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  • 光交联聚合物

     光交联聚合物  photocrosslinking polymer  又称固化型光敏高分子材料,和一般光敏高分子材料的不同之处是它在光照后可形成立体网状结构的产物。该类材料要求有多官能度的低聚物作为原料组分之一。多官能度低聚物的品种很多,但作为光聚合用的低聚物其官能团主要选用不饱和烯烃如丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯等基团,它们可通过高分子反应或缩聚反应引入形成多官能度低聚物。根据不同的用途,将含不同官能度的低聚物进行组合,通过光引发交联反应得到合乎需要的产品。光引发体系也是多种多样的,最常用的是安息香醚类化合物,它们在光照下可发生断裂而产生有引发活性的自由基,引发单体或齐聚物聚合或交联。此外,聚乙烯醇肉桂酸酯类体系的二聚反应也可得到交联产物,这是由于聚乙烯醇肉桂酸酯本身就可看成是一种多官能度的聚合物,它们在发生链间的二聚反应后,得到的也是交联产物。固化型光敏高分子材料作为成像材料得到的是负像,它在印刷制版、光刻技术中有着广泛的用途。

  • 光卤石

     光卤石  carnallite  含水的配位型氧化物矿物。化学式为KMg(H2O)6Cl2。斜方晶系,空间群-Pbnn。晶体呈假六方双锥状,通常呈粒状、纤维状或致密块状体。纯者无色或白色,常被铁染成黄褐色。玻璃光泽,透明至半透明,无解理。性脆,莫氏硬度2~3,密度1.60 g/cm3,熔点1~1.5℃。强荧光性,强吸水性,易潮解。味辛辣苦及咸。产于富含钾和镁的盐湖中,系化学沉积的产物,与钾盐、杂卤石、石盐、硫酸镁石等共生。是提取镁、制取钾肥和钾的化合物的矿物原料。

  • 光敏半导体陶瓷

     光敏半导体陶瓷  light sensitive semiconductive ceramics  材料的电参量随环境光学参量变化而变化的陶瓷材料。按照光敏效应可分为:光电池效应材料,如硅光二极管材料;光导电效应材料,CdSCdSe等。按其制造方法可分为单晶型、烧结型和薄膜型;光电子发射效应材料,GaAs,Sb-Cs,Na-K-Sb-Cs;热释电效应材料,LiNbO3LiTaO3PbTiO3BaTiO3PZTPLZTSr1-xBaxNb2O6等。

  • 光敏感传递系统

     光敏感传递系统  photo/light sensitive delivery system  具有光敏感性能的传递系统。在药物与基因传递领域,利用光照(紫外、可见、近红外等)可改变药物及基因的释放速率及传递模式,实现在病灶部位的释放。光敏感载体材料中常见的光敏基团有在光照条件下能发生构型变化的偶氮苯等、发生分子内光致成键和断裂的螺吡喃等、发生光致断裂的邻硝基苄酯等。光敏感传递系统与光动力疗法结合,在肿瘤治疗方面有广泛的应用。由于紫外线易引起组织损伤,目前,这一领域的研究热点是可深入组织且不会对组织造成伤害的近红外线的敏感材料,以及能深入组织并具有良好的空间选择性的双光子的吸收材料。

  • 光敏聚合物

     光敏聚合物  photosensitive polymer  对紫外/可见光具有特殊响应,包括改变分子形貌的光响应型高分子、改变化学组成的光反应型高分子和改变颜色的光致变色高分子等,在光的作用下发生聚合、交联、分解、变色、收缩等物理和化学变化的一类聚合物。光敏聚合物主要包括:聚合物本身含有感光基团的体系,如不饱和聚酯、聚乙烯醇月桂酸酯等;聚合物中加入感光性化合物的体系,如聚乙烯醇中加入重铬酸盐等;乙烯基单体直接进行光聚合体系,如丙烯酸酯等。该类聚合物主要应用于大规模集成电路、印刷工业的制版、电子束胶、医用材料、紫外固化涂料、光敏油墨及光固化黏合剂等。

  • 光敏聚酰亚胺树脂

     光敏聚酰亚胺树脂  photosensitive polyimides  泛指一类对紫外线(UV)X射线、电子束或离子束等光源敏感的聚酰亚胺或者聚酰亚胺预聚体(聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚异酰亚胺等)材料。PSPI可采用传统的光刻工艺进行制图、通孔等工艺操作,从而将掩模板上的图形直接转移到基材上。后烘固化之后,PSPI固化膜可作为绝缘层保留在器件内部。PSPI可以代替传统集成电路制造工序中的非光敏型聚酰亚胺层间介质材料以及普通光刻胶,从而使集成电路的制造工艺大幅度简化。PSPI按照感光机制的不同可以分为负性PSPI与正性PSPI两类;按照化学结构的不同可分为酯型PSPI、离子型PSPI以及自增感型PSPI等几类。

  • 光明丹

     光明丹  见红丹(309)

  • 光明粉

     光明粉  见红丹(309)

  • ROM光盘存储材料

     ROM光盘存储材料  read-only optical media  只读型存储介质。主要材料是塑料和光致聚合物。用复制法生产。即用印模(stamper)在塑料或光致聚合物上复制出只读型光学信息。复制法有: 密纹唱片模压法; 注塑法; 印刷法; 光致聚合法(photopolymerization,简称2P)2P法为主要制备ROM光盘的方法。2P法对光盘衬底和2P漆有严格要求: 衬底的光吸收、光散射、双折射要小,尺寸稳定,不易机械形变,经久耐用; 2P漆要固化快,黏度低,对衬底有良好黏着性,与印模有良好脱模性,能精确重现印模图案信息,液态时无毒无味,材料成本低和易于获取。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氯乙烯(PVC)和聚碳酸盐酯(PC)能不同程度地满足2P衬底要求。2P漆以使用一种或几种丙烯酸酯单体聚合物最为理想,如三丙二醇二丙烯酸酯(TPGDA)和三羰甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)的不同成分的聚合。为提高光致聚合速度和增加流延性,2P漆内还需加入光引发剂和活性剂,如添加N-乙烯基吡咯烷酮和1,1-二甲基-1-甲基二苯甲酮。通过这些材料不同成分的聚合,能获得具有不同黏性、不同活性和不同刻痕深度的良好性能的ROM光盘存储材料。

  • WORM光盘存储材料

     WORM光盘存储材料  write-one read-many op-tical media  一次写入多次阅读光学介质。主要依靠激光束加热时产生的不可逆变化记录信息,信息一经写入便不能擦除,因此属于档案存储。激光束加热所产生的热效应包括烧蚀、熔融、蒸发、晶态转换、合金化等多种。物理形态变化有凹坑、气泡、织构和相变等。对WORM介质的主要要求是:所记录的比特尺寸应足够小(1μm);记录能量适中;记录和非记录区信号对比度大;介质噪声小;介质物化性能稳定,信息存储寿命长。根据不同记录机制,可作WORM记录材料的有:金属薄膜、合金化介质、掺银有机聚合物、半导体材料、碲和碲系合金、碲碳混合物和碲的低价氧化物(TeOx,x1.1),其中碲和碲基材料已成为第一代WORM光盘介质的主流。具体说,用于凹坑形态记录的材料有:金属(Bi,Rh)薄膜、多晶碲合金、Te-C混合物、TeTiAgSe、染料/聚合物、掺银有机凝胶等;用于织构变化记录的有SiGeTe;用于气泡形态记录的有AuPtTi等高熔点金属膜;用于晶态转换的有TeOxSb-TeBi-Te等碲基化合物和混合物。为提高记录灵敏度、读出信噪比和减少噪声,WORM光盘往往做成双层或三层结构,即除记录介质和衬底外,光盘结构中还夹入铝反射层和电介质层,以增强反射和干涉效果。

  • 光屏蔽剂

     光屏蔽剂  light screening agent  是一类能够吸收、屏蔽或反射紫外线的物质,如炭黑、二氧化钛(金红石型)、氧化锌等。它的作用就像在聚合物和光辐射之间设置了一道屏障,使光不能直接辐射到聚合物的内部,令聚合物内部不受紫外线的危害,从而有效抑制光氧化降解。光屏蔽剂有炭黑、氧化钛等无机颜料和酞菁蓝、酞菁绿等有机颜料,其中炭黑屏蔽效果最好。炭黑的光屏蔽效果与其粒度、分散性和用量等因素有关,一般炭黑的粒度以15~20nm的为最佳。

  • 光谱选择性吸收涂层

     光谱选择性吸收涂层  spectrum selective absorbing coating  一种太阳能光热转换涂层。一个理想的光谱选择性吸收表面,在太阳光谱区(<2μm)其表面的反射率应尽可能小,而在红外区(>2μm)则应有尽可能高的反射率。理想的光谱选择性吸收涂层是一种具有高太阳吸收率(αs1)和低半球热发射率(εh0)的涂层材料。在光谱选择性吸收涂层设计和选材时应考虑:根据光的干涉原理,通过多层薄膜和控制其厚度的工艺技术,使涂层在太阳光谱区造成一个宽广的吸收峰,使涂层具有高的太阳吸收率和低的发射率;利用PbS,Si,Ge等半导体材料具有宽的光隙,对太阳辐射具有很大的吸收,而自身红外辐射率又很低,制备具有选择性吸收涂层;根据有效的媒质理论,利用在母体中细分散的金属微粒对太阳辐射进行多次散射和内反射,而达到光谱选择吸收效果;通过表面形貌和结构控制,使涂层表面不连续性的尺寸与光谱选择辐射的峰值相当,从而使表面对太阳辐射起陷阱作用,而对长波辐射可认为是一个好的反射面,从而具有光谱选择吸收特性。目前,涂料工艺、电化学工艺、薄膜工艺等涂层工艺,已广泛用来制备各类光谱吸收涂层。由于太阳能是低密度能源,制造光热转换器需要大面积应用光谱选择性吸收涂层,成本和寿命成为材料和工艺选择的关键。

  • 光全息存储材料

     光全息存储材料  optical holographic storage materials  在光全息存储中记录物体图像或数字信息的光介质材料。在光全息存储中(也称全息照相),光介质记录来“再现”出原物的三维图像。按记录介质中不规则干涉条纹形成的不同机理,材料可分为:卤化银乳剂材料。在卤化银材料中记录全息图与普通照相记录一样都是利用感光胶片上发生的光化学反应后形成潜影。这种记录介质能提供满意的高分辨和高感光度,但记录信息要经过费时的湿显影过程,记录介质不能重复使用。 光致折变材料。这是一类内部结构上无中心对称的电光晶体,LiNbO3:FeBaTiO3:FeKNbO3:Fe等。利用材料的光致折射率变化存储信息,在材料中形成相位调制型全息图。 光色材料。在适当波长光的辐照下,光色材料发生颜色的可逆变化,记录信息时形成吸收光栅。这类材料有CaF2(La,Na,Ce)SrTiO3(Ni,Mo)CaTiO3(Ni,Mo)等。 光导热塑性高分子材料。这是一类光敏性高分子材料,信息存储是通过静电力引起的塑性流动在材料表面形成全息浮雕图样。这种存储介质具有高的分辨率、能重复使用、复制方便等优点。各类光全息存储材料已分别在干涉计量、材料与元件的无损检测、制作防伪商标以及图书资料的高密度存储等方面得到实际应用。

  • 光散射法

     光散射法  light scattering method  是测定聚合物分子量的一种绝对方法,测量范围在104~106。光散射法可得到重均分子量、均方半径、第二维利系数等多个数据,在高分子研究中占有重要地位。当一束光通过不均匀介质时,在入射光方向以外的各个方向也能观察到光强的现象称为光散射现象。光散射法研究聚合物的溶液性质时,溶液浓度比较稀,分子间距离较大,一般情况下不发生分子之间的散射光的外干涉。当溶质分子的尺寸与入射光在介质里的波长处于相同数量级时,同一溶质分子内各散射质点所产生的散射光波就有相互干涉,这种内干涉现象是研究大分子尺寸的基础。具有多分散体系的高分子溶液的光散射,在极限情况下(θ0c0)可写成以下两种形式:

    =+2A2c

    =

    式中,θ为散射角;Kc是与高分子溶剂体系、温度、入射光波长λ有关的常数;Rθ为瑞利因子。以×sin2+Kc作图,外推至c0θ0,可以得到两条直线,截距均为,即可求出聚合物的重均分子量,θ0的外推线,其斜率为2A2,得到第二维利系数A2;c0的外推线的斜率为,从而得到聚合物链的均方末端距。光散射法要求高分子与溶剂的折射率差足够大。

  • 光色型光全息存储材料

     光色型光全息存储材料  photochromism for optical holographic storage  利用光致颜色的可逆变化进行光全息存储的材料。光色材料中存在两种不同能量的电子陷阱(含微量掺杂物),它们之间将发生光致可逆电荷转移,在材料中形成AB两个吸收光谱带。记录信息时,材料在A带内曝光,形成光密度变化的吸收光栅。把已着色的材料在B带内曝光,颜色便消除。用于光全息存储的光色材料以无机光色晶体为主,CaF2:La,NaCaF2:Ce,NaSrTiO3:Ni,MoCaTiO3:Ni,Mo等。CaF2晶体用温梯法制备,SrTiO3CaTiO3晶体用熔盐法制备。在光全息存储中,光色型介质的主要特点是:信息存储简便,可重复存储;可在一块晶片中存储多个全息图;可实现信息的无损读出。