维氏硬度　 Vikers hardness　 将一个顶角为136°的正四棱锥体的金刚石压头,用一定的负荷P压入到被测物体的表面,保持一定的时间后,卸去载荷,测出压痕两对角的长度d,则单位压痕面积上的载荷即为被测物体的维氏硬度:HV=0.1819p/d2(MPa)。

　尾气颗粒物过滤材料　 exhaust particulate filter materials　 安装在汽车排气管内的微粒捕集器(diesel particulate filter;DPF)中采用的过滤体材料。尾气过滤材料主要分为三大类:陶瓷基、金属基和新型过滤体材料。常用的陶瓷基过滤材料有堇青石蜂窝陶瓷、泡沫陶瓷、编织陶瓷纤维等;金属基过滤材料如金属丝网、金属纤维毡等。金属基材料强度高,能耐高温,抗腐蚀性好,但其过滤效率较低;新型过滤材料常见的有新型碳化硅、紊流金属载体、炭化微米木纤维。新型碳化硅材料及紊流金属载体等相对于传统材料表现出更加优异的性能。炭化微米纤维绿色环保、成本低廉、过滤效率高,是一种比较有前途的过滤体材料。

　卫生搪瓷　 sanitary enamel　 用搪瓷制作的卫生洁具。主要有浴盆和盥洗器等。一般用钢板或铸铁作为坯体,表面涂烧耐水性较好的瓷釉。有的浴盆在内底部釉面涂烧有花纹图案的防滑涂层。

　卫生整理剂　 见抗菌剂(435页)。

　卫浴陶瓷　 sanitary porcelain　 又称卫生陶瓷或卫生洁具,是指卫生和清洁盥洗用的陶瓷制品。坯体主要原料包括长石、石英、高岭土和高塑性黏土,一般施乳浊釉,釉用原料包括长石、石英、石灰石、滑石、氧化锌和锆英砂等,一般在1250~1280℃条件下一次烧成。绝大部分制品为乳白色,常用乳浊剂有锆英石和氧化锡等。

　未再结晶控制轧制　 non-recrystallization controlled rolling; NCR　 在形变奥氏体无再结晶温度以下的温度范围进行轧制变形,使形变奥氏体晶粒在每一轧制道次变形过程中被拉长压扁,所有道次的拉长压扁效果被累积,同时在晶粒内部产生大量的形变带组织,使得奥氏体有效晶界面积大幅度增加,在随后的奥氏体-铁素体相变时可得到非常细小的铁素体晶粒组织,由此使钢材性能明显提高的轧制工艺称为未再结晶控制轧制。升高形变奥氏体无再结晶温度、控制每道次的形变量和形变速率特别是总的未再结晶累积形变量、终轧后控制冷却并与形变诱导铁素体相变有机结合,是未再结晶控制轧制工艺的重要控制内容。

　位错胞　 dislocation cell　 金属变形初期,位错线开始缠结,这些缠结的位错分布并不均匀,逐步形成明显的胞状亚结构。对面心立方金属,大多数位错聚集在一起组成胞壁。对层错能高易发生交滑移的金属,胞壁易形成,随着形变量的增加,位错密度不断增加,胞状结构日益明显,胞的尺寸也越来越小,经10% 形变后,典型的胞状结构的尺寸为1~2μm,胞壁的厚度约为这个数值的1/5。在室温及低温变形时,体心立方金属的位错结构与面心立方金属类似,随着形变量的增加,胞的尺寸也愈来愈小。位错胞的形成导致基体硬化。

　位错割阶　 参见位错攀移(772页)。

　位错环　 dislocation loop　 位错是晶体中已滑移区域与未滑移区域的分界,这两个区域的分界线(即位错线)在晶体中形成的一个封闭的环圆。

　位错能量　 dislocation energy　 位错在晶体中引起畸变,使晶体的内能增加的能量。它包括两部分:一是位错核心的能量;二是核心外的能量,一般称为位错的应变能。运用弹性力学计算单位长度位错应变能为:对螺型位错U应变=(Gb2/4π)ln(r1/r0) ,对刃型位错U应变=[Gb2 ln(r1/r0) /4π](1-γ),G是晶体的剪切模量;γ是泊松比;b是位错的柏格斯矢量的大小, r0是胡克定律失效的小区半径,可以理解为位错中小区的半径;r1是弹性应为场的半径。对于位错核心因为那里原子错排严重,不能简化为连续弹性体,主要考虑对象是滑移面上、下面两层原子的相互作用能,它称为失配能或错排能,据估算,它大约为位错弹性应变能的1/10。

　位错扭折的形成　 formation of dislocation kink　 两位错交割产生的小段位错。它位于所属位错的滑移面上,其长度可能只有几个原子间距。位错线上垂直于滑移面的曲折部分为位错割阶(jog) 。刃型位错中扭折部分,其本身为一螺型位错,而割阶部分仍然是刃型位错,但具有新的滑移面。对螺型位错中扭折与割阶,按其特征两者都是纯刃型位错。

　位错攀移　 dislocation climb　 刃型位错在垂直于滑移方向的运动。对于一个正刃型位错,当原子从多于半原子面边缘跳入点阵间隙位置或位错近旁的空位上,都能使位错向上攀移。反之,若有间隙原子扩散到位错线上,或者位错旁边点阵位置上的原子进入多余半原子面,都会使位错向下攀移。位错的攀移一般不能使位错线整体的移动。如果位错线一段发生攀移而其余部分未攀移,造成一条位错线停留在两个平行的滑移面上,中间出现一段其长度数量级约等于原子间距的曲折,这一段曲折叫作位错割阶。对金属及合金,位错攀移速度受到割阶浓度、割阶移动速度以及空位扩散速度所制约,因而位错攀移在常温下是难以进行的,但在高温下许多过程(如蠕变回复)中却起着重要作用。

　位错塞积　 dislocation pile-up　 在一滑移面上有许多位错被迫堆积在某一障碍物前面而形成的位错塞积群。这些位错由于来自同一位错源,所以具有相同的伯格斯矢量,而晶粒间界是常见的障碍物。但有时障碍物可以由塑性形变过程中位错的相互作用产生。垂直于位错线方向塞积位错群的长度正比于位错总数N反比于外加切应力。位错塞积群的一个重要效应是在它的前端引起应力集中。理论分析表明:当N 个位错被外加切应力推向障碍物时,在塞积群的前端将产生N 倍于外力的应力集中,应力集中效应能够使相邻晶粒屈服,也可能在晶界引起裂纹的形成。

　温差电动势　 thermoelectromotive force　 见塞贝克效应(648页)。

　θ温度　 theta temperature　 参见 θ态(713页)。