接触黏性　 tack　 胶黏剂在轻微压力下经短暂接触后对表面发生黏附的能力。

　接骨板　 internal fixation plate　 见骨板(257页)。

　接枝改性　 graft modification　 通过在基体材料及高分子链上接枝引入特定结构,以改变其性质的方法。例如,在聚乳酸、羟基磷灰石等生物材料表面接枝引入胶原,可提高材料的生物相容性。

　接枝天然橡胶 　 grafted natural rubber　 天然橡胶通过与烯烃类单体接枝聚合得到的接枝共聚物。通过接枝共聚反应可对天然橡胶进行化学修饰,得到具有指定性能的接枝共聚物,从而改善天然橡胶制品的综合性能、拓宽其应用领域。用于天然橡胶接枝的单体主要有丙烯酸酯类、马来酸酐、苯乙烯、丙烯腈、醋酸乙烯酯、丙烯酸、丙烯酰胺等。

　接枝效率　 efficiency of grafting　 接枝在高分子主链上的单体占聚合单体的质量分数。

　接枝型高冲击强度聚苯乙烯　 见高抗冲聚苯乙烯 (231页)。

　秸秆刨花板　 straw particleboard　 以麦秸或稻草等农作物秸秆为原料制成的刨花板。

　结构材料　 structural materials　 以强度、硬度、塑性、韧性等力学性质为主要性能指标的工程材料的统称。主要用于制造工程建筑中的构件、机械装备中的支撑件、连接件、运动件、传动件、紧固件、弹性件以及工具、模具等。这些结构零部件都在受力状态下工作,因此力学性质(强度、硬度、塑性、韧性等)是其主要性能指标。在许多使用条件下,还必须考虑环境的特殊要求,如高温、低温、腐蚀介质、放射性辐射等。结构件均有一定的形状配合和精度要求,因此结构材料还需有优良的可加工性能,如铸造性、冷(或热)成型性、可焊性、切削加工性等。

　A15结构超导体　 A15-structure superconductor　 晶体结构与A15(A3B)型化合物类似的超导体,称为A15结构超导体,典型的A15结构超导体,如Nb3Sn、Nb3Al、Nb3Ge、V3Si和V3Ga等。A15结构超导体是目前非常重要的强磁场用低温超导材料,它们具有典型的晶界磁通钉扎特性,同时加工性能较差,超导性能对应力应变衰减较快。

　结合胶 　 bound rubber　 橡胶与炭黑共混过程中,部分橡胶分子与炭黑表面的活性基团反应,形成不溶于溶剂的化学键接大分子,这部分橡胶就称为结合胶。

　结晶式多晶硅　 crystallization polycrystalline silicon　 由无定形非晶硅通过非传统结晶方式实现结晶的硅膜称为结晶式多晶硅。所述的结晶方式包括固相结晶法(solid state crystallization,SPC)、准分子激光退火法(excimer laser anneal,ELA)、金属诱导结晶(metal induced crystallization,MIC)以及由此衍生的其他结晶方式,形成结晶式多晶硅的特点在于所用衬底温度较低,一般为400~500℃。目前主流的结晶方式为准分子激光退火法(ELA),是利用光学调制的线光束扫描非晶硅膜表面,使表面非晶硅基本熔融,从而形成结晶的方式。该方法是利用准分子激光脉冲能量高、非晶硅对其吸收率高,但所得到多晶硅膜均一性相差较大。结晶式多晶硅微观上表现为一个个的“硅单晶”,在“硅单晶”区域硅原子整齐排列,在相邻的“硅单晶”之间是多晶硅的晶界,迁移率10~150cm2/(V·s)。目前主要用于TFT显示器件中。

　结晶釉　 crystalline glaze　 釉内含有大量结晶性物质(熔质),在产品烧制过程中,经熔融后处于过饱和状态,在缓冷过程中产生析晶而形成。结晶釉的烧成温度有高温和低温两种;析出的晶花有细晶和粗晶两种,晶花可大可小,可多可少,大的肉眼能见,小的需用显微镜分辨。可以通过人工的方法,合理控制晶花的分布。形状有星形、针状或花叶形等。中国在宋代就已能烧造结晶釉,如建窑的兔毫、定窑的紫定、山西的红油滴、鹤壁窑的银油滴等,景德镇的茶叶末、铁锈花等,这些都属高温型铁结晶釉。现代结晶釉则有硅酸锌型、辉石型、橄榄石型、赤铁矿型等巨晶品种。

　解聚 　 depolymerization　 解聚是链式聚合的逆过程,又称链式降解或连锁降解。聚合物在降解反应过程中完全转化为单体的过程。在氧或各种物理因素(热、光、辐照、机械力等)影响下,从大分子链末端断裂产生自由基,引起自由基型连锁反应,聚合物迅速裂解为单体。解聚在聚合上限温度以上尤其容易进行。工业上常将高聚物废料在较高温度下解聚,达到回收利用的目的。如聚甲基丙烯酸甲酯在270℃下可完全解聚成单体。

　解取向　 disorientation　 外场去除后,高分子中分子链、链段、晶体或相区从有序取向变为无序排列的过程。

　介电常数　 dielectric constant 　 表征介质材料的介电性质或极化性质的物理参数。使用某种电介质的电容器的电容量与同样几何尺寸的真空电容器的电容量的比值,称为该电介质的相对介电常数εr,无量纲。εr与真空介电常数之乘积为该电介质的介电常数ε或电容率,量纲为F/m。一般常将相对介电常数称为介电常数。各向同性介质的介电常数是标量,但各向异性介质的介电常数是二阶张量,用εmn表示。压电体的介电常数与力学边界条件有关,压电体在恒定应力或应力为零(自由边界条件)时的介电常数称自由介电常数,用表示。压电体在恒定应变或应变为零(夹持边界条件)时的介电常数称受夹介电常数,用表示。由于二级压电效应所引起的差异>。不同材料及不同温度下的介电常数差别很大。Al2O3、AlN陶瓷的室温介电常数小于10,BaTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3等铁电陶瓷的室温介电常数为几百至几千,通过调整材料组成,甚至可达1×104至2×104以上。利用各种材料大小不一的介电常数及其温度特性,可以制作不同性能规格的电容器或其他元件,如装置瓷、陶瓷基片等。