氧化锌膜　 zine oxide film　 组成为氧化锌(ZnO)的薄膜。它具有六角棱柱形纤锌矿晶格结构,室温下能隙宽度为3.3eV;一般可用反应气相沉积方法制备,包括反应电子束蒸发或反应磁控溅射。大面积均匀氧化锌膜用化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PCVD)或平面直流磁控溅射法制成。不同工艺条件下制出的氧化锌膜具有不同的性能,主要有:①ZnO透明导电薄膜,在400~800nm的可见光范围内,透光率大于90%。在制备ZnO薄膜的过程中掺入2%左右的Al2O3,薄膜的每方块电阻可控制在100Ω以下而且透光率不变,这类薄膜可广泛用于液晶显示器件和太阳能电池中,亦可制成光电探测器的窗口以及反射红外线的热镜等;②ZnO高阻压电膜,用平面直流磁控溅射制出的ZnO厚膜(2~5μm),结晶性能良好,呈c轴取向,有显著的压电效应,可以制成氧化锌膜压敏传感器。

　氧化钇稳定氧化锆陶瓷　 yttria-stabilized tetragonal zirconia　 切削成型牙科陶瓷的一种,主要成分是氧化锆,含量达94%;其次为氧化钇,含量为4%,主要对氧化锆四方晶相起稳定作用,提高陶瓷强度。其他还含有微量的氧化铝,起增强陶瓷的耐久性作用。使用方法是通过热等静压技术将陶瓷粉末压制成颗粒间具有微小孔隙的坯块,并进行预烧结,但预烧结温度须低于氧化锆的常规烧结温度。此时氧化锆颗粒轻度烧结在一起,强度较低,使得瓷坯块容易进行切削加工。切削成型后进行进一步的致密化烧结,再次烧结后形成致密的四方氧化锆晶相结构,晶粒的平均直径为0.55μm,基本上没有玻璃相。最后在修复体表面涂布饰面瓷并进行烧结,完成修复体制作。由于在致密化烧结过程中伴随较大的体积收缩,通常切削时对瓷坯块尺寸进行适当放大,以补偿烧结过程中的体积收缩。

　氧化钇:铕(Ⅲ)　 yttrium oxide activated by europium　 Y2O3:Eu3+,立方晶系,a=b=c=10.601 Å。激发带与254nm的汞线重叠的相当好,位于613nm的锐线是它的主发射峰,属于Eu3+的5D0→7F2的电偶极跃迁。合成方法:将Y3+和Eu3+与草酸混合形成草酸盐,然后焙烧得到最终产物,主要用于三基色中的红粉。

　氧化诱导时间　 oxidation induced time;OIT　 在常压、氧气或空气气氛及规定温度下通过量热法测定材料出现氧化放热的时间。氧化诱导时间是评价被测材料稳定水平或程度的一种手段,也可以用来评价试样中抗氧剂的效果。测量方法参见GB/T 19466.6—2009,在差示扫描量热仪(DSC)中进行。试样和参比物在惰性气氛(氮气)中以恒定速率升温。达到规定温度时,切换成相同流速的氧气或空气,然后将试样保持在该恒定温度下,直到在热分析曲线上显示出氧化反应。等温OIT就是开始通氧气或空气到氧化反应开始的时间间隔。氧化的起始点是由试样放热的突然增加来表明。通常试验温度越高,氧化诱导时间越短,在纯氧中测试会比普通大气环境下测得的氧化诱导时间短。

　氧化銦锡(ITO)靶材 　 ITO target for semiconductor　 通过物理气相沉积(PVD)在半导体芯片进行镀膜的溅射目标材料,氧化铟锡(ITO)是一种铟(ⅢA族)氧化物(In2O3)和锡(ⅣA族)氧化物(SnO2)的混合物,通常质量分数为90%In2O3、10% SnO2。ITO靶材是经过一系列的生产工艺加工成型,再高温气氛烧结(1600℃,通氧气烧结)形成黑灰色陶瓷半导体。具有良好的导电性和透光性。ITO靶材主要用于制作液晶显示器、触摸屏等。

　氧离子导体　 oxygen ion conductor　 以氧离子为传导离子的快离子导体。大多以立方萤石型结构的氧化物为基,如ZrO2、HfO2、ThO2、UO2、CeO2等,经过异价离子置换形成的具有氧空位的固溶体。其中又以ZrO2基固溶体研究得最多。ZrO2基固溶体一般分为两类:一类是以二价离子置换Zr,另一类是以三价离子置换Zr。它们在800~1000℃有较高的电导率,一般达10-2S/cm,最高达10-1S/cm。这类氧离子导体有着广泛的用途,如高温燃料电池的固体电解质,还可用以制造各类氧传感器。CeO2基固溶体常用三价稀土元素掺杂,其电导率较ZrO2基固溶体稍高,但在还原气氛中易被还原成Ce2O3,产生电子电导。Bi2O3基固溶体也是一类氧离子导体,通过在Bi2O3中添加二价、三价、五价或六价的金属氧化物形成,其中有些材料的电导率可比ZrO2基固溶体高一个数量级,但它们在低氧分压下会被部分还原为金属Bi,因此只能在一定的氧分压范围内应用。

　氧-硝基化合物　 参见硝酸酯(811页)。

　氧指数　 oxygen index　 评价材料燃烧性能的一种试验方法。在规定的试验条件下,在氧、氮混合气流中,测定刚好能维持试样稳定燃烧时所需的最低氧浓度,即为氧指数(OI),用氧在混合气体中的体积分数表示。测量方法可参考GB/T 10707—2008(橡胶)、GB/T 2406.2—2009(塑料)或ASTM D2683。根据材料的不同类型,如板材、型材、泡沫、软片或薄膜等,按规定的尺寸加工成试样,用夹具将试样固定在燃烧筒中心位置上;如为液体材料,则应按规定取一定量的试样放在特别的试样盘上,再固定在燃烧筒中。使氧、氮混合气流以规定的流速,由下向上流经燃烧筒中,根据需要调节氧、氮气体的流量,使氧浓度满足试验要求。根据试样形式确定点燃方式,用点火器点燃试样,记录试样的燃烧时间和燃烧长度,按规定的判据,采用“少量样品升降法”这一统计方法,确定是增加还是降低氧浓度。在不同的氧浓度下,试验一组试样,计算出氧指数。计算公式如下:OI=CF+Kd。式中,OI为氧指数,%;CF为一组试验中最后一条试样试验时的氧浓度,%;d为升高或降低氧浓度时所用的步长;K为采用“升降”法时查表得到的修正值。

　遥爪聚合物 　 telechelic polymer　 高分子链的一端或两端带一个活性基团的聚合物,分别称为单遥爪聚合物和双遥爪聚合物。它们在扩链剂、交联剂等助剂的存在下,能进一步反应形成类似硫化橡胶的弹性体。典型的遥爪聚合物有端羟基、端羧基聚丁二烯及端巯基、氨基、氮丙吡啶基、环氧基等不同主链结构的产品,如丁苯橡胶、丁腈橡胶、聚异丁烯、聚异戊二烯等的遥爪聚合物。遥爪聚合物可以直接应用,如作火箭燃料黏合剂。由于其分子量小,有流变性好的优点,易进一步加工成大分子。由于含有可反应的活性端基,遥爪聚合物也常用来制备嵌段共聚物、星形聚合物或树枝状聚合物等。

　药物释放系统　 drug release system　 又称药物传递系统(drug delivery system)、药物传输系统。指能够对药物(包括化学药物、多肽类药物、核酸类药物等)的释放速率和传递模式加以控制、调节的体系。通常由药物与载体构成,目的是使药物按设计剂量和特定方式释放至特定组织、器官、细胞及细胞器,从而达到最优化的疗效。与常规给药相比,其主要优点有:在治疗允许范围内维持稳定的药物水平,延长作用时间,减少给药次数,减少血药浓度的峰谷现象,降低毒副作用,减少耐药性产生,增加药物的稳定性,特别适用于一些毒副作用较大(如抗癌药物)或易失活的药物或生物制剂(如蛋白质和多肽药物)。药物释放系统具有多种多样的形态,常见的有纳米及微米粒子、凝胶、纤维、薄膜等。药物释放系统可经不同途径给药,如注射、口服、透皮、吸入等。

　冶金过程动力学　 kinetics of metallurgy process　 用化学动力学原理及宏观动力学方法研究冶金过程中的反应机理和速率,分析冶金反应路径及控制环节的学科。它是冶金过程物理化学的一个分支。其内容包括:①微观动力学。从分子理论角度研究冶金反应速率理论,以及吸附、催化、扩散等唯象定律在冶金中的应用。②宏观动力学。研究伴随有物质、热能及动量传递现象存在下的反应速率和机理。当结合反应器研究冶金反应的热力学和宏观动力学时,则形成冶金反应工程学。冶金过程动力学研究是提高冶金过程的冶炼强度、缩短冶炼时间、提高冶金产品质量、促进冶金工业自动化、探讨和开发冶金新技术及新流程的重要手段。

　冶金过程物理化学　 physical chemistry of metallurgy process　 简称冶金物化。应用物理化学的原理和方法,研究冶金过程(包括从矿石转变成金属或其化合物产品的全部冶炼过程)中的物理变化和化学反应规律的学科。研究目的在于指导冶金过程,探讨改进现有工艺和建立新工艺的理论基础,最终达到提高金属材料的质量、产出率以及获得创新品种。主要研究内容有:冶金过程热力学、冶金过程动力学、冶金与材料电化学、冶金熔体(溶液)理论、计算冶金物理化学和材料物理化学等。

　冶金熔体　 metallurgical melt　 冶炼过程中形成的熔融态物质,通常包括两种熔体:一种是由脉石、熔剂、燃料灰分熔合而成的上浮的炉渣熔体,另一种是含少量杂质的金属液或熔锍即金属熔体。

　叶蜡石　 pyrophyllite　 层状结构硅酸盐矿物。化学式为Al2[Si4O10](OH)2。单斜晶系,空间群-C2/c。鳞片状或隐晶质致密块体。白色、浅绿色、浅黄或浅灰色。玻璃光泽,致密块体呈油脂光泽。莫氏硬度1~2,平行{001}一组极完全解理,叶片柔软具挠性,密度2.65~2.90g/cm3。由酸性火山岩经热液蚀变而形成,在某些富铬的变质岩中亦有产出。可作绝缘、耐火材料,还可用于陶瓷、油漆、造纸等工业。中国浙江青田、福建闽候寿山县是著名的叶蜡石产地,是传统的工艺雕刻石材。

　IPS液晶 liquid crystal for IPS　 (in-plane switching)　 平面转换技术是日立制作所于1995年发布的新一代液晶面板技术,1996年进入实用化量产阶段。之后经过技术的不断革新,历经Super-IPS、Advanced-Super IPS、到2004年推出最新一代IPS-Pro液晶面板技术。IPS面板最大的特点就是它的两极都在同一个面上,而不像其他液晶模式的电极是在上下两面,立体排列。由于电极在同一平面上,不管在何种状态下液晶分子始终都与屏幕平行,会使开口率降低,减少透光率,所以IPS应用在LCD TV上会需要更多的背光灯。