表面等离子体聚合　 surface plasma polymerization　 通过等离子发生器所产生的等离子,使聚合单体在材料表面进行的聚合。主要应用于对物体的表面改性。

表面电子态 　 surface state of electrons　 表面的存在破坏了晶体原有的三维平移周期性,晶体表面由于原子排列的三维平移周期性中断,或因表面重构、吸附等变化而产生的不同于体内的电子能态。因而三维波矢不再是表征电子态的量子数。在周期性势场被中断的表面,存在局域的表面电子态。在表面外侧和内侧,电子的波函数都按指数关系衰减,这表明电子的分布概率在表面处最大,即电子被局限在表面附近。这种电子状态即称作表面电子态,对应的能级称为表面能级。具有理想的三维平移周期性的晶体内,布洛赫波为行进波,态密度呈现空间周期性变化,电子非局域化。表面形成后,原子排列发生变化。首先是在垂直方向上的平移周期性中断。此时,属于原有能带(体能带)的布洛赫波在表面发生反射,在真空一侧则迅速衰减,处在这种态的电子仍为非局域化的。同时,还出现表面态,即在平行于表面的平面内仍为行进波(ki 为实数) ,而在垂直于表面的方向上波矢分量 kj为复数,因而是向体内衰减的布洛赫波。处在这种状态的电子将局域在表面几个原子层内,故称表面态。 表面态能级常出现在体能带的能隙。例如Si{111} 表面,在能隙有悬挂键表面态,分布在表面4~5原子层内。过渡金属也形成s-d杂化的表面态。表面弛豫、重构、台阶缺陷和吸附也引起表面态。表面态能级在半导体材料中像杂质能级一样,对电性质很重要。由于表面态和体能带的空间分布不同,电子在两者之间转移会引起表面电荷集中,在半导体中会产生厚达几百纳米的空间电荷层,并导致体能带的弯曲。

表面电阻率　 coefficient of surface resistance　 表征电介质材料表面绝缘性能的重要指标。在一材料试样表面设置两块长条电极,如图所示,两电极间的表面电阻Rs=ρsl/b。式中,l为电极间的距离;b为电极的长度;ρs为样品的表面电阻率;ρs和R的单位相同,均为Ω。ρs在数值上等于表面电极1cm长和相距1cm时的表面电阻。它除与材料性质有关外,更与材料表面的光洁度、环境温湿度等外界因素有关。

表面光电压法　 surface photovoltage method　 简称SPV法,通过测量由于光照在半导体材料表面产生的表面电压来获得少数载流子扩散长度的方法。原理是:用能量大于半导体材料禁带宽度的单色光照射在半导体材料表面,在其内部产生电子-空穴对,受浓度梯度驱动扩散至半导体材料近表面空间电荷区的电子和空穴将被自建电场分离,形成光生电压,即表面光电压。根据表面光电压与入射单色光的光子流密度、波长、材料对光的吸收系数和少子扩散长度之间的关系可得到少子扩散长度,进而可以获得少子寿命。SPV法是表征半导体材料少子扩散长度的主要方法,其优点有:① 是一种稳态方法,与时间无关,从而避免了体内和表面复合对测试结果的影响;② 一般情况下,表面复合过程不影响少子扩散长度的测试结果,表面复合速率只对表面光电压信号强度产生影响,因而无须特殊处理材料的表面;③ 是一种无接触的测试方法,其测试成本低、易于操作、不容易受到干扰,而且可以实施面扫描(mapping)。

表面降解　 surface degradation　 材料表面发生的腐蚀、分解、溶解或分子量降低的过程,材料内部的性质则不发生变化。某种材料是否发生表面降解与材料的化学结构、分子量和形态等本身因素以及降解介质等外界条件相关。

表面生物化　 surface biological modification　 通过物理吸附、化学结合、自组装等手段将生物活性物质装载到生物材料表面,从而使材料在生理环境下诱发特定的生物学反应。所装载的生物活性物质包括生长因子、细胞外基质、蛋白质、DNA等。

表面张力　 surface tension　 液体表面有受最小表面力的趋向,像拉伸膜具有的特性。表面张力可定量地用表面张力系数表示。液面上一直线的长度为L,其两侧的拉力为f,实验证明f与L成正比,即f= αL,式中,比例系数α 称为表面张力系数,表面张力单位为N/m。表面张力与液体性质及液面外相邻物质的性质有关,此外还与温度及液体所含杂质有关。

半导体激光材料　 semiconductor laser materials　 用于制作各种半导体激光器的半导体材料。种类很多,最重要的有GaAlAs/GaAs(输出波长0.7~0.9μm)、InGaAsP/InP(1.1~1.6μm)、GaAlAsSb/GaAlAsSb(1.5~1.8μm)、AlGalnP/GalnP(632.7~690nm)、InGaAs/GaAs(0.98μm)、InGaAs/InP(1.45~1.62μm)、InGaSbAs/GaAlSbAs(1.8~2.4μm)及PbSnTe、PbSnSe、PbSSe等铅盐材料(3~34μm)。对半导体激光材料的基本要求:①直接带隙。因为只有直接带隙材料,在电子-空穴复合产生光子时,才无须声子参加,才能有较高的发光效率。②作用层和限制层的晶格匹配。限制层和作用层的晶格常数差Δa同作用层晶格常数a之比(Δa/a)应足够小。在室温时,GaAs-AlAs、GaP-AlP、GaSb-AlSb等Δa/a的最大值分别为0.14%、0.01%、0.65%,都是制作异质结激光器、量子阱激光器的好材料。③ 晶体要完整,位错密度、有害杂质浓度应尽量小。衬底材料一般选用二元系直接带隙半导体材料,如GaAs、InP等。作用层、限制层则一般选用三元或四元系直接带隙半导体材料,如GaAlAs、In-GaAsP等。在室温时,不同三元系材料的禁带宽度同组分x之间的关系如下表所示。四元系材料的禁带宽度同组分之间的关系,可以根据三元系的关系推断,或通过实验确定。理论和实验表明,用量子阱材料作为作用区比用体材料作为作用区要好得多。如阈值降低、输出功率增大、光谱变窄、调制频率增高等。在量子阱激光器中引入适当的应力构成应力层量子阱激光器,将使性能有明显提高。

半导性功能复合材料　 semiconducting functional composites　 电阻率位于导体和绝缘体之间的材料称为半导体,这种材料往往具有许多特殊的物理性质。具有半导体性质的复合材料称为半导性复合材料,包括某些超薄多层复合和混合复合材料,制备方法与复合导电高分子材料相同。其中起主要作用的半导体填料多为过渡金属络合聚合物,电荷转移性络合聚合物以及某些金属有机聚合物。

半固态铸造铝合金　 semisolid casting aluminum alloy　 半固态金属(SSM,semi-solid metal)铸造技术在20世纪70年代初由麻省理工学院的研究人员首次提出,经过40多年的研究和发展,目前已经进入工程应用阶段。与传统的金属液态成形工艺相比,半固态金属铸造技术有以下优点:成形温度低、铸件致密、加工余量少、节约能源、延长模具使用寿命等。

半光漆　 semi-gloss paint　 又叫半光涂料。涂漆后所形成的漆膜光泽在30%~70%之间,颜料体积浓度在35%~45%的涂料。光泽低于30%,颜料体积浓度在45%以上的涂料称为平光或哑光涂料。

半光涂料　 见半光漆。

半互穿网络聚合物基复合材料　 semi-interpenetrating polymer network composite　 以半互穿网络树脂为基体、以填料填充或以纤维(及其织物)增强的复合材料。是一类高性能的新型复合材料。半互穿网络是一种交联高聚物与一种线型高聚物互相贯穿的共混物,两者之间没有化学键结合,但在两相之间引进了一种新的界面,界面上有永久缠结,起物理交联点的作用,其强度对控制与韧性有关的性能(如微观开裂、蠕变疲劳和抗冲击性能)有很重要的作用。由于高性能热固性树脂虽容易加工但比较脆,而高性能热塑性树脂韧性好但难加工,因此出现了将热固性树脂与热塑性树脂制成半互穿网络树脂,以获得兼具良好加工性与韧性的树脂基体,同时保持其热稳定性。生成的聚合物基体的相分离度主要取决于聚合物前驱体在干燥和交联过程中的混合情况。半互穿网络树脂的性能取决于四个因素:组元高聚物的性能;组元高聚物之间的配比;制备工艺参数;控制相形态与相稳定性有关的热力学与动力学参数。一般热塑性树脂的含量以20%~40%为宜。例如:对NA基封端聚酰亚胺、炔端基聚酰亚胺、双马来酰亚胺、聚三嗪、环氧和酚醛与热塑性树脂形成的半互穿网络树脂,热塑性树脂的质量分数为20%时,韧性就可提高2~5倍。

半绝缘砷化镓单晶　 semi-insulating GaAs crystal　 电阻率大于1×107Ω· cm的GaAs单晶,是高速高频器件、光电集成电路(OEIC)的重要衬底材料。可用LEC法或HB法掺入Cr、O等深受主杂质补偿Si等浅施主来生长半绝缘单晶,可用于FET、HEMT等分立器件。另一个方法是在高压单晶炉中用热解BN(PBN)坩埚拉制成非掺杂高电子迁移率半绝缘单晶,用于制造集成电路。非掺杂半绝缘性能是该材料中本征深能级陷阱EL2补偿剩余浅受主C等杂质而得。半绝缘GaAs单晶(有时多晶也可)的又一重要用途是作CO2激光器的耦合输出窗口。

半衰期　 half life　 在单一的放射性衰变过程中,放射性核素的核数目(或其放射性活度)减少到原有值的一半所需要的时间。用T1/2表示,T1/2=0.693/λ,λ为放射性核素的衰变常数。T1/2和λ都是放射性核素的一个特征常数,每种放射性核素都有自己固定不变的T1/2和λ,它们反映了核素放射性衰变速度的快慢只取决于衰变核素本身的性质,一般不随外界条件(温度、磁场和压力等)的变化、核素所处状态(游离态或化合态)的不同和核素质量的多少而改变。放射性核素的半衰期长短差别很大,短的仅几千万分之一秒(如212Po的α衰变半衰期为3.0×10-7s),长的可达若干亿年(如232Th的α衰变半衰期为1.39×1010年)。一定质量的放射性物质,其半衰期愈短,放射性活度愈高。此外,原子核在裂变过程中,核的数目减少到原来的一半所需要的时间,称为裂变半衰期。生物体内放射性物质通过衰变和代谢作用在体内存留一半的时间称为生物半衰期。半衰期是放射性物质的重要参数。