搪瓷　 enamel　 在金属表面涂覆一层或数层瓷釉,在一定温度下进行烧成,金属和瓷釉间发生物理化学反应而牢固结合的一种复合材料。搪瓷具有金属的机械强度,瓷釉面具有玻璃的耐蚀、耐热、耐磨、易洁和能用于装饰等特点。搪瓷用的金属材料为各种钢板、有色金属、贵金属等。在涂搪前金属材料需进行预处理,如除油、酸洗、喷砂。瓷釉就是将一定组成的玻璃熔块与磨加物一起进行粉碎混合,然后涂烧在金属表面上一层涂层。用于工业上常有底釉和面釉。底釉主要目的是与金属底坯密着,同时防止出现过烧、气泡等缺陷。面釉主要作用是达到与使用目的相适应的性能。有些特殊情况不采用底釉。瓷釉加涂方法有湿法涂搪、干法涂搪、静电涂搪、电泳涂搪等。搪瓷制品一般分为:①按底坯材料分,有钢板、铸铁等黑色金属搪瓷,铜、金、银等有色金属搪瓷,另外还有不锈钢、铝镁等合金搪瓷,其中以钢板搪瓷和铸铁搪瓷较为常用;②按用途分,有日用搪瓷、化工搪瓷、建筑搪瓷、艺术搪瓷等;③以瓷釉特点分,如耐酸搪瓷、低熔搪瓷、自洁搪瓷、微晶搪瓷等。

　烫毛　 ironing 　 利用烫毛机上快速旋转的高温烫毛辊加热并拉扯毛被上的毛,使毛变直的操作。

　Ti2AlN陶瓷　 Ti2AlN ceramics　 由Ti、Al、N元素按2∶1∶1的近似比例组成的一种典型MAX相陶瓷,属于211相M2AX。密度4.31g/cm3,硬度3.5GPa,弯曲强度400MPa左右,热膨胀系数8.8×10-6K-1,电导率a轴约3.2×106S/m、c轴约4.0×106S/m。具有良好的可加工性、导电性、导热性及自润滑性能。

　陶瓷表面改性　 surface modification of ceramics　 通过调控材料表面及近表面区的形态、化学组成、组织结构,改善材料原有性能或赋予其新特性的表面处理工艺措施。主要包括表面涂层、渗氮、阳极氧化、气相沉积、离子束溅射沉积、表面合金化、离子注入等。陶瓷材料通过表面改性,可以提高硬度、耐磨性,改善其对应力集中和裂纹敏感、质脆、高温强度低、抗氧化性能差、热疲劳性能差等弱点。

　陶瓷表面金属化　 surface metallization of ceramics　 在陶瓷材料表面牢固地黏附一层金属薄膜,实现陶瓷和金属益于焊接或赋予陶瓷新的表面光泽性能的一种涂覆工艺。主要分为厚膜工艺金属化(丝网印刷辅助后续高温烧成)和薄膜工艺金属化(磁控溅射或真空蒸发)两种,工程上最主要是为了实现与电子元件的连接。

　陶瓷超声波加工　 ultrasonic machining of ceramics;USM　 利用超声频做小振幅振动的工具与被加工构件之间游离于液体中的磨料对被加工部位进行不断撞击,实现对构件表面产生去除效果的一种加工方法。

　陶瓷粉体机械制备方法　 ceramic powder preparation by mechanical method　 通过机械手段将用来制备陶瓷材料的固体块状原料粉碎成具有一定细度和可烧结的粉体的方法。属于物理、即top-down制粉方法之一。首先把块状物质用颚式破碎机、轧滚机等捶击、碰撞成粒状颗粒,然后再通过球磨、气流粉碎、砂磨和离心冲击等方式变成具有一定细度的粉末。球磨是把原料和球磨弹子按一定的球料比放入球磨罐中(有时加入一定的介质),通过球磨弹子在球磨罐中对原料进行不断地碰撞和打击,破碎颗粒或打碎团聚体,使其达到陶瓷粉体的要求。气流粉碎是用高压气流不断地快速冲击原料,对大颗粒原料进行撕裂和分割,使其变成细颗粒的陶瓷粉体。球磨一般需要很长时间,且会引进杂质,但方法简便,对进料没有具体要求,是广泛采用的方法。气流粉碎对进料有一定的细度要求,得到的粉体分布范围窄。由于进料较细,气流粉碎一般进行得很快。除了以上两种主要的方法,还有离心冲击、分级筛,以及撞击或粉碎和用砂磨机磨细等方法,都可用来制备陶瓷粉体。

　陶瓷封装材料　 ceramic packaging materials　 氧化铝为陶瓷封装最常用的材料,其他的陶瓷封装材料有氮化铝、碳化硅、玻璃与玻璃陶瓷、蓝宝石等。具有以下特点:气密性好,封装体的可靠性高;优良的电性能,具有对复杂器件进行一体化封装的能力;导热性能好,化学性能稳定;多层布线,具有最高的布线密度;可以达到100层高导热率,适合于需要散热能力强的器件,如超级计算机的CPU。Al2O3、AlN、BeO、莫来石(3Al2O3+2SiO2)制造工艺复杂。

　陶瓷固相连接　 solid bonding of ceramics　 连接过程中被连接陶瓷本身及连接材料均不发生熔化的连接方式,包括直接连接及间接连接两种。直接连接指被连接陶瓷在一定的高温高压下通过扩散形成的连接;间接连接指在被连接陶瓷间引入连接材料,通过连接材料与被连接陶瓷间的固相扩散而形成的连接。

　陶瓷基复合材料电泳沉积(成型)工艺　 electrophoretic deposition process of ceramic matrix composite　 陶瓷粉体和增强体(晶须或短纤维)的悬浮溶液分散体系在直流电场作用下,荷电质点向电极迁移并在电极上沉积形成一定形状的坯体,经干燥、烧结后获得产品。分散体系中由于质点离解或吸附使质点表面带电,分散介质可以用水也可以用其他溶剂。电极材料用金属或石墨等,其形状根据产品形状来设计确定,可以是棒状、板状或筒状。荷电质点在电极上的沉积速度和沉积量与悬浮液浓度、相对电介常数和黏度、质点荷电量、直流电场大小、电极面积大小、电极间距离以及沉积时间等因素有关。体系中加入表面活性物质可以改变质点的荷电性质。此工艺特别适于薄壁异形筒(管)状制品的成型,还可以用于层状复合材料、梯度功能材料及其他陶瓷的成型或金属制品的表面陶瓷涂层。

　陶瓷基复合材料溶胶凝胶工艺　 sol-gel process of ceramic matrix composite　 将含有多种组分的溶液,通过物理或化学的方法,使分子或离子成核制成溶胶,然后经凝胶化处理,获得多组分复合相的凝胶体,再经烧结而获得所需组分的陶瓷基复合材料。该法制备陶瓷基复合材料需选择合适的前驱反应物、分散剂、胶溶剂,控制溶液的浓度、pH值,特别是控制凝胶体中溶剂的蒸发速度。溶胶凝胶法不仅使各组分能高纯、超细、均相地分子级或包裹式复合,而且所得陶瓷材料性能良好,可广泛地应用于颗粒-基质相、颗粒-纤维-基质相等陶瓷基复合材料的制备,缺点是工艺过程比较复杂。

　陶瓷基复合材料原位生长工艺　 in-situ growth process of ceramic matrix composite　 在陶瓷基复合材料制备时,利用化学反应在原位生成补强组元——晶须、晶片或柱状晶来补强陶瓷基体的工艺过程。根据晶体生长热力学,陶瓷液相烧结时某些晶面生长激活能低易于生长的习性,在陶瓷基体中均匀加入某些元素(或化合物),控制其生成条件,使陶瓷基体致密化过程中在原位生长出晶须、晶片或柱状晶,形成陶瓷基自补强复合材料。如氮化硅陶瓷在高氮压气氛中烧结可生成长径比达10∶1以上的β-Si3N4柱状晶自补强氮化硅陶瓷。这种工艺的优点是可使用低价原料,环境污染小,工艺简单;缺点是难以制备完全致密的复合材料。若采用预先在较低温度下热处理坯体生成一定量的晶须、晶片或柱状晶,然后再热压烧结可获得接近完全致密的复合材料。

　陶瓷基复合材料直接氧化(Lanxide)工艺　 directed oxidation(Lanxide)process of ceramic matrix composite　 利用熔融金属直接与氧化剂发生氧化反应而制备陶瓷基复合材料的一种工艺方法。其具体工艺为:在金属中掺杂少量添加剂,然后在空气或其他氧化气氛中加热金属至熔融状态,熔融金属与气相氧化剂反应,于金属熔体的上方形成一层以该金属氧化物为基体并含有一定量金属的反应物。该反应始终在熔融金属与气相氧化剂界面进行。生成的这种金属氧化物/金属复合材料称之为Lanxide材料。例如:Al2O3/Al复合材料,母体金属选择为铝,添加剂一般采用镁和硅,氧化气氛为空气,温度为1200~1400℃。在直接氧化工艺中通过控制熔体温度和熔体的掺杂成分可以调节生成的Lanxide材料的性能。采用直接氧化工艺还可将各类补强相(如纤维、晶须和颗粒等)毫无损伤且均匀地复合到Lanxide基体之中,从而形成性能更高的Lanxide材料。此工艺具有工艺简单、成本低廉及材料性能优异等特点。Lanxide材料具有高比强度、质量轻、韧性好及耐高温等特性,因而在航空航天及兵器材料领域的火箭、喷气发动机、装甲板上得到应用。

　陶瓷激光辅助切削加工　 laser-assisted machining of ceramics　 通过对待加工构件表面进行区域激光加热,使材料发生软化、屈服强度小于断裂强度,实现材料去除机理由脆性破坏到准塑性变形的转变,再实施切削的一种加工方法。

　陶瓷胶态成型　 colloidal forming of ceramics; colloidal forming process　 利用胶体成型的一种陶瓷工艺。一般将陶瓷粉体均匀分散在有机溶剂或水介质中,加入固化剂和添加剂制成高固相含量、低黏度的陶瓷浓悬浮体,经人工注入非孔模具中,依靠温度诱发固化剂化学反应或聚合使浆料固化成型。其中原位胶态凝固成型包括注射成型(powder injection molding),注浆成型(slip casting),凝胶注模成型(gel casting),直接凝固注模成型(direct coagulation casting,DCC),温度诱导絮凝成型(temperature induced gelation)等。