邢窑瓷　 Xing ware　 唐五代最著名的白窑瓷场,有邢窑白瓷“天下无贵贱而通用之”的美誉。窑址在今河北省邢台县,因唐时地属邢州,故名邢窑。邢窑除烧造白瓷外,还烧造青、黑、黄釉瓷等产品。邢窑白瓷胎质坚实,胎质细洁纯白,器内施满釉,器外釉不到足。在胎、釉之间有一层化妆土,作为护胎釉。其细白瓷釉面光滑,色泽雪白莹润,有“邢瓷类银”“邢瓷类雪”的美誉。邢窑的精细白瓷,选用优质瓷土烧成,胎质坚实细腻,胎色洁白如雪,釉质莹润,有的薄如蛋壳,透明性能极佳,还原焰烧成。一般器物纯白光亮,有些则白中微微泛青。

　形核率　 nucleation rate　 单位时间内单位体积形成新相的晶核数。对于凝聚态中的形核率N一般可表示为:N=Aexp[-ΔG*/(kT)]exp[-Q/(RT)],式中,A为常量;ΔG*为形核功,即形成一个临界晶核所需自由焓大小;k为玻尔兹曼常数;Q为原子扩散激活能。在确定N的两个指数项exp[-ΔG*/(kT)]及exp[-Q/(RT)]中,前者随相转变的温度的下降而增加,而后者则相反,因而在两相平衡临界点(T0)之下,在某个中间温度,N一般具有极大值。

　n型超导体　 参见空穴型掺杂超导体(448页)。

　Ⅰ-型断裂韧性试验　 model Ⅰ fracture toughness testing of composite　 又称张开型断裂韧性试验。是测量复合材料断裂韧性的一种试验方法,常采用双臂悬梁试样,用单向层合板作试样,试样一端沿厚度方向的中心面要制备一个穿透宽度的预制分层裂纹(它是在压制层合板时加进去的一层很薄的聚四氟乙烯膜),并在该端上下表面粘贴上铰链,以便施加拉伸载荷,用光学显微镜从试样两侧测裂纹扩展的长度,每次加载使裂纹扩张到一定长度后卸载,反复多次,累计每次的载荷和裂纹长度,可求出载荷与裂纹相关的曲线。由此可算出能量释放速率。本试验成败的关键是必须保证试样处在纯拉伸应力下,试验中不出现弯曲和非线性变形,试样的制备也有一定要求。

　Ⅱ-型断裂韧性试验　 model Ⅱ fracture toughness testing of composite　 又称位错型断裂韧性试验。是测量复合材料断裂韧性的一种试验方法,常采用边缘缺口弯曲双试样,用单向层合板作试样,试样一端沿厚度方向的中心面要制备一个穿透宽度的预制分层裂纹(它是在压制层合板时加进去的一层很薄的聚四氟乙烯膜),用三点弯曲形式加载,试验过程中,层与层之间会产生相对位错,预制裂纹处的层间剪应力最大,由测得的载荷和试样变形的关系曲线算出能量释放速率。

　H型钢　 H section steel　 断面形状为H形的型钢。H型钢的截面模数较大,相同截面积条件下可承受较大的弯扭载荷和复杂载荷,用于工程结构可明显节约材料并降低自重。H型钢与I型钢的主要区别是其翼缘内外侧相互平行且各个部位均成直角,拼装连接成各种构件较为方便,可节约焊接或铆接工作量。H型钢(GB/T 11263—2010)可分为宽翼缘(HW)、中翼缘(HM)、窄翼缘(HN)、薄壁(HT)和桩类(HP)。H型钢的钢种为非合金结构钢和低合金高强度钢,主要采用专门的H型钢轧机生产。常用于要求承载较大、截面稳定性高的大型桥梁、高层建筑、重型设备、高速公路、机场、基础桩、支架等工程结构。

　n型杂质　 见施主杂质(680页)。

　p型杂质　 见受主杂质(691页)。

　杏仁状构造　 amygdaloidal structure　 次生矿物充填火山岩中气孔而形成的一种构造。多见于中基性火山岩中,充填矿物以方解石、沸石类、玉髓等为主。

　雄黄　 realgar　 环状结构硫化物矿物。化学式为AsS或As4S4。单斜晶系,空间群-P21/n。晶体呈柱状,有时为针状,集合体呈致密块状、土状、粒状。橘红色,条痕浅橘红色。金刚光泽,断口为树脂光泽。透明至半透明。平行{010}一组完全解理。摩氏硬度1.5~2,密度3.56g/cm3,性脆,阳光久照成红黄色粉末,非导电体。在α粒子照射下引起脉冲传导性。产于低温热液矿床,常与雌黄、辉锑矿、黄铁矿、方解石、石英等共生。是重要的提炼砷的矿物原料,常用于中药。

　旋光光纤　 faraday rotation optical fiber　 在磁场作用下产生偏振面旋转的光纤。玻璃在纵向强磁场的作用下变为旋光性。即平面偏振光沿外磁场方向透过玻璃,则可观察到光的偏振面发生旋转。转角θ与磁场强度H和介质中光程L之乘积成正比θ=VHL　其中V为维尔德(Verdet)常数。阶跃单模光纤传输的是线偏振模LP01,因此法拉第旋光现象也将在单模光纤中出现。由于石英光纤的Verdet常数很小(V=1.66×10-4),所以把某些顺磁稀土离子掺入光纤的纤芯以增强这种光纤对磁场的敏感能。

　旋光性高分子　 optically active polymer　 又称光学活性的高分子。含有手性不对称碳原子,或因在固态、溶液中存在规整的螺旋结构从而具有旋光性的高分子。

　旋转模塑　 见滚塑成型(292页)。

　漩涡缺陷　 swirl defect　 半导体材料中呈漩涡状分布的微缺陷,这种分布与晶体生长的热场不完全对称、熔体对流以及晶体旋转相关。漩涡缺陷主要发生在无位错硅单晶中,用X射线透射形貌法或化学腐蚀法显示其呈同心圆状、偏心圆状或螺纹状的横断面分布,在单晶纵断面上则呈条纹状分布。无位错区熔硅单晶中通常有A类和B类漩涡缺陷。A类漩涡缺陷由位错环和其聚集体构成,B类漩涡缺陷的本质未彻底弄清,一般认为是由硅自间隙集团和一些碳原子构成。无位错直拉硅单晶中的漩涡缺陷的分布和区熔单晶近似,但其产生的主要原因是过饱和的氧杂质和点缺陷共同作用的结果,即形成了氧沉淀及其诱生层错和位错环。

　选择分离高分子复合材料　 selective separative polymeric composite　 是由聚合物或高分子复合材料制得的具有分离流体混合物功能的复合材料。依据膜的选择透过性,将分离膜作间隔层,在压力差、浓度差或电位差的推动力下,借流体混合物中各组分透过膜的速率不同,使之在膜的两侧分别富集,以达到分离、精制、浓缩及回收利用的目的。单位时间内流体通过膜的量(透过速度)、不同物质透过系数之比(分离系数)或对某种物质的截留率是衡量膜性能的重要指标。