硫化锌　 zinc sulfide　 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料之一。闪锌矿型或纤维锌矿型结构。晶格常数5.11Å(a=3.814,c=6.257),禁带宽度3.6(3.8)eV,直接跃迁型能带结构。电子和空穴迁移率分别为120cm2/(V·s)和5cm2/(V·s)。通常为强补偿单一电子导电型。有显著的电致发光和光致发光效应,发光覆盖了全部可见光至紫外光波段,掺入不同的激活剂(钼、铝、锰、铅、银和氯等)可得到从蓝色至橙色的发光。多晶在可见光、红外光学系统和大功率激光器中作窗口或透镜等光学元件及其镀膜。单晶用于激光、发光和光调制器等。微晶粉主要用于电致发光、光致发光和阴极射线等发光显示屏,也用于涂料、油漆、橡胶、白色和不透明玻璃的染色过程。

　硫化锌:锰(Ⅱ)　 zinc sulfide activated by manganese　 ZnS:Mn2+　白色粉末,六方晶系。在直流电场作用下发出黄橙色荧光。峰值波长590nm,色坐标x=0.522~0.532、y=0.460~0.470。合成方法:将ZnS和MnSO4混合均匀,在还原性气氛下灼烧而成。此荧光粉需包铜,将灼烧而成的ZnS:Mn快速投入含1.0%~1.4%CuCl2溶液中,进行超声波处理,在荧光粉上形成薄薄的一层硫化铜保护层。荧光粉中含Mn量为0.7%~1.3%,灼烧温度为700~800℃,时间1.5~3h。锰激活的硫化锌还可制成薄膜电致发光材料,将ZnS和MnCl2,通过化学蒸发沉积法形成薄膜。如采用金属有机物化学气相沉积(MOCV)法,锰源是锰的有机化合物,与ZnS生成薄膜,温度为280~350℃。ZnS:Mn薄膜作成双绝缘层结构的器件具有记忆功能。

　硫化锌:银　 zinc sulfide activated by silver　 ZnS:Ag。白色粉末,相对密度4.09,立方晶系。在紫外线 365nm,阴极射线和X射线激发下它是高效的蓝色发光材料,荧光颜色随Ag含量的变化而变更。合成方法:取荧光级ZnS,以硝酸银溶液形式加入Ag0.01%~0.2%,并加入1% 的MgCl2,加少许水调匀,在红外灯下烘干,再与3.8%的硫黄混合均匀,装入石英坩埚,压紧,盖上3%的硫黄和一些次粉,盖上盖,于900~950℃灼烧1h,冷却后在紫外灯下选取,然后用10%硫代硫酸钠溶液浸泡1h,用去离子水洗净,抽滤、烘干、过筛即得成品。相类似组成的荧光粉:①ZnS:Ag,Cu,发光峰值550nm,发光颜色黄绿色,色坐标:x=0.370,y=0.540,衰减时间0.55s,光视效能550lm/W,用于雷达显示。②ZnS:Ag,Al。③ZnS:Ag,Cl,Ce。④ZnS:Ag,Sc,ZnS:Ag0.00009Sc0.0037Cl0.000006。⑤ZnS:Ag,Gd,Cl均可用作显示管荧光粉。

　硫酸钡:钐(Ⅲ)　 barium sulfate activated by samarium　 BaSO4∶Sm3+白色粉末。在Co60γ射线照射后,加热发出荧光。发射光谱的主峰波长600nm,在热释光曲线上于420K出现峰值。合成方法:按摩尔比称取BaCl2·2H2O、Sm2O3,用盐酸溶解,加入H2SO4溶液,生成硫酸盐共沉淀。过滤、烘干、粉碎、于1250℃氮气流中灼烧2h,组成式为BaSO4:Sm[0.002%~5%(摩尔分数)]。相似荧光粉BaSO4:Eu2+,发射荧光的主峰波长750nm,次峰为376nm。

　硫氧化钇:镱(Ⅲ),铥(Ⅲ)　 yttrium oxysulfide activated by ytterbium and thulium　 Y2O2S:Yb3+,Tm3+。六方晶系,晶胞参数 a=b=3.784、c=6.589。相对密度 4.920。980nm 近红外光激发下在480nm处有很强的发射峰出现。合成方法:利用硫熔法制备,配制相应稀土硝酸盐溶液,与草酸溶液在40℃下进行共沉淀反应得到稀土草酸盐混合物,通过高温热处理先得到氧化钇,再与助熔剂Na2CO3和S按一定摩尔比混合,球料分离,高温1200℃煅烧得到产物。

　硫氧化钇:铕(Ⅲ),铽(Ⅲ)　 yttrium oxysulfide activated by europium and terbium　 Y2O2S:Eu3+,Tb3+。白色粉末。在阴极射线和紫外线激发下发出白色色荧光。它是铕(Ⅲ)的发射光谱和铽(Ⅲ)发射光谱的叠加,荧光色随Eu和Tb的比值而变化。发射光谱中有420~440nm主峰和510nm绿峰及620nm的红峰。如0.1%(摩尔分数)Tb,0.05%(摩尔分数)Eu时发白色荧光,色坐标x=0.303、y=0.296。主要用于显像管。合成方法:按摩尔比称取Y2O3、Eu2O3、Tb4O7,加入乙醇,球磨2h。烘干后加入硫黄、Na2CO3、K3PO4再混匀,于 1050℃灼烧而成。

　六氟化铀　 uranium hexafluoride　 铀的一种氟化物,化学式为UF6。生产富集铀的原料。六氟化铀热稳定性很高,在常温常压下为透明结晶状固体,外观呈白色,密度约为5g/cm3,其三相点为64℃、0.152MPa,在高温高压下为无色透明液体,不与干燥空气、氯、溴和氮起作用,与水及空气中的水分反应剧烈,生成氧化物白色烟雾。它与有机物几乎都能起反应,因此生产用设备的密封只能用金属(如镍)和聚四氟乙烯等。利用元素或气态氟化氢可把四氟化铀、氧化铀或金属铀等转变成六氟化铀,目前多采用元素氟在高温下与四氟化铀起反应的方法。六氟化铀是唯一的易挥发的铀化合物,是目前工业规模分离铀同位素的工作介质。

　六甲基二硅醚　 见二硅氧烷(161页)。

　六甲基环丙硅烷　 hexamethylcyclotrisiloxane　 又名六甲基环三硅氧烷(D3)、环三聚二甲基硅氧烷。白色结晶,分子量222.47,熔点64.5℃,沸点134℃,相对密度1.12,难溶于水。用于制造甲基乙烯基硅橡胶,还可用来制备特定的有机硅化合物,作为表面处理剂、偶联剂、交联剂等。

　膜片钳细胞传感器　 patch clamp cell biosensor　 是以细胞为敏感元件制成的传感器。它是利用细胞的跨膜蛋白质离子通道对细胞膜电位的变化(电压门控)或细胞表面受体对来自配体的刺激(配体门控)可作出迅速的开通或关闭的响应特性,采用膜片钳制(控制或测量细胞膜电位及离子通道电流)技术,通过动态或静态观察细胞离子通道电流的变化来确定影响其通道的因素、类型和数量的仪器。

　膜渗透法　 membrane osmometry　 是利用溶液的依数性来测定聚合物数均分子量的一种方法,对稀溶液,可得van’t Hoff方程π=RT=RT。式中,为溶剂的偏摩尔体积;n1、n2为溶剂、溶质物质的量。表明一定温度下测定已知浓度溶液的渗透压,可得溶质分子量。对小分子溶液(π/c)与浓度c无关,但高分子溶液不服从劳尔定律,(π/c)与c相关,需要将溶液无限稀释才符合劳尔定律,即=,故需修正为=RT,A2、A3为第二、第三维利系数。因此,当A3很小或接近0时,(π/c)对c作图,可外推直线斜率为RTA2,截距为。当A3不为0时,可将上式维利展开为=,Γ为A2变体,g为一常数(良溶剂中约为1/4)。维力展开式可简化为=,以对c作图,外推截距而求得分子量。选择合适的半透膜是膜渗透法实验的关键,数据处理时为了减少外推的误差,选用不良溶剂较为理想。膜渗透法测定的是数均分子量,测定的范围在2×104~2×106,测定分子量的下限取决于半透膜。此法是测定共聚物分子量的较好方法。

　膜组件　 membrane module　 各种规格的包含膜及其支撑结构的实用装置。单个组件或多个组件都可以组装成膜分离装置以供在工厂和实验室运用。根据膜的形式或排列方式有五种。管式膜组件:膜呈现软管式,置于耐压多孔管的内侧或外侧,多孔管材料为烧结聚乙烯,直径在12~24mm之间,以单根或多根置于耐压支撑管内,构成管式膜组件,膜的装填密度小于80 m2/m3。板框式膜组件:由其支撑材料增强的膜和多孔支撑板和导流板组成,两种致密层向外的膜构成板框式元件。一个或多个元件叠装后,用压紧板和拉杆固定,构成板框式膜组件,膜的装填密度为100~400 m2/m3。卷式膜组件:在两种膜中加入导流层,把三边密封成袋形、再在膜袋上放置特殊网格卷绕在滤液收集管上。把这种卷式元件一个或多个串联,装入耐压阔筒形容器中,构成了卷式膜组件,膜的装填密度大于900m2/m3。中空纤维膜组件:把很多根中空纤维捆扎成一束,置于耐压圆筒形容器中,把两端中空纤维丝之间的空隙用黏合剂密封,构成中空纤维膜组件,根据中空纤维丝装填组件的直径和长短得到不间膜面积的组件,中空纤维外径为50~100μm,内径为15~45μm。装填密度大于9000m2/m3,用于反渗透。毛细管式膜组件:毛细管式膜组件,其结构和中空纤维膜组件类似,但其毛细管外径为0.5~1.5mm,装填密度小于中空纤维膜,装填密度小于9000m2/m3,主要用于超滤和透析。

　磨蚀　 abrasion　 摩擦副接触表面在机械磨损、与周围环境介质发生化学或电化学腐蚀的共同作用下,导致表面材料流失的现象。

　磨损率　 wear rate　 磨损量与磨损时间之比。由于磨损量是时间的函数,磨损率可表示与时间有关的磨损特性。

　莫来石陶瓷　 mullite ceramics　 以莫来石为主要成分的陶瓷。莫来石是Al2O3-SiO2系中唯一稳定的二元化合物,组成可在3Al2O3·2SiO2至2Al2O3·SiO2间变化,即Al2O3含量可在71.8%~77.3%(质量分数)范围内波动。3Al2O3·2SiO2是化学计量莫来石。莫来石属于斜方晶系,密度为3.23g/cm3,熔点在1810℃左右,介电系数为7,硬度为67。莫来石陶瓷主要有普通莫来石瓷和高纯莫来石瓷。普通莫来石瓷以铝硅酸盐系天然矿物作为主要原料,采用在烧结过程中使之莫来石化的反应烧结法或先合成莫来石后再成型、烧结方法制成。因原料纯度低,杂质含量高,其组分除Al2O3、SiO2外,还含有TiO2、Fe2O3、CaO、MgO、Na2O、K2O等杂质,因而制品中有相当数量的玻璃相,致使其力学、热学性质较差,一般应用在对温度、高温强度要求不高的场合作为一般耐火材料使用。高纯莫来石陶瓷是以高纯Al2O3粉体和高纯SiO2粉体进行反应烧结或由合成的超细高纯莫来石粉末制备的陶瓷。具有膨胀均匀、热震稳定性极好、荷重软化点高、高温蠕变值小、硬度大、抗化学腐蚀性好等特点。高纯莫来石陶瓷在1300℃时弯曲强度达570MPa,断裂韧性KIC达5.7MPa·m1/2,均比常温时高1.6倍,这种随温度升高、强度和韧性不仅不衰减反而大幅度提高,是高纯莫来石陶瓷作为高温材料极佳的特性。高纯莫来石陶瓷可以用于耐火材料、高温结构材料、电子封装材料和光学窗口材料来使用。