石墨烯薄膜，经化学气相沉积 (CVD) 生长后存在波纹或褶皱。波纹石墨烯结构的高度小于 1.5 nm，而石墨烯折叠是三层结构，宽度范围从几十纳米到几百纳米不等。在金属基底上从生长温度（约1320 K）冷却到室温期间，由于基底和石墨烯的不同热膨胀系数，引起的界面压应力形成的。今日，韩国基础科学研究院Da Luo和Rodney S. Ruoff团队在Nature上发文，报道了在1000 K和1030 K之间的生长温度范围内，使用乙烯作为碳前体在单晶 Cu-Ni(111) 合金箔（20.0 at% Ni）上可实现生产大面积、无折叠、单晶单层石墨烯薄膜。图1 石墨烯折叠形成的循环实验。（图源Nature）

单层石墨烯薄膜，在整个区域显示出均匀的石墨烯场效应晶体管性能，并且对于空穴和电子具有大约7.0 × 103 cm2 V−1 s−1 的平均室温载流子迁移率，其载流子迁移率与在高于1270 K的温度下生长的单晶石墨烯的迁移率相当。

文献链接： /articles/s41586-021-03753-3

/10.1038/s41586-021-03753-3