橡胶加工油　 见橡胶软化剂。

　 橡胶颗粒混凝土　 crumb rubber concrete　 CRC是一种把废旧橡胶颗粒作为组成材料掺进普通混凝土配制而成的特种混凝土。与普通混凝土相比,具有质量小及耐久性能、减震性能、抗冲击性能、抗爆裂性能、隔热性能和隔声性能好等特点。应用于公路、桥梁、铁路、民用建筑和军事建筑等。

　消臭纤维　 offensive odour eliminating fiber　 指具有消除恶臭功能的化学纤维,与活性碳纤维相比,其对硫醇、硫化氢等的持续吸附能力高100倍左右;对氨气和异枯草酸的吸附效果,比椰壳活性炭高20~50倍;并可除去人尿与牛、猪、鸡等家畜的屎尿、鱼腥和臭污泥等几乎所有天然恶臭。这类纤维是由消臭剂或催化剂和纤维载体构成的,消臭剂或催化剂具有活性中心,能对恶臭物质起催化反应而达到消臭的目的。代表性的消臭剂有酞菁铁等,用量约3%(质量分数)即可满足要求。纤维载体要求具备以下性能:多孔,表面积大;在空气中使用时,需要具有疏水和亲水两种基团,使恶臭物质能接近消臭活性中心,在水介质中使用时,需要具有多的亲水基团;有时,恶臭反应副产物也具有臭味,因此需具有容易吸附它们的能力;容易加工成型。可用作床上用品、尿布、鞋袜,运动衣、空气净化器滤材、窗帘、壁纸、天花板等。

　消泡剂　 defoamer　 又称破泡剂。指具有较低表面张力和较高表面活性、能抑制或消除液体中泡沫的物质。作为消泡剂,有低碳醇、矿物油、有机极性化合物及硅树脂等,其形态有油型、溶液型、乳液型、泡沫型。消泡剂广泛应用于清除胶乳、纺织上浆、食品发酵、生物医药、涂料、石油化工、造纸、工业清洗、污水处理等行业生产过程中产生的有害泡沫。消泡剂必须要满足两个基本特性:①不溶于或微溶于起泡介质;②表面张力比起泡介质要低。除此之外,还要求消泡剂具备消泡速度快、抑泡时间长、用量少、不会有副作用和环境友好等特性。不同的行业不同的工序中的起泡环境的不同决定了消泡剂的多样性。从消泡剂的外观形态看,消泡剂可分为固体消泡剂和液体消泡剂;从消泡物质的种类看,消泡剂可以分为有机硅消泡剂、聚醚消泡剂、高碳醇类及高碳醇酯类消泡剂、天然油脂类消泡剂等。

　弹性滞后　 elastic hysteresis　 黏弹性材料在外力作用下弹性形变滞后于外力变化的现象。

　钽钪酸铅(PST)热释电陶瓷　 PST pyroelectric ceramics　 PST属钙钛矿结构,室温下为四方相。这是近年发展的在偏置电场下工作的热释电陶瓷。它利用相变时介电常数的急剧变化而获得极高的热释电系数,由于其介电常数较高,适合于制造多元列阵器件,是热释电陶瓷红外热像仪的优良材料之一。在5.3γ/μm偏置电场下,工作温度57℃时,其性能如下:热释电系数3.8×10-8C/(cm2·K);介电常数290;介质损耗0.0027。

　钽酸钇:铌　 yttrium tantalate activated by niobium　 YTaO4:Nb。白色粉末,相对密度7.6,在X射线激发下发出蓝紫色荧光,峰值波长400nm,发射光谱从300~500nm。含成方法:按摩尔比称取Y2O3、Ta2O5、Nb2O5、LiCl混合均匀。从300℃起以每分钟 1.0~1.5℃速度升温,在1250℃灼烧10~14h,冷却后水洗,过滤,干燥而制得荧光粉。也可用Li2SO4、LiCl-Li2SO4、LiSO4-K2SO4作助熔剂。组成式:YNb0.02Ta0.98O4。对X射线有较大的吸收率和高发光效率,余辉很短(8×10-6s),发光光谱与蓝敏X射线胶片灵敏曲线相吻合,因此是良好的X射线增强屏用荧光粉。

　炭化　 carbonization　 有机物等原料在热解及缩聚等反应的同时释放出非碳元素、生成高碳含量固体的过程。随物质在反应过程中状态的不同,大致可分为液相、固相和气相三种。

　碳化硅半导体材料　 semiconductor silicon carbide　 碳化硅晶体有两种基本的晶型,即立方型和六方型。立方型称β-SiC,它在1800~2000℃形成,六方型称α-SiC,在六方型中又有120多种晶体形态,它在2000℃以上形成。常压下SiC没有液相,在2000℃热分解。SiC的能隙与晶体形态有关,在2.20~2.80eV范围,是高温半导体材料,SiC器件可以在500℃下工作,且具有很强的抗辐射能力。制备SiC单晶的方法主要有:①SiC粉直接升华法,控制温度1800~2200℃;②气相生长,控制温度1600~1800℃;③液相外延,控制温度1600~1700℃。SiC单晶可用于制备绿色和蓝色发光二极管,但主要用于制备场效应晶体管和双极型晶体管等功率器件。

　碳化硅单晶　 silicon carbide crystal　 SiC晶体结构具有多型性,原子不同的堆垛形式对应不同的结构。目前已发现并已确定其晶格结构的SiC晶体多达200余种,其中较为常见的有3C、15R、6H、4H和2H共5种。SiC单晶是一种宽带隙的半导体材料,常温下6H-SiC单晶的带隙为3.023eV,而Si和GaAs分别为1.1eV和1.4eV。同时SiC又具有优良的热导率,如6H-SiC的热导率为3.6 W/(m·K),抗电压击穿能力是Si的10倍。SiC单晶的生长的传统方法有Acheson法和Lely法,这两种方法均是自发成核,生成的SiC单晶尺寸小。目前物理气相传输法(physical vapour transition,PVT)是生长大尺寸、高质量SiC单晶的最好方法。半导体晶体具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速率高、电子迁移率高、介电常数小、抗辐射性能强、化学稳定性好等优良的物理化学性质,是发展高亮度LED、电力电子器件、微波功率器件的关键材料。

　碳化硅晶须增强生物活性玻璃陶瓷复合材料　 biaoctive glass-ceramic composite reinforced by SiC whisker　 是由碳化硅晶须与生物活性玻璃陶瓷复合而成的一种生物陶瓷复合材料。生物活性玻璃陶瓷赋予其高生物活性、高强度、高弹性模量、无毒的碳化硅晶须在陶瓷基材中弥散分布,使材料中的裂纹尺寸相对均匀,裂纹扩展发生转向和分支,加上外力作用下碳化硅晶须拔出时产生的拔出效应,可使复合陶瓷的抗弯强度达460MPa,断裂韧性达4.3MPa·m1/2,特别是其维伯尔系数高达24.7,标志着这种复合陶瓷是最可靠的可承力的生物陶瓷复合材料。动态疲劳试验研究表明,在生理环境中,这种复合陶瓷在与人体密质骨抗弯强度相当的应力作用下,寿命可超过50年,是预测寿命最长的生物陶瓷材料。

　碳化硅砖　 silicon carbide brick　 以碳化硅为主要成分的耐火制品,包括砖、管、棒及各种异形制品。具有高温强度大、耐磨性优、热导率高、热震稳定性以及耐蚀性好等优点。碳化硅砖由于结合方式不同而性能差别较大,应用领域广泛。

　碳化铪陶瓷　 hafnium carbide ceramics　 以碳化铪(HfC)为主要成分的陶瓷材料,密度为12.7 g/cm3,熔点为3890 ℃,为已知单一化合物中熔点最高者,弹性模量352 GPa,维氏硬度为26 GPa,热膨胀系数6.6×10-6℃-1(20~1500℃),体积电阻率1.95×10-4Ω·cm(2900℃)。其高熔点、高弹性系数、良好的电热传导性和抗热震性能,非常适用于制作火箭喷嘴、火箭鼻翼等极端耐热部件。HfC陶瓷粉末通常采用二氧化铪(HfO2)与碳在1900~2300℃下惰性或还原性气氛中合成,HfC能与许多化合物(如ZrC、TaC等)形成固溶体。

　碳化硼　 boron carbide　 硼的一种碳化物,分子式B4C。10B吸收中子后发生(n,α)反应产生氦气和锂,产物的体积比硼的体积约大20倍,含硼材料的辐照肿胀问题是其主要缺点。碳化硼为六角菱形晶系,在晶胞各个角上有十二个硼原子,晶格参数c0=1.212nm,a0=0.56nm。这种晶体结构中,存在可容纳直径达0.18nm的原子,因而可以把锂原子,甚至氦原子保留在晶体内,可以预计在硼的燃耗低于8%时,B4C在辐照下是稳定的。碳化硼的理论密度为2.51g/cm3,熔点2450℃,200℃时的热导率达24W/(m·K),线胀系数(20~800℃)4.5×10-6K-1,价格低廉,是很好的控制材料。用气相沉积法或电热法合成。可以粉末、压块或弥散在其他基体里,制成多种结构,用于各种反应堆中。碳化硼硬度高、强度大,也用作磨料和耐腐材料。

　碳化硼陶瓷　 boron carbide ceramics　 以碳化硼(B4C)为主要成分的陶瓷材料,密度为2.52 g/cm3,弹性模量450~470GPa,摩氏硬度为9.3,硬度仅次于金刚石和立方氮化硼,俗称“人造金刚石”,热膨胀系数为5.0×10-6℃-1,热导率29~67W/(m·K),电阻率0.1~10 Ω·cm,中子吸收截面600 b,化学稳定性良好。B4C陶瓷密度低、硬度高、压缩强度高、中子俘获截面大,被广泛用作硬质材料的磨削、研磨、抛光、钻孔、切割和喷砂嘴等耐磨部件的制备,和耐酸、碱腐蚀零部件、防弹装甲(尤其是武装直升机和轻型装甲战车的理想装甲材料)、中子吸收剂(如核反应炉场里控制链式反应的控制棒、终止失控核堆链式反应进行应急投埋处理的陶瓷粉料)等。