氧化锆生物陶瓷　 zirconia bioceramics　 由高纯二氧化锆(ZrO2)制备的一种近于惰性的生物陶瓷。是将含有少量稳定剂碱土氧化物(氧化钙,氧化镁)或稀土氧化物(氧化钇)的高纯ZrO2经过高温烧结而制得的。稳定剂的作用使氧化锆的正方和立方等高温相得以成为亚稳相于室温下部分地保留下来。与氧化铝陶瓷相比,由于氧化锆陶瓷可通过其结构中的高温相向室温斜方相转变而实现相变增韧,因此氧化锆生物陶瓷不仅具有良好的耐磨性、抗生理腐蚀性和生物相容性,而且其断裂韧性和强度均优于氧化铝陶瓷。用其制作的髋关节头也相应地比氧化铝关节头小达20%左右,从而具有更好的耐磨性和寿命。氧化锆生物陶瓷主要用于人工关节、牙种植体等硬组织修复和替换材料。

　氧化还原聚合 　 redox polymerization　 利用氧化还原反应产生自由基所引发的聚合反应。这种聚合体系的优点是活化能较低(40~60kJ/mol),可在较低温度下(0~50℃)引发聚合,有较快的聚合速率。氧化-还原引发体系的组分可以是无机和有机化合物,性质可以是水溶性和油溶性,氧化-还原反应的实质是电子转移反应。

　氧化还原型交换树脂　 redox exchange resin　 又称电子交换树脂(electron exchange resin)。是带有能与周围物质进行电子交换发生氧化还原反应的树脂。典型的氧化还原树脂是带有对苯二酚的,在不同电位下可发生氧化反应成为对苯醌,而与其进行电子交换的物质被还原,如它再与还原剂作用,醌基又被还原成酚基。由带有氧化还原基的单体经加聚或缩聚反应而成,也可先合成为大分子骨架,再引入具有氧化还原性的功能基。典型例子是带氢醌基的树脂与水及氧气作用,树脂变为醌式,水中出现过氧化氢。氧化还原树脂的特点是应用时进行氧化还原而不引入杂质以提高产物纯度,但目前应用还不够广泛。

　引线框架材料　 lead frame materials　 用于制造集成电路引线框架或半导体分立器件引线框架的材料。引线框架是为半导体芯片提供支撑并把芯片的电路与外部线路板提供连接作用的。理想的引线框架材料,必须满足以下特性:① 材料的导热导电性能要好,能通过较大的电流将半导体芯片在工作时所产生的热量及时地散发出去。② 材料要有足够的强度、刚度和成型性。一般拉伸强度要大于450MPa,延伸率大于4%。③ 材料要具有较低的热膨胀系数,良好的匹配性、钎焊性、耐蚀性、热耐性和耐氧化性。④ 平整度好,残余应力小。⑤ 易冲裁加工,且不起毛刺。⑥ 材料的成本要尽可能低,以满足大规模商业化应用的要求。引线框架材料常用的主要有两类:铜基引线框架材料和铁基引线框架材料。目前铜基引线框架材料已占80%以上,Fe-Ni42合金因价格较高在军工和特殊电路、器件应用。

　隐晶质结构　 aphanitic texture　 一种玻璃质结构向显晶质结构过渡的结构。矿物颗粒很细(大多<0.1mm),肉眼无法分辨出矿物颗粒,在偏光显微镜下也难于分辨,但有光性反映。具有隐晶质结构的岩石被称为隐晶岩。火山熔岩常具有这种结构。

　隐身材料　 stealth materials　 又称伪装材料,用于减弱武器系统特征信号,达到隐身技术要求的特殊功能材料。根据针对的特征信号类别,隐身功能不同,分为雷达隐身材料、红外隐身材料、可见光隐身材料、紫外隐身材料、激光隐身材料、声纳隐身材料、多功能隐身材料。隐身材料的应用方式有两种:将隐身材料固定覆盖在武器系统结构上的,称为隐身涂层;做成活动式的伪装网或伪装罩,或将结构材料做成兼有隐身和承载双功能的材料,称为结构隐身材料。从材质上看,仅在早期用过单一材质的隐身材料,现用隐身材料均是多种材质复合和多相结构的。深入研究微观结构对于隐身功能特性的影响,是隐身材料发展的重要特点。隐身技术主要是通过武器系统的结构设计改进和采用隐身材料来减弱特征信号的。结构设计的改进常常会造成其他性能的恶化。使结构设计隐身的作用受到了一定限制,需要隐身材料与其互补。隐身材料在整个隐身技术中占有十分重要的地位。

　隐身涂层　 stealth coating　 能使被涂目标与它所处背景有尽可能接近的反射、透过、吸收电磁波或声波特性的一类涂层。多数采用涂料涂覆工艺施工。涂料由黏结剂、填料、改性剂和稀释剂组成。填料是调节与电磁波或声波相互作用特性参数性粉末状原料,视不同的隐身对象而要求不同的特性参数:①为对抗紫外照相机摄影,要求涂层具有相应高的紫外反射率;②近红外侦察,要求涂层具有与其背景尽可能一致的近红外光谱反射率。并且还常将数种涂料按特定的图案涂布在同一目标上,实施变形迷彩,以扭曲目标形象,提高隐身效果;③为提高热红外隐身效果,一般采用低发射率涂层,或结合隔热涂层等措施,以降低目标发射热红外辐射的强度,使之与其背景相适应;④为与雷达探测技术抗衡,要求涂层对雷达波有极高的吸收率。使用较多的方法之一是在涂料中引入易将雷达波能量转化为热能或其他能的填料,方法之二是控制涂层厚度,通过涂层表面层的反射波与底层反射波干涉相消原理实现隐身;⑤对吸声涂层,要求涂层尽可能减少目标对声呐冲击波的反射,隐身涂层主要用于军事伪装,并在向一种涂层具有两种以上隐身功能的多功能隐身涂层的方向发展。在高层建筑、微波炉等民用领域也可有广阔的应用前景。

　印刷线路板　 见印刷电路板。

　印刷用炭　 carbon for printing　 又称印刷油墨 (printing ink)。炭黑因其黑度、着色力、光泽、色彩等光学特性以及流动性和化学耐候性等各种特性优良,在印刷中被用作主要的黑色颜料。

　印章石　 pyrophyllite　 又称图章石,矿物名为叶蜡石。中国的印章石品种繁多,主要有以下四大系:寿山石、青田石、昌化石和巴林石(中国四大名石)。寿山石产于福建寿山,以迪开石、叶蜡石、高岭石、伊利石、珍珠陶土等为主要矿物成分;莫氏硬度为2~3;呈弱的蜡状光泽;按产状和历史习惯可分为田坑石、水坑石、山坑石,黄色的田坑石又称田黄石。青田石产于浙江青田县,主要矿物成分为叶蜡石、迪开石、高岭石以及伊利石和绢云母等;呈典型蜡状光泽;可分为叶蜡石型和非叶蜡石型两类,其中叶蜡石型青田石占大多数。昌化石产于浙江昌化县,主要矿物成分为迪开石、高岭石,常含有未完全蚀变成迪开石的硬质石英斑晶,硬度远大于迪开石,工艺上称为“砂丁”,影响其工艺质量;含有辰砂的为昌化鸡血石。巴林石产于内蒙古赤峰市巴林右旗;是以高岭石、迪开石为主的多种矿物组成的黏土岩;莫氏硬度2~4;含有辰砂的为巴林鸡血石。其中,鸡血石、田黄石、青田石被誉为“印石三宝”。

　印制电路板　 见印刷电路板。

　印制线路绝缘材料　 insulating materials for printing circuit board　 用于制造印制线路板用的绝缘材料,主要指印制线路板的基材所使用的材料。早期的基材由纸、布、玻璃纤维织物等增强材料与热固型高分子材料复合而成,而近年来主要由热塑型高分子材料直接制成。用作基材的高分子材料主要包括酚醛树脂、环氧树脂、双马来酰亚胺、氰酸酯树脂、聚苯醚、聚酰亚胺、聚四氟乙烯等。根据所用基材的不同,而具有不同的力学性能、电气性能、机械加工性、剥离强度和耐热耐化学腐蚀性。酚醛纸、酚醛玻璃布、环氧玻璃布的组合适用于制造一般的电气、电子设备,仪器仪表以及其他电气设备中的印制线路板。由于具有优良的力学、介电、耐高温、耐辐射、耐腐蚀、耐烧蚀等性能,聚酰亚胺、聚四氟乙烯等适用于在较高的工作温度、较大的环境湿度及较高频率下工作的电气、电子设备、微波元件和宇航工业中的印制线路板。

　荧光玻璃陶瓷　 fluorescent glass ceramics　 稀土离子掺杂的荧光玻璃陶瓷是近年来出现了一种新型发光材料,它同时具有晶态和非晶态物质特征。在制备方法上,是通过热处理使基础玻璃中的晶核长大,从而形成均匀分布的微小晶体,控制微晶尺寸可以保持玻璃陶瓷的透明性,具有工艺简单、制备成本低的特性。通过调整组分及热处理条件,可以实现对玻璃网络结构和玻璃化能力的调节,达到析晶可控与稀土发光离子在纳米晶相中高掺杂的目的。荧光玻璃陶瓷兼具晶体和玻璃的一些优点,具有高发光效率、高透过率、高稳定性和发光波段可调等性能。在白光LED、光学放大器以及激光抽运的光通信领域具有很好的开发前景。

　荧光灯用荧光粉　 phosphor for fluorescent lamp　 荧光灯是利用汞蒸气放电产生253.7nm或 365nm等紫外线照射荧光粉而转换成可见光的原理所制成的灯。按灯中所充汞蒸气压的不同,分为荧光低压汞灯(汞蒸气压为4.5×10-3Pa)和荧光高压汞灯(汞蒸气压大于75Pa)。故荧光灯用荧光粉分为低汞灯用荧光粉和高压汞灯用荧光粉、医疗灯用荧光粉和三基色灯用荧光粉等。低压汞灯用荧光粉按应用领域又分为普通荧光灯用荧光粉、彩色荧光灯用荧光粉、黑光灯用荧光粉。低压汞灯用荧光粉应满足下列条件:它们必须是白色或尽可能为白色的无机材料,以使对可见光的吸收尽可能的少;必须对253.7nm和185nm 紫外线有很强的吸收带并辐射可见光,这些光学特性应在40~50℃范围内达到最佳值;此外应能制成细粉,而不损失荧光效率,并在长期使用过程中能保持其荧光性能不衰变。从生产上要考虑制备难易,原料来源和生产成本等因素。高压汞灯用荧光粉即涂在高压汞灯内壁上,主要用来改善高压汞灯的颜色,使红色区域的辐射更充分。其持性是:在高压汞放电辐射的范围内365nm和253.7nm具有较高的吸收和辐射效率;在红色光谱区有占优势的辐射;发光要有较好的温度特性,亮度猝灭温度不低于200℃;其他要求与低压汞灯用荧光粉相同。荧光灯用荧光粉主要用来照明,其次是装饰。

　荧光分支比　 fluorescence branching ratio　 比较由同一能级向不同能级跃迁的荧光相对强度的物理量。从能级Ej向几个低能级(Ej=1,2,…)跃迁的荧光分支比定义式为:

式中,Iij(λ)是在波长λ处的荧光强度,对所有的跃迁终能级Ej进行叠加。这说明,某个跃迁的积分强度与所有的从同一高能级跃迁的积分强度总和的比值就是这个跃迁的荧光分支比。比如,当光照射Nd3+:YAG时,Nd3+吸收泵浦光的能量,跃迁到高能态,最后弛豫到1能级,此能级寿命为0.23ms,形成对1、1、1、1等能级的粒子数反转。当Nd3+从4。能级向这些能级跃迁时,就产生荧光。算得荧光波长为0.916μm(1)、1.06μm(4)、1.318μm(1)的荧光分支比分别为β0.916=15%,β1.06=60%,β1.318=15%,这三支谱线中,λ=1.06μm的荧光最强。实验中,通常用取样积分器(Boxcar)给出荧光的积分强度,然后根据定义算出相应波长的荧光分支比。它是物质荧光光谱分析中的一个重要参量。