15μm,被处理部件尺寸基本无变化。磷化膜具有电绝缘性,与基体结合牢固,多孔,经涂油、涂石蜡或涂漆的磷化膜有很高的耐腐蚀性,但硬度低而脆、耐磨性不高,故磷化层适于作为涂料的底层。按处理温度可分为冷磷化(室温)、中温磷化(50~70℃)和高温磷化(90~98℃)。磷化剂的主要成分为磷酸锰铁盐或磷酸二氢锌的水溶液,并含有催化剂硝酸锌。冷磷化剂中硝酸锌含量高,处理时间为30~45min;中温磷化剂中硝酸锌含量较低,处理时间为7~15min;高温磷化剂中硝酸锌含量更低,处理时间为10~20min。中温磷化酸度稳定,处理时间短,磷化膜质量好,较多采用。

　磷化镓外延片　 GaP epitaxial wafer　 在GaP单晶衬底上用LPE或VPE生长的GaP单晶薄层材料(一般结构为p-n结)。用于红、绿色LED生产的外延片主要用LPE工艺。红色LED片(峰值波长0.7μm)的基本结构为p-GaP(Zn,O)/n-GaP(Te)/n-GaP衬底。绿色LED材料有两种:黄绿色材料(峰值波长0.565μm),p-GaP(Zn)/n-GaP(N,S或Si)n-GaP衬底;纯绿色材料(峰值波长0.555μm),p-GaP(Zn)/n-GaP(S或Si)/n-GaP衬底。GaP黄色外延片则采用VPE+扩散工艺制备,外延片结构为p-GaP(Zn)/n-GaP(N,S)/n -GaP衬底,该工艺也可生长黄绿色外延片。高质量GaP外延片要求外延层中空位少,防止Cu等重金属杂质沾污,减少p-n结界面上缺陷,如位错、沉积、蝶形坑等。

　磷灰石　 apatite　 具有附加阴离子的简单岛状结构磷酸盐矿物。化学式为(Ca2,Ca3)[PO4]3(OH,F)。OH和F呈完全类质同象置换;当OH>F时,称羟磷灰石;当F>OH时,称氟磷灰石。常含有Mn、Fe、Y、Na、K、Ba等混入物。六方晶系,空间群-P63/m。晶体呈六方短柱状或厚板状,集合体呈粒状、致密块状或结核状。纯者无色、白色,常染成浅绿、黄绿、褐红等色。沉积岩中形成者,含有机质染成深灰或黑色。玻璃光泽,断口油脂光泽。解理{0001}不完全至中等,{1010}不完全。莫氏硬度5,密度3.18~3.21g/cm3。加热发磷光。在内生、外生和变质条件下都能形成,内生成因者多呈副矿物产出,有时在基性和碱性岩中可大量富集;外生成因者由生物和生物化学沉积而成,呈隐晶质块体或结核状者称胶磷石,与黏土矿物、石英、绢云母等共生。变质岩系中的磷灰石是沉积磷矿经区域变质而成的。是提取磷、制造磷肥的重要矿物原料;氟磷灰石晶体可作为激光材料。

　磷锂铝石　 amblygonite　 具附加阴离子的架状结构磷酸盐矿物。化学式为Li{Al[PO4](OH,F)},F和OH可成完全类质同象替代,形成氟磷锂铝石Li{Al[PO4]F}和羟磷锂铝石Li{Al[PO4]OH}两个亚种。三斜晶系,空间群-P1。晶体细小,呈短柱状;依{111}聚片双晶发育;常呈致密块状集合体。微带黄的灰白色。玻璃光泽。解理{100}和{110}完全。莫氏硬度5.5~6,密度2.92~3.15g/cm3。产于富铝伟晶岩中,与锂辉石、锂蓝铁矿、锂云母、彩色电气石、铯榴石、微斜长石等共生。是提取锂的重要矿物原料之一。

　磷砷化铟　 indium arsenide phosphide　 重要的Ⅲ-Ⅴ族三元固溶体材料,是一种性能较好的霍耳元件材料和光电材料。适当选择x值可使它兼有带隙较大和电子迁移率较高的特性,适于制备灵敏度高、霍耳电压温度系数小的霍耳元件,用于高能加速器、质谱仪等的测试探头。该固溶体的带隙对应于近红外区,可用于制作高效光阴极,还可用于制备根式振荡器等。用LEC法可生长出0<x<0.9的单相多晶锭,所用原料为InP、InAs多晶。LEC锭的剩余载流子浓度n≈(1~5)×1016cm-3,电子迁移率随x增大而下降。

　磷铈镧矿　 参见独居石(146页)。

　磷酸二氢钾晶体　 potassium dihydrogen phosphate crystal　 化学式为KH2PO4,简称KDP,属四方晶系。空间群d-I42d,晶格常数a=b=7.445Å,c=6.977Å,无色透明,密度2.34g/cm3,熔点257.6℃,非线性系数d36=0.63×10-12m/V,对0.6943μm激光倍频相位匹配角θm=50.4°±1°。易溶于水。用水溶液降温法可得到透明完整的大单晶。缺点有:①生长鬼影(这是指用X射线形貌术观察KDP晶体各锥面连接处显示的衬比以及在X射线形貌照相中生长位置的轨迹,它反映的是KDP晶体中锥面之间的不均匀性);②生长鬼线(是指X射线形貌相中的扇形界);③生长锥的散射;④寄生鬼影;⑤生长带以及高位错密度等。因此要生长出优质的KDP晶体,必须要对原料中的杂质、生长速率进行控制。KDP主要用于激光调制和倍频,同时,是一种应用广泛的非线性光学晶体。