胆矾　 chalcanthite　 含水的岛状结构硫酸盐矿物。化学式为Cu(H2O)5[SO4]。三斜晶系,空间群-P。晶体呈板状或短柱状;集合体呈粒状、致密块状、钟乳状或皮壳状。天蓝色或蓝色。条痕白色。透明至半透明。玻璃光泽。解理{10}不完全。贝壳状断口。莫氏硬度2.5,性脆,密度2.1~2.3g/cm3。味苦而涩,易溶于水。在常温下失去一部分水,转变成粉末状一水硫酸铜Cu(H2O)[SO4]。主要产于干燥地区铜矿床氧化带,系含铜硫化物分解的次生矿物。用作杀虫剂及化工矿物原料。

蛋白土　 opal rock　 参见蛋白岩。

蛋壳瓷　 见薄胎瓷(36页)。

氮丙啶键合剂　 aziridine bonding agent　 一类重要的键合剂品种,是一种含有氮丙啶环的多官能团化合物。氮丙啶键合剂可以在高氯酸铵表面开环自聚并形成高模量的抗撕裂层。不仅能提高固体推进剂的力学性能,而且能改善推进剂药浆的工艺性能。大部分的氮丙啶类键合剂在室温下不稳定,需要在低温下储存。常见氮丙啶键合剂品种有MAPO、HX-868、HX-752、MT-4。主要用于以高氯酸铵氧化剂为主要组分的HTPB推进剂中,其中以MAPO应用最广。

氮化铬膜　 chromium nitride film　 铬氮化合物的薄膜。在Cr-N系中存在六方结构的Cr2N和B1-NaCl 结构的CrN两相。氮化铬膜具有高硬度和良好的耐磨性,是一种很受重视的耐磨涂层。用空心阴极离子镀制备的氮化铬膜具有Cr+Cr2N两相组织,晶粒度为20~70nm,硬度为HV22GPa。 经真空退火后,能提高到HV35.4GPa,其耐磨性优于CrC膜。反应溅射法制备的氮化铬膜能得到Cr+Cr2N或单相CrN两种组织。其硬度均在HV20~25GPa(块体CrN硬度为HV11GPa)。

氮化硅　 silicon nitride　 化学式Si3N4。白色粉状晶体;熔点1900℃,密度3.44g/cm3(20℃);存在有3种结晶结构,分别称为α型、β型和γ型。α和β两相是Si3N4最常出现的结构,且可以在常压下制备。其中α型为六方密堆积结构;β型为似晶石结构。γ相只有在高压及高温下,才能合成得到,它的硬度可达到35GPa。氮化硅有杂质或过量硅时呈灰色。氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质,本身具有润滑性,并且耐磨损,为原子晶体;高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击,在空气中加热到1000℃以上,急剧冷却再急剧加热,也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性,人们常常利用它来制造轴承、汽轮机叶片、机械密封环、永久性模具等机械构件。如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面,不仅可以提高柴油机质量,节省燃料,而且能够提高热效率。中国及美国、日本等国家都已研制出了这种柴油机。

氮化铝膜　 aluminium nitride film　 用气相沉积、液相沉积、表面转化或其他表面技术制备的氮化铝覆盖层。氮化铝(A1N)是A1-N二元系中唯一稳定的相,它具有共价键,六方纤锌矿结构,在常压下不能熔化,而是在2500K分解。它的直接能带间隙高达6.2eV,也可以通过掺杂成为宽带隙半导体材料。氮化铝的电阻率高(1012Ω·cm),热膨胀系数低,硬度高,化学稳定性好。但与一般绝缘体不同,它的热导率也很高[3.2W/(cm·K)]。氮化铝在整个可见光和红外频段都具有很高的光学透射率,所以这些都使氮化铝膜在微电子和光电子器件、衬底材料、绝缘层材料、封装材料上有着十分广阔的应用前景。由于它的声表面波速度高,且有压电性,可用作声表面波器件。此外,氮化铝还具有良好的耐磨损和耐腐蚀性能,可用作防护膜。氮化铝膜最早用化学气相沉积(CVD)制备,其沉积温度高达1000℃以上。后来,通过采用等离子体增强化学气相沉积,或用物理气相沉积(PVD)方法,其沉积温度逐步降到500℃以下,甚至可以在接近室温条件下沉积。 大多数氮化铝膜为多晶,但已在蓝宝石基材上成功地外延生长制成单晶氮化铝膜。此外,也曾沉积出非晶氮化铝膜。

氮化铝陶瓷　 aluminum nitride ceramics　 以氮化铝(AlN)为主要成分的陶瓷材料。理论密度为3.27g/cm3,莫氏硬度为7~8,在101.325kPa下于2200~2250℃升华分解,其理论热导率值为319W/(m·K),多晶AIN陶瓷的热导率亦可达260W/(m·K)。其室温电阻率大于1016Ω·m,热膨胀系数为(4.0~6.0)×10-6℃-1。其高热导特性,热膨胀系数小、强度高、电绝缘性能好,使其成为理想的集成电路高导热基片材料,还被应用于制造高温结构件和换热器等,氮化铝具有不受铝液和其他熔融金属及砷化镓侵蚀的特性,是理想的坩埚材料,能耐2200℃的极热;AlN陶瓷颗粒还常用于金属基或陶瓷基复合材料的增强相。

氮化硼基复合制品　 boron nitride based composite product　 为改进 BN强度低、抗氧化性差、易潮解性能,可在氮化硼材料中加入某些氧化物、硼化物或氮化物制成复合耐火制品。

氮化物基透波复合材料　 nitride matrix wave-transparent composite　 又称氮化物基天线罩复合材料或氮化物基低介电复合材料。复合材料的一种,泛指以氮化物陶瓷为基体,并引入纤维、晶须、颗粒等增强相进行增强增韧的具有良好透波性能的复合材料。其基体材料主要包括氮化硅、氮化硼、氮化铝、硅硼氮、硅铝氧氮等具有较低介电常数的氮化物陶瓷材料,其增强相主要包括石英纤维、氮化物纤维、氮化硅颗粒及晶须、氮化硼纳米管等。典型的氮化物基透波复合材料包括SiO2f/BN、SiO2f/Si-B-N、SiO2f/Si3N4、BNf/BN、SiNOf/BN、BNp/SiAlON等。其制备方法根据材料体系的不同,可采用先驱体浸渍裂解法、热压烧结法、反应烧结法、无机盐溶液浸渍固化烧结法等;其中,先驱体浸渍裂解法适用于制备连续纤维织物增强的氮化物基透波复合材料,有利于实现材料和构件的一体化成形。与目前广泛使用的氧化物基透波复合材料相比,氮化物基透波复合材料具有更好的耐温性能、更高的力学性能以及更好的耐烧蚀性能,且同时具有良好的透波性能,可应用于未来新型高马赫地地导弹、地空导弹、空空导弹、高超音速巡航导弹、跨大气层空间作战飞行器等精确制导武器的天线罩或天线窗等防热/承载/透波一体化部件。

氮化物陶瓷　 nitride ceramics　 氮与金属或非金属元素以共价键相结合的难溶化合物为主要成分的陶瓷材料。具有优异高温力学、抗氧化、抗热震、耐化学腐蚀性能;其中一些还具有优良介电或导电、高导热特性,但烧结困难,一般采用优质粉末原料配以适量助烧剂,通过氮化反应、热压或热等静压等工艺制备,是重要高温工程结构材料或功能材料及复合陶瓷的重要组元。应用较广泛的有氮化硅(Si3N4)、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、塞隆(SiAlON)、氮化钛(TiN)、氮化碳(C3N4)等。

氮化铟　 indium nitride　 氮化铟是氮化物半导体材料的一种。常温常压下的稳定相是六方纤锌矿结构,是一种直接带隙半导体材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带,有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。

氮化铀　 uranium nitride　 铀与氮组成的二元化合物。浅灰色粉末,体心立方结构,熔点约2630℃,理论密度值为14.32g/cm3,具金属性,是热和电的良导体。是UO2的替代核燃料,可用于空间反应堆。

氮氧化硅铝:镱(Ⅱ)　 silicon aluminium oxynitride activated by ytterbium　 SiAlON:Yb2+,白色粉末,分为两类:α-SiAlON:Yb2+和β-SiAlON:Yb2+。α-SiAlON的组成为Mm/vSi12-(m+n)Alm+nOnN16-n(M=Li、Mg、Ca、Y和大部分镧系元素),以M=Ca(m=2,n=2)为例。激发谱主要包括以300nm,342nm和445nm为中心的三个宽带叠加而成,最大激发峰位于445nm。相应的发射谱带为以549nm为中心的对称宽带,半峰宽为80nm左右。α-SiAlON的合成方法:α-Si3N4、AlN、CaCO3、Yb2O3等固体粉末混合均匀后,在N2气压为0.5MPa下1700℃左右高温灼烧合成。β-SiAlON的组成为Si6-zAlzOzN8-z(0 < z≤4.2),以z=0.5为例。激发谱主要包括以260nm、305nm、355nm和480nm为中心的四个宽带叠加而成,最大激发峰位于305nm。相应的发射谱带为以540nm为中心的对称宽带,半峰宽为66nm左右。β-SiAlON的合成方法:Si3N4、AlN、Al2O3、Yb2O3等固体粉末混合均匀后,在N2气压为1.0MPa下1900℃左右高温灼烧合成。α-SiAlON:Yb2+和β-SiAlON:Yb2+的主要用途为LED用绿色荧光粉。

氮氧化硅陶瓷　 silicon oxynitride ceramics　 Si-N-O系统中唯一稳定的三元化合物,化学式为Si2N2O,结构与O'塞隆陶瓷相同。理论密度为2.77~2.87g/cm3,无熔点,高温直接分解。热膨胀系数2.4×10-6K-1,弯曲强度513 MPa,断裂韧性3.3 MPa·m1/2,硬度17 GPa,介电常数6.17,介电损耗0.0008。其弯曲强度和断裂韧性通常不如氮化硅陶瓷,但抗氧化、抗热震性和化学稳定性均优于氮化硅陶瓷。一般由氮化硅和氧化硅在烧结助剂的作用下原位反应制备,是一种重要的防热、介电透波陶瓷材料。