电子轰击炉　 见电子束炉(136页)。

电子浆料　 electronic paste　 在电子工业中用于制备导体、电阻、介质体等所用浆料的总称。按照功能电子浆料可分为:①导体浆料,主要有贵金属导体浆料如银浆料、银钯浆料、金浆料、铝浆料以及铜基等贱金属浆料;②电阻浆料,主要有钌系玻璃浆料等;③电介质浆料,如钛酸钡介质浆料等;④焊接浆料,如InBi焊接浆料等。电子浆料的制法一般是用有机载体把功能粉末和作黏结剂用的玻璃粉及其他固体粉末混合分散而形成膏状物质。电子浆料应用很广,导体浆料可用于薄膜开关与计算机键盘、钽电解电容器阴极引出、太阳电池、厚膜混合电路、多层陶瓷电容器、半导体芯片黏结等。电阻浆料可用于制造厚膜混合电路、电阻网络以及片状电阻器等。介质浆料可用于制造电容器、多层电路的绝缘层以及厚膜电路包封等。焊接浆料可用于再流焊技术中。

电子能量损失谱　 electron energy loss spectrum; EELS　 高能入射电子束中部分电子与试样发生非弹性交互作用损失部分能量,在入射电子束前进方向上的弹性与非弹性散射电子按能量大小展开而形成的谱图,简称EELS。EELS是一次过程,是直接的内壳层电子激发、原子电离的过程。X射线能谱EDS反映的是电离后的弛豫过程,是二次过程。故从理论上说EELS的测量效率应比EDS高。完整的EELS谱仪主要由三部分组成:①电子源;②含有磁棱镜的谱仪主体;③数据显示和处理系统。如图所示,零损失峰的形状是对称高斯分布,等离子损失峰的能量损失在0~50eV范围内,由此可以测定样品厚度、介电常数、推测样品中元素浓度变化,对二元合金的样品作定量分析。能量损失大于50eV为高能损失范围,电离损失峰是元素的唯一特征,包含成分信息。从图中5处的预电离精细结构,可得到元素的价态信息。在电离损失峰之后几百电子伏特范围内的微弱振荡区称为广延精细结构区域,可得到样品中近邻原子间距、数量及种类的信息,可用于非晶态径向分布函数的测定。利用电子能量损失谱可以区分和得到通过样品后的弹性散射和非弹性散射电子信号,再进行两信号的比值和差值运算,得到元素原子序数衬度像,又称Z-衬度像。20世纪80年代发展的平行电子能量损失谱仪有更高的探测器效率和能量分辨率。

电子平均自由程 　 mean free path of electrons　 固体中的电子(或空穴)会与杂质、缺陷或其他载流子发生碰撞,在相继两次碰撞之间通过的自由距离之平均值称平均自由程,表示为l, 相应经历的时间称平均自由时间,或弛豫时间τ。l=v0τ, v0是载流子的真实速度,与漂移速度不同。对v0的估计可引用Drude经典模型或Sommerfeld量子模型,或采用更细致的量子理论(如能带理论)。不同的模型所得到的v0的数量级不同,因此对l 值的估计需要具体的细致分析。平均自由程的估计并不直接,对于电子可由估计出发。晶体中电子运动的平均自由程远远大于晶体的晶格常数(大数十倍到数百倍)。晶体中整齐排列着的大量原子,它们并不散射电子,所以晶体电子的平均自由程就自然大于晶格常数了。实际上总是认为能带中的电子是不遭受散射的,即它们的平均自由程为∞。在实际的晶体中,往往存在一些杂质和缺陷。这些杂质和缺陷对于晶体电子的周期性势场来说,是一种额外的作用——附加势场,即是对周期性势场的一种破坏因素。这种破坏周期性势场的因素将使晶体电子——能带电子的状态发生改变,即遭受散射。因此,晶体电子的平均自由程大于晶格常数,但又不是无限大,因为它们总将要受到一些杂质和缺陷的散射作用。因此,杂质和缺陷越多,晶体电子的平均自由程就越小。

电子受体　 electron acceptor　 接受电子的一方叫作电子受体,具有良好的电子传输性能,是很好的n型材料。

电子束固化涂料　 EB curing coating　 又称EBC涂料。在高能量电子束照射下,可激发漆膜内某些分子中有些基团的活性而发生聚合反应,在极短时间内形成固体漆膜的涂料。其主要组成为带活性基团的不饱和聚合物、活性稀释剂、颜料、体质颜料。电子束固化涂料不需要光引发剂,也不受颜料和体质颜料的影响。所用的不饱和聚酯树脂和引入丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯的环氧树脂、醇酸树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯、有机硅及三聚氰胺树脂等多种,目前主要为不饱和聚酯树脂。电子束固化涂料特别适合于塑料、木材、纸张、布匹、皮革等不宜烘烤材料的涂装。

电子束加工　 electron beam machining　 利用高能量密度的电子束进行打孔、切槽等的加工方法。经加速和聚焦后的电子束能量密度极高(106~109W/cm2),当冲击到工件表面很小的面积上时,在很短时间内(几分之一微秒)就可使被冲击部分的工件材料达到几千摄氏度以上的高温,产生局部熔化和汽化,实现加工成型。电子束加工装置由电子枪、真空系统、控制系统和电源等部分组成。控制电子束能量密度的大小和能量注入时间,可达到不同的加工目的;如电子束热处理、电子束焊接、电子束打孔等。采用较低能量密度的电子束轰击高分子材料时发生的化学变化可进行电子束光刻加工。电子束加工用于在钢、陶瓷、玻璃等材料上加工圆孔、异形孔和切槽时,最小孔径或缝宽可达0.02~0.03mm。

电子束热处理　 electron beam heat treatment　 以高能量密度的电子束冲击金属表面,在极短的时间内加热到高温,然后进行自冷淬火的热处理工艺。电子束热处理包括电子束表面淬火和电子束表面合金化,电子束加热表面淬火可实现快速加热与冷却;电子束表面合金化采用电子束加热涂覆在工件表面的粉末状合金元素(纯金属或合金粉末)使其熔化并扩散入基体表面层,从而得到耐磨、耐腐蚀或耐热的表面层。电子束是由电子枪内热阴极(灯丝)发出的电子,通过高压环形阳极加速并聚集成束,使电子束流打击金属表面,达到加热的效果。表面加热深度主要取决于加速电压。电子束热处理的主要优点是加热速度快,变形小,淬火后可获得细晶组织。

电子束诱导电流法　 electron beam induced current　 因与该方法相关的装置通常作为扫描电子显微镜的附件,又称为电荷收集扫描电子显微术。将扫描电子束施加在结型(包括:p-n结、肖特基结、MOS晶体管和MOS电容等)半导体器件上,电子束诱生的少数载流子被器件中的自建电场收集,形成电流。该电流的大小与电子束诱生载流子的浓度成正比,而载流子浓度又与少子寿命成正比;并且少子寿命又与半导体中的缺陷紧密相关。因此,电子束诱生电流与缺陷紧密相关。在该方法中,一方面可通过改变扫描电子束的能量,以检测半导体中缺陷的深度分布情况;另一方面可通过电子束的面扫描,以获得缺陷在试样断面上的分布情况。该方法的典型应用包括:测量半导体的少子扩散长度和少子寿命、判断载流子的复合位置(如位错、沉淀和晶界等),获知掺杂浓度的不均匀性以及判断结的位置等。

电子顺磁共振　 electron paramagnetic resonance; EPR　 又称电子自旋共振。含有未成对电子的顺磁性物质在恒定(直流)磁场和与其垂直的高频(微波)磁场同时作用下,当恒定磁场强度H与高频磁场角频率ω满足一定条件ω=γH时(γ为此物质的旋磁比),该物质对高频电磁场产生的强烈吸收现象。原理可以用经典唯象理论或量子力学理论来说明。标志电子顺磁共振的主要特征是:共振峰位置(常用g因数表示)、共振线宽度(有时用弛豫时间表示)、共振谱结构和超精细结构。由这些参量和特征可以获得顺磁离子的能级结构、局部对称性、自旋-轨道相互作用、电子-核相互作用和核自旋等的信息。电子顺磁共振的主要应用有:①研究铁族和稀土族等元素中具有未充满内电子壳层的顺磁原子(离子)在物质中的能级结构和弛豫机制;②研究半导体和金属中自旋未抵消的传导电子(或空穴);③研究含自由基的物质,获得化学反应动力学、光合作用和电子传递过程的信息;④研究辐射损伤(如色心)、位错和辐射分解(如聚合物断裂)等,了解辐射和键联等的机制;⑤研究加入自旋标记物后的生物大分子,获得结构信息;⑥研究顺磁量子放大器和顺磁激光器工作物质的能级结构和弛豫机制,探索新材料;⑦由电子顺磁共振与核磁共振相结合的电子-核双共振,可显著提高测量核磁共振灵敏度;⑧正在发展的电子顺磁共振成像技术将提供一种探测顺磁性物质和生物内部结构的新方法。

电子隧道谱法　 electron tunneling spectroscopy　 一种在固体物理学中使用的隧道结电流-电压特性的测量方法,在金属-绝缘体-金属隧道结中,如果绝缘层足够薄(约3nm),在外加偏压作用下,电子能以一定的概率从一个电极隧道穿到另一个电极。如果电子在转移中没有能最损失,称为弹性隧道效应,否则称为非弹性隧道效应。外加低偏压时,产生的隧道电流与电压是线性关系。偏压超过特定的阈值,电流呈指数增加。隧道结的导数电流-电压特性是与能量有关的量,称作隧道谱,可以用多种方式采集固体电极和势垒的经典隧道谱,其能量分辨率为热能的几倍。用隧道谱可研究超导态、探测能隙结构和产生配对电子体系的声子谱细节,研究在接近势垒处出现的各种激发态的能量、分子振动频率、金属电极的电子态等。经典的平面结构隧道结的主要缺点是所获得的谱学信息是对整个结空间平均的性质,对结果解释的可靠性也受到非理想隧道效应势垒所产生的其他因素的影响。扫描隧道显微镜可以在任意两个导体间产生可控真空间隙的隧道结构,为电子隧道谱的研究提供了一个重要的测量方法。

电子陷阱　 electron trap　 俘获导带中电子的速率远远大于俘获空穴的速率的陷阱,或发射电子的速率远远大于发射空穴的速率的陷阱。

电子型掺杂超导体　 electron doped superconductor　 又称p型超导体。铜氧化物或Fe基高温超导体中的一类,通过霍尔效应可以测量,其载流子类型由晶体结构中的自由电子所提供。缪勒等发现的La2-xBaxCuO4及其后出现的以YBCO为代表的REBa2Cu3O7-δ在结构上呈层状类钙钛矿型晶体结构,由被AmOn层(A—其他元素,O—氧)隔开的导电的CuO2面组成。电荷的迁移主要由保留在CuO2面内的空穴完成,AmOn层起电荷储存器作用并借荷电载流子控制CuO2面的掺杂。

电子衍射　 electron diffraction　 电子束与物质原子相互作用产生的一种衍射现象。由于它携带着物质内部结构的信息,分析衍射谱是研究材料微观结构的有力手段。电子束通过试样与物质原子交互作用后,在试样下表面除产生沿电子束前进方向的透射束外,还遵从布拉格(Bragg)定律,对应于不同晶面,沿一定方向产生许多衍射束,透射束和各衍射束按一定规律构成衍射图谱,它是物质结构的间接写照。按所用入射电子束能量高低,可分为高能电子衍射和低能电子衍射;按获得衍射信息的不同方式,还可分为反射电子衍射、会聚束电子衍射、高分辨电子衍射和选区电子衍射等。此外,和衍射物质的精细结构相对应,在一般衍射谱上,还可观察到附加电子衍射花样和高阶劳厄区衍射花样等。

电子元器件材料　 electronic components materials　 电子元器件是电子元件和电子器件的总称,如电阻器、电容器、电感器、二极管、晶体三极管、场效应晶体管、连接器等。电子元器件材料是指制备电子元器件所用到的相关材料,如金属箔材料、金属丝、电介质、铁电材料、压电材料、磁性材料、磁光材料、有机电介质材料、陶瓷材料、金属封装材料、复合封装材料等。