光致变色复合材料　 photochromic composite　 光致变色指的是某些化合物在一定的波长和强度的光作用下分子结构会发生变化,从而导致其对光的吸收峰值即颜色的相应改变,且这种改变一般是可逆的。典型无机体系的光致变色效应伴随着可逆的氧化-还原反应,有机体系的光致变色也往往伴随着许多与光化学反应有关的过程同时发生,从而导致分子结构的某种改变,其反应方式主要包括:价键异构、顺反异构、键断裂、聚合作用、氧化-还原、周环反应等。

　光致变色高分子　 photochromic polymer　 是一类在光或其他电磁波作用下能产生变色现象的高分子化合物。光致变色高分子结构中通常包含光异构化反应类、光分解反应类或光氧化还原反应类基元。常用的制备方法包括制备具有光致变色功能的单体进行聚合,将光致变色基团作为侧基接枝在高分子主链上,或直接通过缩合聚合来合成。光致变色高分子,包括光致变色螺吡喃聚合物、螺嗪聚合物、二芳基乙烯聚合物、偶氮苯类聚合物、苯氧基萘并萘醌聚合物、俘精酰亚胺共聚物、硫靛共聚物、双硫腙聚合物以及二氢吲嗪聚合物等。光致变色高分子可用于干法自动显影照相、数据和信息的记录储存、动态图形的显示、军事伪装或室内装饰、避光和遮光材料或滤光片、辐射剂量测示剂或其他分析指示剂。此外,还可用于光信息存储、光转换器件和光开关等前沿领域。

　光致高分子液晶　 photo-induced liquid-crystal polymer　 在光的作用下能产生液晶现象的高分子。

　光子晶体　 photonic crystal　 光子晶体概念于1987年分别由S.John和E.Yablonovitch提出,是指介电常数(或折射率)不同的材料在空间周期性排列,在其中传播的光波的色散曲线将成带状分布,当这种空间有序排列的周期与光的波长相比位于同一量级而折射率的变化反差较大时,带与带之间有可能会出现类似于半导体禁带的“光子禁带”(photonic band gap;PBG),能量落在“光子禁带”中的电磁波被禁止传播,这一类材料称为光子禁带材料,或光子晶体。自然界中也存在光子晶体,如产于澳洲的蛋白石(opal)、蝴蝶翅膀、孔雀羽毛、海老鼠的毛发等,这些自然材料在几何结构上存在周期性,具有光子带隙结构。根据介电材料空间分布的特点,可以将光子晶体分为一维(1D)光子晶体、二维(2D)光子晶体和三维(3D)光子晶体。目前,光子晶体材料包括光子晶体光纤、光子晶体微腔、光子晶体板等。这些材料具有优异的性能,使其在光纤光通信、浸润性、光学设备、超痕量检测等方面有很广泛的应用。

　光阻　 见光刻胶(271页)。

　龟裂　 cracking　 施工后的涂料经过一段时间,漆膜出现的类似网状的细小裂纹。

　硅单晶　 siliconcrystalline　 呈现单晶状态的硅材料。在材料的整个体积范围内,晶格原子呈周期性排列。有两种主流的生产硅单晶方法:区熔法和直拉法。区熔法可以生长很高电阻率的硅单晶,通过后续的中子嬗变法可以形成电阻率均匀分布的硅单晶,其电阻率由中子辐照剂量决定。区熔硅单晶主要用于制造电力电子器件及探测器。直拉法生长硅单晶使用石英坩埚盛放硅熔体,硅单晶中含有较高浓度[(5~10)×1017cm-3]的氧杂质。与区熔硅单晶相比,直拉硅单晶有更高的机械强度且具有内吸杂功能,因此成为集成电路的基础材料。直拉硅单晶在制造成本上远低于区熔硅单晶,还广泛用于制造太阳能电池。

　硅氮烷　 silazane　 分子式:[(CH3)3Si]2NH。两个硅原子对称连在次氨基氮原子上的有机硅化合物,是一种无色或微黄色的带有氨味的液体。沸点125.5℃,密度(25℃)0.774g/cm3,折射率(25℃)1.4078,易水解而生成硅氧烷结构,由三甲基氯硅烷与氨反应而制取。是一种常用的硅烷化试剂,制药工业中用作基团保护剂,涂料的防沉淀剂,用它处理的白炭黑,可明显提高硅橡胶的撕裂强度,还可用作憎水剂、增稠剂、乳化剂使用。

　硅钢　 见电工钢(126页)。

　硅基氮化钙铝:铈(Ⅲ)　 silicon-based calcium alumin-ium nitride activated by cerium　 CaAlSiN3:Ce3+。白色粉末,正交晶系,晶胞参数 a=5.63、b=9.58、c=4.98。相对密度 3.387。激发带位于230~500nm,为一宽带激发,主要激发峰位于260nm和460nm左右。相应的发射谱带位于570~590nm,最大发射波长约为590nm。合成方法:按化学计量比称取,将Ca3N2、AlN、Si3N4、CeN或CeO2及助熔剂等固体粉末混合均匀后,在还原性气氛下1700℃左右高温灼烧合成。可用于白光LED用光转换红色荧光粉。

　硅基氮化钙铝:铕(Ⅱ)　 silicon-based calcium aluminium nitride activated by europium　 CaAlSiN3:Eu2+　。白色粉末,正交晶系,晶胞参数 a=5.63、b=9.58、c=4.98。相对密度 3.387。激发带位于200~600nm,为一宽带激发,主要激发峰位于335nm和450nm左右。宽带发射,发射主峰位于650nm左右。合成方法:按化学计量比称取,将CaCN2、CaCO3、AlN、Si3N4、Eu2O3、石墨粉及助熔剂等固体粉末混合均匀后,在还原性气氛下1500℃左右高温灼烧合成。可用于白光LED用光转换红色荧光粉。

　硅基氮氧化钡:铕(Ⅱ)　 silicon-based barium oxynitride activated by europiu　 BaSi2O2N2:Eu2+,正交晶系,a=14.3902、b=5.3433、c=4.83256。在BaSi2O2N2结构中,SiON3-四面体相互连接,形成(Si2N2O2)2-层状结构,Ba2+分布在这些层状结构之间。氮氧化物荧光材料介于氧化物和氮化物之间,具有较好的热稳定性和化学稳定性,同时又比较容易制备。材料在350~480nm 的紫外波段有一强激发带其峰值位于370nm附近,对应于Eu2+的4f7→4f65d 跃迁吸收;在紫外激发下的最强发射位于492nm,属于Eu2+的4f65d1→4f7跃迁发射。由于材料属于正交晶系,Ba2+所处格位对称性较高且基质共价性较强,因此,Eu2+掺杂以后斯托克斯位移较小,发射出蓝绿光。体系发光强度随Eu2+浓度的增加,先增强后减弱。当Eu2+浓度为4%时,强度达到最大值。将荧光材料封装在395nm 的近紫外芯片,制作发光二极管,在20 mA 正向电流激发下,发出较强的蓝绿色荧光,可用作近紫外芯片白光LED 的蓝绿色荧光材料。

　硅卡岩　 skarn　 又称矽卡岩或夕卡岩。一种由接触交代作用形成的变质岩,主要发育在中酸性侵入岩或中基性岩与碳酸盐岩(石灰岩和白云岩)的接触带附近,由热接触变质作用和高温气化热液作用形成。主要有两种类型:一种是钙质硅卡岩,主要由石榴子石类、辉石类和符山石、硅灰石等富钙硅酸盐矿物组成;另一种是镁质硅卡岩,主要由镁橄榄石、透辉石、尖晶石、金云母等富镁(铝)矿物组成。颜色取决于矿物成分和粒度,常为暗绿色、暗棕色和浅灰色,密度较大。细粒至中、粗粒不等粒结构,条带状、斑杂状和块状构造。它是找寻矽卡岩矿床的重要标志,与其有关的矿产是铁、铜、铅、锌、钨、锡、铍、硼等。我国长江中下游地区大冶、铜陵等地普遍分布有重要的铁铜的矽卡岩矿床。

　硅铝明　 见Al-Si系铸造铝合金(797页)。

　硅醚　 见二硅氧烷(161页)。