原位生长金属基复合材料　 in-situ metal matrix composite　 制备过程中由物理化学反应原位内生的增强体与金属或合金组成的复合材料。原位生成的增强体一般为颗粒、晶须或片状的TiC 、TiB2、AlN、Al2O3、NiAl、TiO2等陶瓷或金属间化合物,可显著提高复合材料的强度、韧性、硬度和耐磨性。以Al2O3颗粒增强Fe—Cr—Ni合金复合材料为例,弯曲强度和断裂韧性分别达到1100MPa和18MPa·m1/2。由于增强体是从金属基体中原位形核、长大的热力学稳定性相,因此增强体表面及其与基体之间的界面洁净、无杂质污染,且界面为理想的原位匹配、结合良好,材料的热力学稳定性好,避免了传统工艺制备材料可能存在的第二相分散不均匀、界面结合不牢固、可设计性差等问题。常用的原位生长金属基复合材料制备工艺主要有:放热弥散法(XD)、接触反应法(DRS)、直接氧化法(DIMOX)、气液反应合成法(VLS)、反应喷射沉积法(RSD)、自蔓延高温合成法(SHS)、熔盐辅助合成法(FAS,又称混合盐法)等。原位生长金属基复合材料一般孔隙率较高,需要通过二次加工才能使用。原位生成的金属基复合材料制品已在汽车、燃气涡轮机及热交换机上得到一定的应用。

　原位生成起爆药　 primary explosive in-situ synthesis　 借助于基体金属或合金,通过气-固或气-液反应而与之发生化学反应,在基体原位生成尺寸细小、分布均匀的起爆药剂。这些原位生成的药剂与基体间的界面无杂质污染,两者之间有理想的原位匹配,界面结合牢固,药剂热力学稳定。

　原纤　 fibril　 纤维微细结构的基本组成单元,直径一般为10~30nm。在天然纤维中,指由若干微原纤按一定的有序结构结合在一起的更粗的大分子束。存在比微原纤中更大的缝隙、孔洞和非晶区。合成纤维的层状结构比较简单,原纤泛指纤维大分子平行有序排列的层状结构。

　原子簇聚　 atomic clustering　 又称原子偏聚溶体内在与某一组元原子相近邻的小范围内出现的同种原子的数目大于溶体中该组元原子平均值的现象。原子偏聚与溶体中原子的短程有序化正好相反。一般固溶体都会或多或少地显示出与理想的完全无序状态相偏离的现象,即若不出现短程有序,便会出现原子偏聚;反之亦然。原子偏聚的结果会在溶体中形成“原子团簇”,即由几个乃至上千个原子、分子或离子通过物理或化学结合力组成的相对稳定的微观或亚微观聚集体,是介于原子和分子与宏观固体之间的物质结构的一个层次。

　原子发射光谱　 atomic emission spectroscopy　 见光发射谱(269页)。

　原子/分子团簇　 atomic/molecular cluster　 由几个乃至上千个原子、分子或离子通过物理或化学结合力组成的相对稳定的微观或亚微观聚集体,其物理、化学性质随所含的原子数目不同而变化。团簇的空间尺度是几埃至几百埃的范围,介于原子/分子大小和纳米尺寸之间。团簇科学属于多学科交叉领域,是原子分子物理、量子化学、结构化学、无机化学化学、材料科学等学科的交叉。团簇涉及许多物质运动过程和现象,如催化、晶体生长、成核和凝固、相变、薄膜形成和溅射等。利用配位化学合成(液相反应)方法以及物理合成(气相生长)方法制备贵金属、半导体、金属氧化物以及无机金属配位化合物分子团簇。研究其在催化、发光、能源等方面的应用是纳米材料科学的前沿研究热点。目前团簇科学研究的主要方向有:①团簇的组成及电子构型规律,几何结构、稳定性规律;②团簇的制备和生长机制;③金属、半导体及非金属和各种化合物团簇的光、电、磁、力学、化学等性质与结构和尺寸的相关性;④新的理论对现有团簇效应和现象的解释,模拟团簇结构和动力学性质;⑤团簇表面的修饰和性能控制。

　原子间作用势模型　 interatomic potential model　 原子间相互作用对势的计算机模拟设计模型。

　原子能防护混凝土　 见防辐射混凝土(174页)。

　原子能级锆　 nuclear zirconium　 符合核工业应用的锆。其主要要求是锆中铪元素的含量小于0.010%(质量分数),此外,对于镉、硼、铀、钍等元素也必须严格控制。中国牌号Zr-O,ASTM标准牌号R60001。

　原子偏聚　 见原子簇聚(890页)。

　原子迁移率　 atomic migrativity　 原子迁移率即扩散系数,最初它是由经验性的菲克第一定律定义的。见扩散系数。

　原子推进剂　 atomic propellants　 用固氢颗粒储存原子氢;固氢颗粒储存在液氦温度下;用液氦使固氢流动。采用原子推进剂,有效载荷可提高264%~360%。例如,火箭采用含有50%(质量分数)原子硼的推进剂,有效载荷可以从96000kg增加到170000kg;火箭采用含有50%原子氢的推进剂,有效载荷可以从96000kg增加到475000kg。

　Arcan圆盘试件法　 Arcan disc specimens method　 Arcan等人提出采用具有中心反对称±45°切槽的圆盘试件,进行复合材料层合板平面内剪切性能的试验。

　ALD源　 atomic layer deposition sources　 又称原子层沉积源。原子层沉积是一种最近在超大规模集成电路器件制备中广泛使用的生长薄膜新技术。原子层沉积源和MOCVD源有很多相似之处,同属于高纯电子材料,纯度高达6N甚至7N。ALD源主要有无机源、金属有机源及有机金属源。通常经过化学合成、纯化、分析和包装等步骤制备,需要使用光洁度很高的不锈钢包装容器。大多数ALD源具有腐蚀性,遇空气、遇水分解、甚至爆炸、自燃。ALD源必须具备一定的挥发性。

　源漏导电材料　 source and drain electrode materials　 源漏导电材料一般是指场效应晶体管(FET)或有机发光显示器(OLED)中用于制备源漏电极(gate)的具有导电性能材料,源漏导电材料可以采用金属或金属合金材料以及氧化物半导体材料,例如铝(Al)和铝钕合金(AlNd)、钼铝钼多层结构(Mo-Al-Mo)、钛铝钛(Ti-Al-Ti)、氧化铟锡(ITO)等。