远程结构　 long-range structure　 又称长程结构或高分子的二级结构。主要指高分子单链或多链或更大尺度上的结构。远程结构研究的是整个高分子链的大小和形状。高分子链的大小一般用分子量来表示,高分子链形状一般有伸直链结构、折叠链结构、无规线团结构等。远程结构是高分子特有的结构(小分子不存在远程结构),高分子的远程结构影响着高分子链的柔性,致使高分子有高弹性。

　远端保护器　 distal protection device　 介入治疗前放于狭窄部位远端,由金属丝编制的固定在导丝上的过滤网。用于阻止脱落斑块通过,避免发生栓塞。远端保护装置首先运用于颈动脉支架术,一般血栓抽吸和远端保护器是配套的、相辅相成的,从功能上可以分为远端滤过型、远端阻塞型、近端阻塞型和血栓抽吸型。①远端滤过型。包括一个非阻塞型过滤网,形似风向袋,套着一个镍钛诺圈,并固定在其导丝上,该装置可以通过3.2F释放鞘释放。镍钛诺圈可以根据血管直径自己膨胀到直径3.5~5.5mm,并且可以沿着导丝完成介入手术。最后,采用4F回收鞘回收装置。②远端阻塞型。由一根远端连接球囊的导丝和5F的抽吸管组成,导丝外径0.014in(1in=0.0254m),与外径0.028in球囊相通。手术时,充盈阻塞球后,使用抽吸管由近到远抽吸6次,然后使用PCI球囊预扩张病变组织并植入支架,或者抽吸后直接植入支架。再次使用抽吸导管由远至近抽吸后去充盈阻塞球囊。③近端阻塞型。这个系统由在狭窄上游阻断血流以便进行介入手术的球囊构成。在任何器械通过病变区时该装置都可以起到保护的作用。④血栓抽吸型。在其保护腔内有一个1.5mm或者2.0mm的不锈钢螺旋切割刀,该保护连接到4.5mm或者5.5F双孔导管上,其中一个为导丝孔,另一个为真空/抽吸孔。该导管连接到手提控制器和收集碎屑的真空瓶上。开动控制器即启动螺旋切割刀,后者伸出保护腔,开始切割并且启动真空抽吸。

　远红外辐射搪瓷　 far infrared radiation enamel　 在金属基材上覆盖一层远红外辐射物质,加热时能辐射出远红外线的搪瓷。如:瓷釉以ZrO2·SiO2为主体,瓷层具有较宽的辐射波段,能与分子振动波长相匹配,从而引起分子共振,使受辐射物体发热达到干燥。

　约瑟夫森结　 Josephson joint;SNS　 它是由两个超导体通过弱连接构成的。其中弱连接可以用薄绝缘壁(称为超导-绝缘-超导接点,或S-I-S)、短的非超导金属节(S-N-S)或一种物理上能收缩以减弱连接点超导性的物质(S-s-S)构成。每一个约瑟夫森结都具有一个临界电流。如果流过约瑟夫森结的电流小于这个临界电流,则约瑟夫森结上无电压降。电流稍大于临界值,就会发生多重安德烈夫反射。电流大到使结两边电压差超过超导体的带隙时,电流-电压关系就变得线性,多重安德烈夫反射消失。

　越窑瓷　 Yue ware　 中国古代南方著名的青瓷。多以拉坯成型为主,也有采用捏塑成型。越窑瓷起源于东汉,发展于六朝时期,鼎盛于唐宋。越窑瓷具有瓷质光泽,透光性较好,吸水率低,在1260~1310℃的高温下烧成,器表通体施釉。

　云灰岩　 参见白云质灰岩(9页)。

　云母类硅酸盐结构　 mica silicate structure　 属层状硅酸盐一类结构。其结构与滑石、叶蜡石相似,属三层结构。硅氧双层[Si4O10]4-中的Si4+部分被Al3+所置换(大多数置换为1/4,少数为1/2),层内出现的剩余电荷要求结构层之间须有较大的阳离子存在,以平衡电荷。根据云母结构层内八面体层阳离子的种类和充填数,可将云母划分为二八面体型和三八面体型。三价阳离子(如Al3+)只填充了2/3的八面体空隙,称二八面体型(如白云母);二价阳离子(如Mg2+、Fe2+等)充填了全部的八面体空隙,称三八面体型(如黑云母、金云母等)。

　孕育剂　 inoculant;inoculating agent　 又称变质剂。铸铁孕育处理所用的添加剂。灰口孕育铸铁多采用硅铁(主要为硅含量75%的硅铁)或硅钙合金作为孕育剂,其主要目的是降低白口倾向、细化石墨,从而提高铸铁强度。此外,生产韧性铸铁的白口坯料时也往往适当加入孕育剂,如硼-铋复合孕育剂,但其主要目的是得到完全的白口组织并在随后的石墨化退火时促进石墨核心的形成。

　孕育铸铁　 inoculated cast iron　 又称变质铸铁。铁液经过孕育处理而改善了组织和力学性能的亚共晶高强度灰口铸铁。由于普通铸铁中片状石墨对铸铁基体有割裂作用,并在石墨片的尖端造成应力集中,大大降低铸铁的强度,因此要求尽量细化石墨并减少石墨析出。加入孕育剂后,在共晶凝固过程中可促进晶核的大量形成,从而细化了共晶团及石墨,并使石墨形状适当球化(一般呈团絮状),且一般还可使基体组织容易转变为珠光体。常用孕育剂为颗粒状硅铁。孕育铸铁的抗拉强度一般为200~400MPa,抗弯强度为450~600MPa,抗压强度为1000~1300MPa。孕育铸铁广泛用于高强度铸件如铸铁管、泵体等。

　杂化人工器官　 hybrid artificial organ　 由活体细胞与一种或多种生物材料共同构建的人工器官。由于它具有活体组织的全面功能,材料又能促进细胞生长、增殖、分化从而对受损噐官进行修复,因此具有很大的潜在应用价值,是组织工程和再生医学研究的重要内容,目前尚无临床应用产品。

　杂化太阳电池　 hybrid solar cells　 由无机半导体材料与有机半导体材料杂化形成的太阳电池。一般情况下,p型有机聚合物半导体作为电子给体及空穴传输材料,n型半导体纳米晶或者量子点作为电子受体及电子传输材料。其工作原理是:太阳光入射后在有机半导体或者无机半导体中产生激子,激子扩散到相界面发生电荷分离,形成分别可以在两相中自由移动的电子和空穴电荷载流子,电荷载流子传输到电极并被外电路收集。杂化的方式可以是将无机相、有机相在溶液中共混,然后通过旋涂、丝网印刷及喷墨打印等方式在衬底上形成电池活性层,也可以首先在衬底上制备无机相或者有机相结构,然后再沉积有机相或者无机相。根据杂化太阳电池有机相和无机相的几何结构分布,杂化太阳电池可以分类为:电子给体/受体双层异质结、本体异质结和有序异质结。一般地,双层异质结由于受到激子扩散长度仅为几十纳米的限制,其活性层厚度不能太厚,不利于最大程度地吸收太阳光,因此电池电流受到限制。本体异质结和有序异质结则有利于充分增加吸光材料,提高电池电流及性能。杂化太阳电池可将有机聚合物分子结构易“裁剪”、低成本以及无机半导体的电荷迁移率高的优点互相结合,且具备易制备柔性器件等优点。

　再结晶控制轧制　 recrystallization controlled rolling; RCR　 在形变奥氏体完全再结晶温度以上的温度范围进行轧制变形,使形变奥氏体在每一轧制道次变形过程中或道次间传搁过程中发生完全再结晶从而使奥氏体晶粒细化,由于各轧制道次均发生再结晶细化从而可得到十分细小的奥氏体晶粒组织,特别是发生动态再结晶可使再结晶晶粒显著细化,由此使钢材性能明显提高的轧制工艺称为再结晶控制轧制。压低形变奥氏体完全再结晶温度、均热时控制初始奥氏体晶粒的长大、控制每道次的形变量和形变速率以保证发生再结晶特别是动态再结晶、终轧后加速冷却以避免奥氏体晶粒长大,是再结晶控制轧制工艺的重要控制内容。

　隐形玻璃　 见隐身玻璃(863页)。

　隐形眼镜　 参见角膜接触镜(363页)。

　印花革　 printed leather 　 采用印刷方法在皮革表面印出各种花纹而得到的皮革。