二维半导体，因其固有的原子厚度、柔韧性和无悬挂键表面，成为下一代电子产品最具竞争力的候选材料之一。空气稳定和高迁移率的二维Bi2O2Se 半导体，是一种新型三元材料，表现出超高的载流子迁移率、适中的带隙、出色的稳定性和优异的机械性能。同时，可以在高温下与氧等离子体或氧反应，形成高 κ 天然氧化物 Bi2SeO5。Bi2SeO5 与 Bi2O2Se 形成原子级尖锐的界面，可直接用作栅极电介质。近日，北京大学彭海琳团队在Accounts of Materials Research上发表综述，系统论述了2D Bi2O2Se 在下一代电子工业中的应用，包括其物理和化学特性、高质量 Bi2O2Se 薄膜的合成以及基于 Bi2O2Se 的电子器件和电路的发展。Bi2O2Se 的结构影响其化学和物理性质，如化学反应性和铁电、压电和机电性能。接着总结了如何在电子器件中利用这些特性，包括场效应晶体管、逻辑门、辐射热计、光电探测器、热电器件、压电器件、传感器和存储器件等。Bi2O2Se 薄膜大面积图案化，可实现隔离的通道区域，并集成到全功能电路。文献链接： /10.1021/accountsmr.1c00130DOI: 10.1021/accountsmr.1c00130