离子镀　 ion plating　 利用气体放电等离子体使气相组元电离,并在离子轰击作用的同时把蒸发物或其反应物沉积在基片上形成镀层的技术,是一种等离子体增强的物理气相沉积。用得较多的是空心阴极放电离子镀,热电子增强电子束离子镀,阴极电弧离子镀。离子镀的特点是,由于离子轰击作用,使镀层致密,结合强度高,可在基体温度低于550℃时得到质量良好的镀层。由于在基体上施加了负偏压,改善了绕镀性。离子镀最突出的成效是高速钢刀具氮化钛耐磨镀层和氮化钛装饰镀层的工业化。

　离子交联聚合物　 ionomer　 又称离聚体。是指在大分子主链上含有少量(含量小于10%)悬挂的离子基团,这些离子基团形成离子键的一类聚合物。离子对间的静电吸引和排斥及络合等作用使离聚体具有独特的聚集态结构并决定了其不同于基体的性质。常用的离子对包括酸根离子(如羧酸磺酸巯基乙酸和膦酸)和反离子(如钠、钾、锂、钙、镁、铜、锰、锌、铅、钴、铝、铯等)。常用来做离聚体的骨架材料主要有聚丁二烯、聚苯乙烯、聚乙烯、三元乙丙橡胶等聚合物。合成方法主要有三种:①将烯类单体与含酸基(如羧酸基、磺酸基)的单体进行自由基共聚,生成的共聚物再与金属氧化物、氢氧化物或乙酸盐等在溶液中或熔融状态下反应,即生成离聚体;②将烯类单体与带双键的酯共聚,生成的共聚物再进行部分水解或皂化,使部分酯基变成酸基或盐基;③将含双键或芳基的高聚物用各种试剂进行改性,在双键部位生成各种酸基,然后再用金属氧化物等中和。离聚体的力学性能不同于主链分子聚合物,而与部分硫化的橡胶类似,除受到基体性质的影响外,还与反离子的性质有很大关系。不溶于非极性、水、或其他强极性溶剂,在低极性溶剂中,离子基团发生聚集;在高极性溶剂中,离子基团比较分散,表现出特殊的溶液特性。可应用于食品包装、电气绝缘、汽车部件、聚合物改性、气体分离膜、油品减阻剂等领域。

　离子迁移率　 ionic mobility　 单位场强下离子迁移的速率。以间隙离子在晶格中扩散为例,载流子沿电流方向的迁移率为μ==exp,式中,δ为相邻半稳定位置间的距离,等于晶格距离,cm;v0为间隙离子的振动频率,s-1;q为间隙离子的电荷数,C;k值为0.86×10-4eV/K;U0为无外电场时间隙离子的势垒,eV。不同类型的载流子,在不同的晶体中,其扩散时所需克服的势垒都不相同。通常离子迁移率为10-13~10-16m2/(s·V)。

　离子生物传感器　 ion sensitive biosensor　 是利用生物活性物质(酶、蛋白质、核酸、抗体或抗原等)发生识别和结合作用时引起体系电荷的变化,用离子敏感膜将体系电荷的变化转换成可测的电位(电流)信号来确定生物活性物浓度的传感器。根据换能器检测电荷变化方式的不同,离子生物传感器可以分为:电极型离子传感器、场效应晶体管型离子传感器、光导传感型离子传感器、声表面波型离子传感器。

　离子束沉积　 ion team deposition　 将离子源产生的离子直接沉积在材料表面的镀膜技术。离子束沉积装置由离子源、真空室、真空系统、控制系统和电源组成。离子束沉积采用的离子源通常要求用金属离子直接作镀料离子,这类离子是由电极与熔融金属之间的低压弧光放电产生。离子束沉积的特点是易于控制沉积离子的能量,可以使离子束偏转,因而可用质量分析器净化离子束,获得高纯度的膜层。离子束沉积要求离子的能量为1000eV左右,镀膜速率受离子源提供离子速率的限制,远低于工业生产采用的蒸镀和磁控溅射。主要用于新型薄膜材料的研制。

　离子束溅射　 ion beam sputtering　 利用离子源产生的离子束轰击靶材进行溅射的镀膜技术。离子束溅射装置主要由离子源、真空室、真空系统、控制系统和电源组成。离子束溅射一般采用考夫曼宽束离子源,这种离子源的束流均匀。圆形离子源出口直径可达100mm以上,矩形离子源尺寸可达500mm×50mm。离子束溅射的特点是能够分别控制离子能量和束流密度,并且基片或工件不接触等离子体。这些都有利于控制膜层质量。它主要用于新材料的硏制。

　离子束外延　 ion beam epitaxy　 一种利用离子束沉积单晶薄膜的生长技术。所用的沉积装置类似于离子注入机,离子源产生沉积材料的离子,引出后加速,进行质量分析和扫描。和离子注入不同之处是在靶上加正高压,离子在到达衬底表面时能量降到某一个很低的值,实际上由于离子源的能量分散度,到达衬底的离子能量不可能为零。离子束外延可直接控制沉积离子的能量和离子束流强度。沉积离子能量范围为0~1000eV,提高了表面迁移率,外延生长时的衬底温度相对较低,通常在500~600℃。由于沉积的是离子,电荷的存在对薄膜的成核及生长动力学都将产生影响。真空条件、表面清洁度、表面损伤对于单晶膜生长也有很大影响。衬底表面在外延生长之前,需在500~600℃的温度下用300~500eV能量离子进行溅射清洗以除去表面污染、表面损伤和表面氧化层。用离子束外延已经在Ge和Si 上生长了同质和异质单晶外延层,用C-和C+离子束可沉积类金刚石薄膜。

　离子束增强沉积　 ion beam enhanced deposition　 在离子束辅助沉积薄膜的同时,用低能离子束进行轰击,以在衬底上形成具有特定性能表面覆盖层的技术。其突出优点为:①原子沉积和离子注入各参数可以精确地独立调节;②可在较低的轰击能量下,连续生长几微米厚的、组分一致的薄膜;③可在室温下生长各种薄膜,避免高温处理对材料及精密零、部件尺寸的影响;④在膜和衬底界面形成连续的混合层,提高黏着力。用于离子束增强沉积的设备有多种形式。其薄膜沉积方式有电子束蒸发,离子束溅射沉积,分子束外延,原子簇系统。单一离子束溅射沉积,同时也可作为轰击手段,离子束增强沉积合成薄膜中所用的离子束能量一般在30eV~100keV之间。较高能量的离子束通常用于硬质薄膜合成。而对于光学薄膜,单晶薄膜生长则以较低能量离子束为宜。从薄膜合成过程来分,离子束增强沉积有以物理效应为主的薄膜合成,如Si3N4、BN、SiC等;有些薄膜合成过程以化学效应为主的薄膜合成,如TiN等。还可用来合成梯度功能薄膜、智能材料薄膜等表面层材料。

　离子注入活化改性　 bioactivation by ion implantation　 将具有100keV量级的离子束入射到材料表面,在材料表面预定深度注入预定剂量的高能量粒子,使材料表面化学成分、组织结构和性能发生变化,以改变材料与生物体的相互作用。为了提高钛金属表面的生物活性,一般采用注入Ca、P、Na和氧等粒子的方法,诱导磷灰石在钛及钛合金的表面形成。

　理想溶液　 ideal solution　 溶液中的所有组分都符合拉乌尔定律的溶液。当溶质与溶剂混合为溶液时,没有热效应和体积的变化,即为理想溶液。另一种说法是,溶质与溶剂之间彼此相似,相对尺寸和相互作用力都相等时,则为理想溶液。在化学中,理想溶液代表该溶液溶解时的溶解热(焓的改变量)为零。对于实际溶液,溶解热越接近零,则该溶液的行为就越为“理想”;溶质分子结构和性质越是与溶剂分子相接近,混合后的溶液行为就越与理想溶液相近。一般来说,稀溶液较浓溶液更加接近理想溶液。

　锂电气石　 elbaite　 参见电气石(131页)。

　锂辉石陶瓷　 spodumenite ceramics　 以锂辉石(Li2O·Al2O3·4SiO2)为主晶相的陶瓷。用Li2CO3黏土、Al2O3和SiO2为原料,经高温烧结而成。主要性能:相对介电常数为8.5~9,介电常数的温度系数有较大的正值,介电损耗角正切(800Hz)为150×10-4~200×10-4,热稳定性很好,经1000℃至冷水的淬冷不产生裂纹。其缺点是烧结范围太窄。可用于制造燃气轮机叶片及喷气式发动机的喷嘴、家用耐热炊具等。

　锂-铅合金　 lithium-lead alloy　 Li和Pb的二元合金。其优点与液态锂相同。最常考虑的是锂-铅共晶合金(17%锂),熔点235℃。铅是出色的中子倍增元素和辐射防护材料,因而锂-铅合金具有较好的增殖能力,利用相当薄的增殖区便可达到适当的氚增殖和有效的防护。主要的缺点是铅的密度大。各种锂-铅合金与水的反应性试验研究表明:共晶锂-铅合金与水只发生适度的反应。液态锂-铅合金在500℃时对214Cr-1Mo钢的焊接热影响区有显著的间浸蚀。在相同条件下,铌稳定的214Cr-1Mo钢有较好的抗晶间浸蚀能力。

　锂铁砷　 Li1-xFeAs　 Fe基超导体111相,通过使Li元素缺失产生超导电性,超导转变温度18 K。

　立方氮化硼　 cubic boron nitride　 化学式为BN,属等轴晶系。空间群为F43m,晶胞常数为3.62Å,密度为3.48g/cm3,熔点3000℃,抗氧化温度为1300℃左右,努普硬度为470MPa(金刚石相应硬度为70GPa)。晶体为六面体-八面体聚形、八面体等。呈黑棕色细粒结晶状,有时也呈灰色和浅黄色晶体。是一种人造的超硬材料。在自然界中尚未发现。通常以六方氮化硼为原料(α-BN),以碱金属,碱土金属及其氮化物为催化剂制得(于5GPa和1000℃以上的静态超高压高温条件下),或用爆炸法不加催化剂制得。立方氮化硼的硬度略低于金刚石,而其热稳定性及对铁元素及其合金的化学惰性均优于金刚石。特别适用于加工高硬淬火钢、不锈钢等难加工材料。用于制成磨具和多晶体立方氮化硼车刀,铣刀和钻头等。