钽酸锂铁电陶瓷　 LiTaO3 ferroelectric ceramics　 具有LiTaO3结构的铁电陶瓷。属于点群3m。实际上从结构、性能、制备及应用等方面看,LiTaO3都是铁电单晶体,而极少也极难做成陶瓷。原材料为Ta2O5和Li2O。室温时,LiTaO3的自发极化强度Ps=50×10-2C/m2,相对介电常数为10~50,压电常数d33=9.2pC/N。主要作为电光和电声晶体使用,适于微波超声传播,可用作微声器件材料。利用LiTaO3的横向效应作光调制,调制电压仅为KDP晶体的1/40。LiTaO3铁电薄膜用于光波导调制器。利用LiTaO3的热释电性还可制成亚毫微秒的高速探测器。用掺入Cu离子的LiTaO3晶体,可制出能探测100ps的快速光脉冲热释电探测器。

　钽酸钇:铽(Ⅲ)　 yttrium tantalate activated by terbium 　 YTaO4:Tb3+。白色粉末。它是X射线、阴极射线和紫外线253.7nm激发下很有效的发光材料。峰值波长545nm,荧光色为绿色。合成方法:按摩尔比混合Y2O3、Ta2O5、Tb4O7于1150~1350℃预烧一次后,在还原条件下于1350~1550℃再灼烧而成。组成式:(Y0.97Tb0.03)TaO4。相似的荧光粉有:(La0.97Tb0.03)TaO4;(Gd0.97Tb0.03)TaO4;(Lu0.97Tb0.03)TaO4。用作X射线增感屏用荧光粉。

　炭布(毡)　 carbon felt　 以沥青为原料,用熔吹法纺成的布(毡)状短纤维,经不熔化、炭化制成,其耐热性、隔热性良好。

　炭黑　 carbon black　 由约95%以上非晶质炭构成的纳米级微粒,相对密度为1.8~1.9,颗粒状炭黑的堆相对密度为0.35~0.4,粉末状炭黑的堆相对密度为0.04~0.08。由比表面积、二次结构、聚集体分布等作为其质量标准,是工业生产的基础原材料。

　炭膜　 carbon film　 膜状高分子热处理得到的,或气相化学沉积等方法在各种基板上沉积的碳质薄膜。通常将厚度从数纳米的超薄膜至100μm左右以下的称为膜,0.1mm以上的称为片。

　碳材料　 carbon materials　 由碳原子组成的具有不同结构与性质的同素异形体,例如三维金刚石晶体、二维石墨层片、一维碳纳米管、零维富勒烯分子等,它们在硬度、光学特性、耐热性、耐辐射特性、耐化学药品特性、电绝缘性、导电性、表面与界面特性等方面具有比其他材料更为优异的性能。

　碳当量　 carbon equivalent　 把铸铁或钢中相关合金元素对钢铁材料的某种性能的影响折合为相当碳含量的影响,用于判定钢铁材料该性能的好坏。①焊接碳当量,把相关合金元素对钢材焊接性能的影响折合为相应的碳当量,低碳钢和低合金钢中常用的焊接碳当量Ceq的经验公式为:Ceq(%)=wC+wMn/6+(wCr+wMo+wV)/5+(wCu+wNi)/15,碳当量数值越大,被焊钢材的淬硬倾向越大,焊接时产生焊接裂纹的倾向也就越大,因而可用碳当量来预测钢材的焊接性,并确定是否需要采取预热或适当的工艺措施来保证焊接过程的顺利进行。②铸铁碳当量,把相关合金元素对铁碳共晶成分的影响折合为相应的碳当量,由此可判断铸铁流动性乃至铸造工艺性能的好坏。对合金元素含量较少的铸铁而言,碳当量的计算公式为:CE(%)=wC+(wSi+wP)/3,碳当量接近共晶碳含量时液态铁水具有最好的流动性。

　碳导电滑板　 pantograph slider　 用于电气铁路机车上部与架设在轨道上的导线接触的部件,起到把外部电流导给电动机车上的电动机的作用。

　碳发热元件　 carbon heating element　 用作通电发热体或高频感应加热用的炭材料,主要包括人造石墨、碳纤维增强碳基复合材料和大型石墨化炉2500℃以上用作发热材料的焦炭。

　碳分子筛　 molecular sieving carbon; molecular sieve carbon　 具有0.4nm左右及均匀微孔的炭材料,可作为变压吸附法的气体分离、精制用吸附剂而用于各种工业领域。

　碳弧焊　 carbon arc welding　 电弧焊的一种。利用碳棒或石墨棒与工件之间形成的电弧作为热源进行焊接的方法。电源为直流弧焊发电机或弧焊整流器,采用直流正接,焊接时视需要可加或不加填充金属。可用于焊接钢、铸铁、有色金属等。也可用于表面堆焊。由于保护效果差,只适用于要求不严格的场合,如一般低碳钢容器的焊接。双极碳弧焊是一种变化形式,双极电弧焊枪中电弧在两个碳棒之间形成,工件不是电路的一部分。碳弧焊可用于堆焊、钎焊,但主要用于堆焊和维修工作。通常采用小电流,只要能保证填充金属在工件上的自由流动即可,由此防止碳极过快烧损。

　碳化　 carbonization　 非碳原子与碳化合生成碳化物的反应。碳化生成的物质主要是由碳组成的碳化物而不是碳的化合物。

　碳化锆前驱体　 zirconium carbide precursor　 一般是指热解产物为ZrC陶瓷的聚合物或混合物。ZrC的熔点为3540℃,密度6.66g/cm3,热膨胀系数6.7×10-6℃-1,不溶于盐酸,但溶于硝酸。ZrC陶瓷的制备方法主要包括:Zr和C直接化合法、碳热还原法、化学气相法、前驱体法等。前驱体法一般是指以Zr源化合物(如氯氧化锆、异丙醇锆、乙酰丙酮锆、硝酸氧化锆等)、C源化合物(如酚醛树脂等)的混合物为原料,在高温下反应制备得到ZrC陶瓷的方法。或采用含氯的锆化合物(如环戊二烯氯化锆、四氯化锆等),经反应引入CC键,通过交联得到碳锆聚合物,在高温下热解得到ZrC陶瓷。可用于制备ZrC陶瓷粉体、ZrC复合材料等。现已有报道采用聚锆氧烷PNZ为锆源、炔丙基酚醛PN为碳源制备了一种ZrC液相陶瓷前驱体PNZ-PN,该前驱体经1600℃热解能够转化为高度结晶的ZrC陶瓷。

　碳化锆涂层　 zirconium carbide coating　 超高温碳化物涂层的一种。ZrC 涂层的制备方法主要有热蒸镀、脉冲激光沉积、磁场溅射和化学气相沉积等。碳化锆密度为6.7g/cm3,熔点3380℃,在700℃氧化环境中生成氧化锆,该涂层具有优异的高温力学稳定性、抗高速气流冲刷性、抗烧蚀性、抗热震性和化学稳定性。碳化锆涂层能够适应超高音速飞行、大气层再入、跨大气层飞行和火箭推进系统等极端环境,可用于飞行器鼻锥、机翼前缘、发动机热端等各种关键部位或部件。

　碳化硅膜　 silicon carbide film　 碳硅化合物的薄膜。化学计量比的碳硅化合物化学势为SiC,它有立方(β-SiC)和六方(α-SiC)两种结构,后者根据密排面堆垛次序不同,有三种多型体。SiC机械强度高,耐高温和耐腐蚀性优良,块体SiC的硬度为HV22.5~25GPa。SiC薄膜可用化学气相沉积(CVD)、反应溅射、射频溅射和射频离子镀等方法制备。在多数情况下,得到α-SiC和β-SiC共存的双相组织,硬度为HV25~10GPa。用CVD法在基材温度高于1000℃条件下,可得到化学计量比的SiC,其硬度高达HV20~60GPa。当基体温度较低时,低于HV30GPa。当基体温度低于600~700℃时,可得到非晶SiC膜,其硬度低于HV16GPa。在α-SiC和Si(111)上都已分别成功地生成了α-SiC和β-SiC的单晶膜。为了得到高质量的单晶膜,基体反应温度应保持在1000~1500℃。SiC膜除用作耐磨镀层外,还可用作薄膜热敏电阻器,光电子学和高温半导体器件,以及聚变堆的第一壁材料。